太阳能工艺流程模板.doc

苏州阿特斯阳光电力科技年产太阳能电池片200MW建设项目环境影响汇报书简本一、项目简况项目名称：苏州阿特斯阳光电力科技年产太阳能电池片200MW建设项目建设单位：苏州阿特斯阳光电力科技建设规模：年产太阳能电池片200MW建设性质：外商独资扩建建设地点：江苏省苏州高新区鹿山路199号厂区二期厂房预留车间内（一楼）投资总额9980万美元占地面积：总占地66660m2（本项目车间5000m2），总绿化面积19205m2（不变）二、现有项目情况1、现有建设项目主体工程及产品方案现有建设项目主体工程及产品方案序号工程名称（车间、生产装置或生产线）产品名称及规格设计能力年运行时数1太阳能电池片多晶硅有铬生产线（6条线）太阳能电池片100MW/a48002太阳能电池片单晶硅无铬生产线（4条线）太阳能电池片100MW/a3太阳能电池组件组装线（6条线）太阳能电池组件100MW/a（6条线）*现有一期项目申报并经过审批100MW/a太阳能电池组件组装项目现在还未建设、生产，并将取消该项目，以后也不再建设、生产；2、现有项目公用配套工程现有项目公用配套工程一览表项目建设名称设计能力备注贮运工程原料等由供给商负责送货汽车（8t/d）产品由本单位用专车辆负责送货汽车（5t/d）公用工程给水、排水、供热、供汽、供气、供电、绿化等输送最大管径25cm雨污分流变压器最大输送500KVA由高新区统一供水1200万度/年由高新区统一供电绿化23685平方米厂房施工时实施环境保护工程废气处理酸碱雾洗涤塔4套（4个15米排气筒）一期项目已建设实施（8个排气筒）硅烷燃烧塔3套（3个15米排气筒）活性炭吸附塔1套（1个15米排气筒）酸碱废气洗涤塔处理系统1套（1个25米排气筒）二期扩建项目已建设实施（5个排气筒）铬酸雾废气洗涤+塔处理系统1套（1个25米排气筒）有机废气活性炭吸附系统1套（1个20米排气筒）硅烷燃烧塔1套（1个20米排气筒）多孔碳酸钙+活性炭吸附塔1套（1个25米排气筒）制纯水设施膜过滤纯水设施（设计规模100t/h）一期项目已建设实施膜过滤制纯水设施（设计规模200t/h）二期扩建项目已建设实施废水处理酸碱废水处理+混凝沉淀系统（设计规模100t/h）一期项目已建设实施酸性废水处理+混凝沉淀系统（设计规模200t/h）二期扩建项目已建设实施含氢氟酸废水处理设施（设计规模50t/h）含铬酸废水处理设施（设计规模50t/h）废水（尾水）后续处理系统（设计规模200t/h）固废处理零排放有资质单位回收处理不产生二次污染危废临时贮存场所50一、二期项目共建实施通常工业固废贮存场所50成品仓库100通常原料仓库100气罐区30危险品仓库100噪声隔音设施、合理布局、厂界绿化隔音已实施辅助工程办公建筑面积1174m2已实施用餐地点面积100m2门卫室1个依靠工程苏州新区第二污水处理厂设计日处理8万吨/天，一期4万吨/天，运行稳定3、现有（一期）项目生产工艺步骤简述及产污步骤（1）一期项目工艺步骤硅片腐蚀（制绒）、制纯水废水579.62清损耗6.262洗96.3自来水硅片甩干硅片扩散去硅玻璃硅片甩干加减反射膜硅片后面印刷银铝浆W3 清排水烘干硅片后面印刷铝浆烘干硅片正面印刷银浆烧结刻蚀太阳能电池片纯水、N2POCl3、N2、O2纯水、HF纯水、N2SiH4、NH3、N2银铝浆铝浆银浆CF4、O2G1 HCl、HF、H2、异丙醇W1含 HF、HCl废水；W2含NaOH废水S1 含碱、异丙醇废液W3 清排水W5 清排水G2 Cl2、P2O5G4 HF、SiF4W4含 HF废水G5 NH3、SiH4S2 少许废铝浆G6 少许有机物S3 少许废铝浆G7 少许有机物S4 少许废银浆G8 有机物 G3 CF4、SiF4NaOH、异丙醇、HCl、HF、纯水委外加工单晶硅片（单晶电池片）现有项目生产工艺步骤图（一期项目）一期项目关键工序步骤简述：1.硅片腐蚀(制绒)、清洗:P型单晶硅薄片，经碱腐蚀清洗烘干，制绒关键是使用碱性溶液腐蚀硅表面形成绒面。清洗关键是处理制绒后硅片表面，使其净化，用氢氟酸清洗残留碱性物质，接着用盐酸去除表面残留物质，最终再用纯水清洗。此过程有废气产生，废气中含有HCl、HF、H2；此工序还有碱性废水、酸性废水产生，碱性废水中关键含有氢氧化钠，酸性废水中关键含盐酸、氢氟酸；另外在碱腐蚀过程还会有碱性废液产生，其中含有较高浓度异丙醇。碱腐蚀反应方程式为：2NaOH+Si+H2O=NaSiO3+2H22.硅片扩散：硅片扩散也称磷扩散，是在氧气存在条件下，磷源分解在硅中扩散而形成P-N结，POCl3为电子级纯度，在过程中所起作用是为扩散提供磷源，各反应化学式以下：5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2所以硅片扩散工序,有废气产生，该废气成份有P2O5、Cl2等。