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(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案半导体三极管及其放大电路 一、选择题1。晶体管能够放大的外部条件是_a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏 答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ a 0.1V b 0。5V c 0.7V 答案：b4。锗晶体管的导通压降约UBE|为_ a 0。1V b 0。3V c 0。5V 答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0。06mA,3。66mA 和 3。6mA .则该管的为_ a 40 b 50 c 60 答案：c6。反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_ a 越好 b 越差 c 无变化 答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_ a 高 b 低 c 一样 答案：a8。温度升高，晶体管的电流放大系数 _ a 增大 b 减小 c 不变 答案：a9。温度升高，晶体管的管压降|UBE_ a 升高 b 降低 c 不变 答案：b10。对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_ 极的电位最低. a 发射极 b 基极 c 集电极 答案:c11。温度升高,晶体管输入特性曲线_ a 右移 b 左移 c 不变 答案：b12。温度升高，晶体管输出特性曲线_ a 上移 b 下移 c 不变 答案：a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_ a 不变 b 减小 c 增大 答案:c12.晶体管共射极电流放大系数与集电极电流Ic的关系是_ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案:a15. 当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是_ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的一定减小 答案：c16。对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强_ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 答案:b18。测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _a 处于饱和状态 b 放大状态 c 截止状态 d 已损坏 答案：c19在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_a 同相 b 反相 c 相差 90 度 答案：b20在单级共射放大电路中 , 若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_ 失真a 饱和 b 截止 c 饱和和截止 答案：a21。引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是_ a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 答案:c23。利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数 答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极答案：a26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _ a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 答案：c27。 在放大电路中，直流负反馈可以 _ a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点 答案：c28。 可以放大电压,但不能放大电流的是 _ 放大电路. a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案：c29。 射极输出器无放大 _ 的能力。 a 电压 b 电流 c 功率 答案:a30。 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 答案：b31. 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_ a 不变 b 变大 c 变小 答案：c32。某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_a 0.5kW b 1kW c 2kW 答案：b35。 在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 _ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 答案：c36 。 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应_ a 好 b 差 c 相同 37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 _ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB,电路将输入信号放大了_ 倍。 a 80 b 800 c 10000 39。 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2k，Ro=3k。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为 _ a 40dB b 32dB c 16dB 40。