电磁炉lm339-lm339电压比较器电路图-lm339运放参数_骊微电子.pdf

四比较器电路概述：四比较器电路概述：是一块四比较器集成电路，主要应用于消费类和工业类封装外形图电子产品中，进行电平检波和低电平探测。采用 DIP14 封装形式。主要特点：主要特点：单电源或双电源工作。输入偏置电流低：25nA（典型）。输入失调电流低：5.0nA（典型）。输出饱和电压低：130mV。可与 TTL 及 CMOS 兼容。内部电路图管脚排列图内部电路图管脚排列图引出端功能符号引出端功能符号引出端序号 功能符号引出端序号 功能符号1 输出 2 OUT2 8 反相输入 3 IN3（-）2 输出 1 OUT1 9 正相输入 3 IN3（+）3 电源Vcc 10 反相输入 4 IN4（-）4 反相输入 1 IN1（-）11 正相输入 4 IN4（+）5 正相输入 1 IN1（+）12 地GND 6 反相输入 2 IN2（-）13 输出 4 OUT4 7 正相输入 2 IN2（+）14 输出 3 OUT3 Vcc正输入负输入输出地 LM339LM339深圳市骊微电子科技有限公司半导体专业供应商深圳市骊微电子科技有限公司极限值极限值（绝对最大额定值，若无其它规定，Tamb=25）参 数 名 称符 号数 值单 位电源电压Vcc 36 或18 V 输入差分电压范围VIDR 36 V 输入共模电压范围VICMR-0.3VccV 输入电流ISC 50 功耗（*）PD 1.0 W 工作环境温度Tamb 070 贮存温度Tstg-65150注（*）：在 25以上使用时，每升高 1，功耗减少 8mW。电特性电特性（若无其它规定，Vcc=5V，Tamb=25）规 范 值特 性测试条件符 号 最 小 典 型 最 大单位2.0 5.0 输入失调电压0 Ta 70 VIO 9.0 mV 5.0 50 输入失调电流0 Ta 70 IIO 150 nA 25 250 输入偏置电流0 Ta 70 IIB 400 nA 0 Vcc-1.5 输入共模电压范围0 Ta 70 VICR 0 Vcc-2.0 V RL=0.8 2.0 电源电流RL=，Vcc=30V Icc 1.0 2.5 mA 电压增益RL 15K，Vcc=15V Gv 50 200 V/mV 大信号响应时间VIN=TTL 逻 辑 摆 幅，VREF=1.4V，VRL=5.0V，RL=5.1K tRES 300 ns 响应时间VRL=5.0V，RL=5.1K tRES 1.3 ns 输入差分电压VID Vcc V 输出陷电流VIN（-）1.0V，VIN（+）=0V，Vo 1.5V ISINK 6.0 16 mA VIN（-）1.0V，VIN（+）=0V，ISINK 4.0mA130 400 输出饱和电压VIN（-）1.0V，VIN（+）=0V，ISINK 4.0mA 0 Ta 70 VSAT 700 mV VIN（+）1.0V，VIN（-）=0V，Vo=5.0V 0.1 输出漏电流VIN（+）1.0V，VIN（-）=0V，Vo=30V 0 Ta 70 IOL 1000 nA LM339深圳市骊微电子科技有限公司半导体专业供应商深圳市骊微电子科技有限公司应用图应用图带滞后的反相比较器带滞后的正相比较器逻辑驱动器方波振荡器过零检波器(单电源应用)过零检波器(双电源应用)LM339深圳市骊微电子科技有限公司半导体专业供应商深圳市骊微电子科技有限公司特性曲线特性曲线正常输入失调电压输入偏置电流输出陷电流与输出饱和电压 LM339深圳市骊微电子科技有限公司半导体专业供应商深圳市骊微电子科技有限公司