3.刻蚀：关键是去除边缘N型硅，此工序为干法刻蚀，关键是利用四氟化碳和硅和氧气反应来去除边缘硅，其化学反应式为：CF4+Si+O2=SiF4+CO2所以此工序有未反应完全四氟化碳和反应生成四氟化硅气体逸出。4.去硅玻璃（PSG）：关键是用氢氟酸腐蚀硅片表面氧化层，即清除硅片表面SiO2层，反应生成为微量SiF4和H2SiF62-少许络合物，其一起进入酸性废水处理。所以此工序会有少许氢氟酸和四氟化硅挥发。5.加减反射膜：利用硅烷、氨气之间反应在硅片表面形成一层加减反射膜，N2不发生反应，作为保护气体，此工序会有少许氨气和硅烷挥发。6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆)：使用浆料印刷电极，使之形成良好接触,搜集电流。关键是使用银浆，铝浆，银铝浆，通常由金属粉末和有机溶剂和固体树脂组成，经过烧结后有机溶剂和固体树脂全部被挥发，剩下金属和硅形成合金层。7烧结烧结工序关键是将印刷好银浆、铝浆、银铝浆电极放入烧结炉中，使浆料中水分、树脂及一些有机物挥发出来。烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。（2）二期扩建项目工艺步骤（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4P2O5委外加工多晶硅片G1铬酸雾、HFG2 HCl、HF、异丙醇W1含铬、HF废水W2 HF、HCl废水S1 含铬、异丙醇废液三氧化铬、HF、纯水异丙醇、HCl烧结S4 少许废银浆银浆G9少许有机物S3 少许废铝浆铝浆G8 少许有机物S2 少许废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W5 清排水纯水、N2G6 HF、SiF4W4含 HF废水纯水、HFG5 CF4、SiF4CF4、O2POCl3、N2、O2W3 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片后面印刷铝浆烘干硅片后面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗二期扩建项目关键工序步骤简述1.硅片腐蚀(制绒)、清洗：二期扩建项目使用原材料为P型多晶硅薄片，使用碱腐蚀已无法满足产品质量需求，所以本扩建项目使用铬酸腐蚀硅表面形成绒面（使用浓度约在1.25%）。清洗关键是处理制绒后硅片表面，使其净化，用氢氟酸清洗残留碱性物质，接着用盐酸去除表面残留物质，最终再用纯水清洗。此过程有废气产生，废气中含有铬酸雾、HCl、HF、H2；此工序还有含铬废水、含氟废水、酸性废水产生，同时产生一定废液，其中含有较高浓度异丙醇。2.硅片扩散：硅片扩散也称磷扩散，是在氧气存在条件下，磷源分解在硅中扩散而形成P-N结，POCl3为电子级纯度，在过程中所起作用是为扩散提供磷源，各反应化学式以下：5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2所以硅片扩散工序,有废气产生，该废气成份有P2O5、Cl2等。3.刻蚀：关键是去除边缘N型硅，此工序为干法刻蚀，关键是利用四氟化碳和硅和氧气反应来去除边缘硅，其化学反应式为：CF4+Si+O2=SiF4+CO2所以此工序有未反应完全四氟化碳和反应生成四氟化硅气体逸出。4.去硅玻璃（PSG）：关键是用氢氟酸腐蚀硅片表面氧化层，即清除硅片表面SiO2层，反应生成为为微量SiF4和H2SiF62-少许络合物，其一起进入酸性废水处理。所以此工序会有少许氢氟酸和四氟化硅挥发。5.加减反射膜：利用硅烷、氨气之间反应在硅片表面形成一层加减反射膜，N2不发生反应，作为保护气体，此工序会有少许氨气和硅烷挥发。6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆)：使用浆料印刷电极，使之形成良好接触,搜集电流。关键是使用银浆，铝浆，银铝浆，通常由金属粉末和有机溶剂和固体树脂组成，经过烧结后有机溶剂和固体树脂全部被挥发，剩下金属和硅形成合金层。7烧结烧结工序关键是将印刷好银浆、铝浆、银铝浆电极放入烧结炉中，使浆料中水分、树脂及一些有机物挥发出来。烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。