由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移,因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 _ 失真。 a 饱和 b 截止 c 频率 41.放大电路的两种失真分别为 _ 失真. a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位 42。 直接耦合多级放大电路与阻容耦合(或变压器耦合)多级放大电路相比,低频响应 _ a 差 b 好 c 差不多 44。 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号_ a 会产生线性失真 b 会产生非线性失真 c 为正弦波 45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_ 放大电路的高频特性最好。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 46。 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _ a 变宽 b 变窄 c 两者一样 47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _ a 越高 b 越低 c 无变化 48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处,幅值下降 _ a 3dB b 6dB c 20dB 49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _ a 越大 b 越小 c 无变化 51。 已知某晶体管的fT=150MHz,b=50.当其工作频率为50MHz时，f_ a 50MHz b 30MHz c 3MHz52。 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时,输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_ 度的附加值。 a180 b 90 c 45 53在单级阻容耦合放大电路的波特图中， （1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_a 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频， b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频， c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频, (2）相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_ a 45 / 十倍频， 45 B/ 十倍频 b 45 / 十倍频， 45 B/ 十倍频 c 45/ 十倍频， 45 B/ 十倍频 54。工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。A. 83 B。 91 C. 100答案：C二、判断题55。只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）答案：56。放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；( ）答案：57。电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）答案：58。放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）答案:59.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ )答案： 60。只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真.（ ）答案:三、解答题61.电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管，均为60,=100，静态时UBEQ0。7V。试求： （1）静态时T1管和T2管的发射极电流. （2）若静态时uO0，则应如何调节Rc2的值才能使uO0V？若静态uO0V，则Rc2?电压放大倍数为多少？图T3。4解：(1)T3管的集电极电流 IC3（UZUBEQ3)/ Re30。3mA 静态时T1管和T2管的发射极电流 IE1IE20.15mA(2)若静态时uO0，则应减小Rc2。当uI0时uO0，T4管的集电极电流ICQ4VEE / Rc40.6mA.Rc2的电流及其阻值分别为电压放大倍数求解过程如下:62。电路如图P4.8所示，具有理想的对称性.设各管均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为(uI1uI2），则由此产生的差模电流为iD,求解电路电流放大倍数Ai的近似表达式。 解：（1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T1和T2、T3和T4分别组成的复合管为放大管，T5和T6组成的镜像电流源为有源负载。（2)由于用T5和T6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数 分别为 63。若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。解：。在折线化幅频特性中,频率小于10Hz时斜率为40dB/十倍频,频率大于105Hz时斜率为40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f 10Hz时相移为90o，f 105Hz时相移为90o。波特图如解图P5.18所示。解图P5。18图P5.264。电路如图P2.19所示,晶体管的b60，=100. （1）求解Q点、Ri和Ro； 图P2。19（2）设10mV（有效值）,问？?若C3开路，则?解：（1）Q点: 、Ri和Ro的分析: （2）设10mV（有效值）,则 若C3开路,则 65.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ）答案:66.按要求填写下表。电路名称连接方式（e、c、b）性能比较(大、中、小）公共极输入极输出极R iR o其它共射电路共集电路共基电路解：答案如表所示。电路名称连接方式性能比较（大、中、小）公共端输入端输出端R iR o其它共射电路ebc大大小大共集电路cbe小大大小共基电路bec大小小大频带宽67。电路如图P2。4(a）所示，图（b）是晶体管的输出特性,静态时UBEQ0。7V.利用图解法分别求出RL和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值)。图P2.4 解：空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3。75V。带载时：IBQ20A，ICQ2mA,UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V.如解图P2.4所示.解图P2。468.图P3.6所示电路参数理想对称，12,rbe1rbe2rbe。 （1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式; 图P3.6（2）写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式,比较两个结果有什么不同。解:（1）RW的滑动端在中点时Ad的表达式为(2）RW的滑动端在最右端时所以Ad的表达式为 比较结果可知，两种情况下的Ad完全相等；但第二种情况下的.69.电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为（uI1uI2），则由此产生的差模电流为iD，求解电路电流放大倍数Ai的近似表达式。 解:（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T1和T2、T3和T4分别组成的复合管为放大管，T5和T6组成的镜像电流源为有源负载。（2）由于用T5和T6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P4。8 分别为 70.已知某电路电压放大倍数 试求解： （1）？fL？fH ? （2）画出波特图。 解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出、fL、fH。 （2)波特图如解图P5。6所示.解图P5.671。当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C。 前者正偏、后者也正偏答案：B 72.分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号.要求保留电路原来的共射接法和耦合方式.图P2.2 解：（a）将VCC改为VCC 。 （b）在VCC 与基极之间加Rb。 (c)将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC与集电极之间加Rc。73。电路如图P2.6所示，已知晶体管b50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少?设VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。 （1)正常情况 （2)Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路图P2。6解:设UBE0.7V.则（1） 基极静态电流 （2）由于UBE0V,T截止,UC12V.（3)临界饱和基极电流 实际基极电流 由于IBIBS，故T饱和，UCUCES0。5V。 （4）T截止,UC12V。（5）由于集电极直接接直流电源，UCVCC12V74。电路如图P3。9所示，晶体管的=50，=100。 (1)计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位；图P3。9（2)用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mv,则uO=？ 解：(1）用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为 静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位分别为 （2）先求出输出电压变化量，再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下： uOuOUCQ11。23V 若uI=10mv，则 75.电路如图P4.10所示,T1与T2管的特性相同，所有晶体管的均相同，Rc1远大于二极管的正向电阻。当uI1uI20V时，uO0V。 图P4。10（1）求解电压放大倍数的表达式；(2)当有共模输入电压时，uO=？简述理由。 解:（1)在忽略二极管动态电阻的情况下（2）当有共模输入电压时，uO近似为零。由于Rc1rd，uC1uC2，因此uBE30,故uO0.76.减小电路非线性失真的措施有（ ）A. 采用输入特性为线性的晶体管; B。 采用交流负反馈放大电路； C . 采用小信号功率放大电路; D. 稳定在互补对称功放电路的乙类状态下工作 77。三极管有 和 两种载流子参与导电，故称作 极型晶体管；而场效应管称作 极型晶体管。答案：电子，空穴，双，单78.不论何种组态的放大电路，作放大之用的三极管都工作于输出特性曲线的 区。因此接入电路时,总要使它的发射结保持 偏置,使它的集电结保持 偏置。 三极管的电流放大作用，实质上是指它的基极电流对集电极电流的 作用。答案：放大，正向，反向，控制 图279.图2电路对输入的交流信号电压是否正常放大? 理由是 。答案:否,因RbRc使VBVc不能保证集电结反向偏置，特别是偏流IB过大可能损坏发射结80.根据图3某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，可以得出:1）静态点Q值：IB = IC = UCE = . 2）三极管电流放大系数= . 3）集电极电阻 Rc = 。 4）最大不失真输出电压幅度（Uom)max=_ 图3答案:IB=0.02mA，IC1mA，UCE3V；50;Rc3K；（Uom）max1.5V81.放大电路分析时，可以忽略不予考虑的参量有（ ）A 小数量，遇见恒大于它的数量时； B 倒数和关系中的恒小数量；C 阻抗串联关系中的恒小电阻； D 阻抗串联关系中的恒小电容答案：C82.在全频段阻容耦合共射单级放大电路中，信号在低频段不可忽略的电容或等效电容有（ ） A 发射极电容元件； B 三极管的结电容；C 电路导线分布电容; D 偶合电容元件答案：A,D83。对三极管基本放大电路析时，须乘以（1+）倍折算的元件是（ ),A 折算到发射极电流并联支路的三极管输入电阻rbe； B 折算到基区的三极管发射结电阻rbe；C 折算到基极电流串联回路的发射极电阻Re； D 折算到基极电流串联回路的发射极电容Ce ； 答案：B,C84.在放大电路的交流通路中( ）可以视为短路。A 无内阻的直流电压源; B高、中频交流信号下工作的耦合电容元件;C 高、中交流信号下的三极管结电容； D 高、中频交流信号下有旁路电容的电阻元件答案：A, B85.减小放大信号非线性失真的措施有（ ）。A 采用输入线性好的晶体管； B 采用交流负反馈放大电路；C 稳定在合适静态工作点的小信号的电压或功率放大电路下工作；D。稳定在互补对称功放电路的甲乙类状态下工作; 答案:B，D86。电路如图6所示,说明下列三种情况时， 电路各属于和种组态，各有何特点？（1）U2 = 0，从C极输出：共 极组态特点： . .（2）U2 = 0,从E极输出:共 极组态特点： 。 。（3）U1 = 0，从C极输出：共 极组态特点： 。 .答案：（1)共射组态，有电压（反相）、电流放大能力 （2)共集组态，有电流、无电压（同相）放大能力,输入电阻高，输出电阻低 (3)共基组态,有电压（同相)、无电流放大能力，频率特性好87.固定偏流电路如图7(a）所示。已知：VCC = 12V，Rb = 280k, Rc = 3k, RL = 3 k,三极管= 50， 取 rbb= 200，UBE = 0.7V. 求:(1)静态工作点Q；（2)求电压增益 Au ; （3）假如该电路的输出波形出现如图7(b）所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真？调整电路中的哪个元件可以消除这种失真?如何调整 ？图7（b) 图7(a）答案:（1）IB0。04mA,ICIE2mA，UCE6V（1） rbe963， RL1。5 K， Au-78（2） 饱和失真，调节偏流电阻Rb,增大阻值 88。射极偏置电路如图8所示。已知: VCC = 12V，Rb1 = 2。5k， Rb2 =7。5k，Rc = 2k， Re = 1k， RL = 2k,三极管 = 30，取rbb= 300， UBE = 0。7V。求：（1）静态工作点Q；（2)电压增益Au；(3）电路输入电阻Ri和输出电阻Ro图8答案：(1）VB3V， ICIE2.3mA, IB0.077mA, UCE5.1V(2)Ri483,RoRC = 2K（3)rbe650， RL1 K, Au46.289。当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 . A。 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C。 前者正偏、后者也正偏答案:B90.试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。图T2.2 解：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 (b）可能。 (c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 (e）不能。因为输入信号被C2短路。 （f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零. (g）可能. （h）可能. （i）不能。因为T截止。 91。电路如图题6.1。2所示，所有BJT的均很大，VBE0.7V，且T2、T3特性相同,电路参数如图。问：（1）T2、T3和R组成什么电路?在电路中起什么作用?（2）电路中T1、Re1起电平移动作用，保证vi0时，vo0。求IREF、Ic3和Re1的值.解（1）T2、T3和R组成镜像电流源电路，在电路中作为 BJT T1的恒流源负载,提高带负载能力。（2)当vi0时,vo092.双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图题6。2.2所示。求解下列问题(1）若vi1=1500V。vi2=500V，求差模输人电压vid,共模输入电压vic的值;（2）若AVD100，求差模输出电压vod；(3）当输入电压为vid时，若从 C2点输出，求 vc2与vid的相位关系；（4)若输出电压vo1000 vi1999 vi2时，求电路的从AVD、Avc和 KCMR的值。 解（1）差模输人电压为共模输人电压为（2）AVD100，差模输出电压为(3）同相。（4），求AVD、AVD和KCMR所以则 93.电路如图题 6。2 。5所示，JFET的 gm2mS，rDS20 k,求：（1）双端输出时的差模电压增益AVD（vo1vo2)vid的值；（2）电路改为单端输出时，AVD1、Avc1和KCMR的值. 解（1）差模电压增益 （2)单端输出时,差模电压增益共模电压增益共模抑制比94.电路如图题6.2.7所示,已知BJT的1=2=3=50，rce=200 k，VBE=0.7 V，试求单端输出时的差模电压增益AVD2、共模抑制比KCMR、差模输人电阻Rid和输出电阻Ro。 提示:AB两端的交流电阻解 R2两端的电压为单端输出差模电压增益AB两端交流电阻为单端输出的共模电压增益共模抑制比差模输人电阻输出电阻95。电路如图题6。2.9所示，设所有BJT的20，rbe2。5K,rce200K，FET的gm4mS，其它参数如图所示。求：（1)两级放大电路的电压增益AvAv1Av2;（2）Rid和Ro；（3)第一级单端输出时的差模电压增益 、共模电压增益Avc1和共模抑制比KCMR注:源极恒流源交流等效电阻为解 （1）两级放大电路的电压增益(2）输入电阻输出电阻(3）第一级单端输出时的差模电压增益T1、T2源极恒流源交流等效电阻第一级单端输出的共模电压增益共模抑制比96。电路如图所示，晶体管的100，UBE0。7 V，饱和管压降UCES0。4 V；稳压管的稳定电压UZ4V，正向导通电压UD0.7 V，稳定电流IZ5 mA，最大稳定电流IZM25 mA.试问：(1)当uI为0 V、1。5 V、25 V时uO各为多少?（2）若Rc短路,将产生什么现象?【解题过程】（1)当uI0时，晶体管截止；稳压管的电流 在IZ和IZM之间，故uOUZ4 V。 当uI15V时，晶体管导通,基极电流 假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流 由于uOUCES0。4 V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。 值得指出的是，虽然当uI为0 V和1.5 V时uO均为4 V,但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管 工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使uO4 V；后者因晶体管工作在放大区使uO4 V,此时稳压 管因电流为零而截止。 当uI2。5 V时,晶体管导通，基极电流 假设晶体管工作在放大状态,则集电极电流 在正电源供电的情况下，uO不可能小于零，故假设不成立,说明晶体管工作在饱和状态. 实际上,也可以假设晶体管工作在饱和状态,求出临界饱和时的基极电流为 IB=0.18 mAIBS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态. （2）若Rc短路，电源电压将加在稳压管两端,使稳压管损坏.若稳压管烧断,则uOVCC12 V. 若稳压管烧成短路，则将电源短路;如果电源没有短路保护措施,则也将因输出电流过大而损坏97。电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V，=50。试分析uI为0V、1V、1。5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值.【解题过程】 （1）当VBB0时，T截止，uO12V。 （2）当VBB1V时,因为A 所以T处于放大状态。 （3）当VBB3V时，因为A 所以T处于饱和状态。98。 在T=25时,测得某晶体管的IC=4mA，IB=45，ICBO=1.若晶体管的温度系数为1%/，在T=45时,测得IB=60，这时IC=?【解题过程】 T=25时的值为 T=45时，有 故99。试问图示各电路能否实现电压放大？若不能,请指出电路中的错误.图中各电容对交流可视为短路。图（a) 图(b)图(c) 图(d)【解题过程】 图（a)电路不能实现电压放大。电路缺少集电极电阻,动态时电源相当于短路，输出端没 有交流电压信号。 图（b）电路不能实现电压放大。电路中缺少基极偏置电阻，动态时电源相当于短路，输入 交流电压信号也被短路。 图(c） 电路也不能实现电压放大。电路中晶体管发射结没有直流偏置电压，静态电流, 放大电路工作在截止状态。 图（d）电路能实现小信号电压放大。为了保证输出信号不失真(截止、饱和）,当输入信号为 正时，应不足以使三极管饱和；当输入信号为负时,应不会使三极管截止。100。 电路如图所示。设晶体管的UBE = 0。7V。试求: (1） 静态时晶体管的IBQ、ICQ、UCEQ及管子功耗PC（= ICQUCEQ)值 ；（2） 当加入峰值为15mV的正弦波输入电压ui时的输出电压交流分量uo；（3) 输入上述信号时管子的平均功耗PC（av）值，并与静态时管子的功耗比较；（4) 若将电路中的晶体管换成另一只的管子,电路还能否正常放大信号,为什么?【解题过程】 (1） (2) 由于，故 uo的峰值为27.7 mV，uo与 ui的相位相反。 (3) 管子在放大电路有信号时的功耗 可见,动态时管子的功耗有所降低. (4） 当 =150时， 可见，管子工作于饱和状态，故电路不能正常放大信号。101.在图(a）所示电路中，已知晶体管的=100，rbe=1 k；静态时UBEQ=0。7 V， UCEQ=6 V，IBQ=20 A；输入电压为20 mV；耦合电容对交流信号可视为短路。判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“，否则打“”。 (1）电路的电压放大倍数 （) (） （) （） （2）电路的输入电阻 （) （) （） （) （3）电路的输出电阻 （） （) （） （4）信号源的电压有效值 （） （）【解题过程】为了得到正确结论，可首先画出图(a）所示电路的交流等效电路，如图(b)所示；然后按各动态参 数的定义分别求解它们的数值. 由图可得,， (1)、均用静态量求解，故不正确；当电路带负载时，输出电压应为考虑了负载作用的 ，为空载时的，故也不正确。结论是：，. （2）、均用静态量求解Ri，故不正确;放大电路的输入电阻Ri是放大电路自身的参数，与信 号源内阻Rs无关，故也不正确。结论是：，。 （3）输出电阻Ro是放大电路自身的参数，与负载电阻RL无关，故不正确；用静态量求解Ro， 故也不正确。结论是:，。 (4）从图（b）可知,是在Rs和Ri回路中Ri所得的电压，故结论是：，。图(a）图(b)102.单级放大电路如图所示，已知Vcc=15V,，, 此时调到,，,晶体管饱和压降UCES为1V，晶体管的结电容可以忽略。试求： （1）静态工作点，： (2）中频电压放大倍数、输出电阻、输入电阻； (3)估计上限截止频率和下限截止频率； （4）动态范围=？输入电压最大值Ui p=？ （5)当输入电压的最大值大于Ui p时将首先出现什么失真？【相关知识】（1）共射极放大电路。 (2）放大电路的频率特性.【解题过程】（1）采用估算法求解静态工作点。由图可知 故 （2)利用微变等效电路法，求解放大电路的动态指标. （3）当电路中只有一个惯性环节时，电路的截止频率可以表示为，其中 为电容 所在回路的等效电阻. 在高频区，根据题意,晶体管的结电容可以忽略，影响电路上限截止频率的电容只有负载等效电 容.故电路的上限截止频率为 在低频区，影响下限截止频率的电容有、和.可以分别考虑输入回路电容（、）和 输出回路电容（)的影响，再综合考虑它们共同作用时对电路下限截止频率的影响。 只考虑输出