4、现有项目污染物排放“三本帐”现有项目污染物“三本帐”一览表（一期+二期）类别项目一期（已建）二期（在建）企业现在排放总量t/a核准总量t/a排放总量t/a核准总量t/a排放总量t/a核准总量t/a废气铬酸雾000.0120.0120.0120.012氟化物（F）0.064*0.4070.4070.4070.471*0.471HCl0.360.360.360.360.720.72异丙醇0.04*0.20.20.20.204*0.204Cl20.1150.115011501150.230.23P2O50.2930.2930.2930.2930.5860.586NH30.7150.7150.5710.5711.431.43SiH400.00420.00420.00420.00420.0042TVOC0.6910.6910.6910.6911.3821.382废水废水量34.86万34.86万19.30278万19.30278万54.16278万54.16278万COD36.5236.5226.52326.52363.04363.043SS11.8411.8411.1511.1522.9922.99NH3-N0.540.540.810.811.351.35TP0.1080.1080.1630.1630.270.27氟化物1.291.290.4990.4991.7891.789六价铬000.030.030.030.03总铬000.060.060.060.06固废危险固废000000通常工业固废000000生活垃圾000000*氟化物、异丙醇因为在一期项目“三同时”验收时未检出，所以根据检出限二分之一计算其排放量；5、现有项目环境保护验收情况1、现有苏州阿特斯阳光电力科技年产太阳能电池片100MW、太阳能电池组建100MW新建项目（一期项目）已于经过苏州市环境保护局环境保护“三同时”完工验收（见苏环验【】184号）。2、苏州阿特斯阳光电力科技年产太阳能电池片100MW二期扩建项目现在正在进行试生产。依据企业介绍及现场勘查情况，现在该项目各项环境保护治理方法已全部到位，现已委托进行验收监测。3、在该试生产期间，建设单位中水回用水量达成60t/h，已满足环评批复（苏环建【】415号）要求60%中水回用率。4、现有一期项目在后续生产过程中将4条无铬生产线中1条改变至有铬生产线，在后续二期扩建过程中已将6条有铬生产线中1条改变至无铬生产线，建设单位从而已满足环境保护主管部门环评批复对建设单位生产线设置要求。6、现有项目关键存在环境保护问题a. 未根据江苏省排污口设置及规范整改管理措施（苏环控【1997】122号）要求规范排污口标志牌；b. 需深入完善事故应急预案和应急方法；三、本项目工程分析1、本项目主体工程及产品方案建设项目（技改、扩建项目）主体工程及产品方案序号工程名称（车间、生产装置或生产线）产品名称及规格设计能力年运行时数扩建前扩建后增量1太阳能电池片多晶硅有铬生产线（6条线）太阳能电池片100MW/a（6条线）260MW/a（10条线）160MW/a（4条线）4800太阳能电池片单晶硅无铬生产线（4条线）太阳能电池片100MW/a（4条线）100MW/a（4条线）048002太阳能电池片多晶硅无铬生产线（4条线）太阳能电池片040MW/a（1条线）40MW/a（1条线） 48002、本项目公用配套工程本项目公用配套工程一览表项目建设名称设计能力备注贮运工程原料等由供给商负责送货按实际情况贮运产品由本单位用专车辆负责送货公用工程排水雨污分流厂房建设实施给水输送最大管径25cm由高新区统一供水供电变压器最大输送500KVA由高新区统一供电绿化不变厂房施工时已实施纯水设施膜过滤（设计规模200t/h）依靠二期扩建项目设施含N废水膜过滤纯水设施1套（100t/d）新建，委托专门单位设计施工“三同时”实施含P废水膜过滤纯水设施1套(10t/d)环境保护、辅助工程废气处理酸碱废气洗涤塔处理系统1套新建，委托专门单位设计施工“三同时”实施铬酸雾废气洗涤塔处理系统1套有机废气活性炭吸附系统1套硅烷燃烧塔1套含N废气洗涤塔1套含P废气洗涤塔1套废水处理酸碱废水处理+混凝沉淀系统1套（设计规模200t/h）依靠一、二期扩建项目设施含氢氟酸废水处理设施1套（设计规模50t/h）含铬酸废水处理设施1套（设计规模50t/h）废水（尾水）深度处理系统1套（设计规模200t/h）含磷废水处理系统（10t/d）新建，委托专门单位设计施工“三同时”实施含氮废水处理系统（100t/d）噪声治理噪音隔音设施、合理布局、厂界绿化隔音新建，“三同时”实施固废处理零排放由资质单位回收处理不产生二次污染危废临时贮存场所50依靠一、二期项目已建设施通常工业固废贮存场所50成品仓库100通常原料仓库100气罐区30危险品仓库100办公建筑面积1174m2用餐地点面积100m2门卫室1个废水事故及消防应急共用池4000m31个依靠工程苏州新区第二污水处理厂设计日处理8万吨/天，一期4万吨/天，运行稳定3、本项目生产工艺步骤及简述（1）含铬多晶硅生产工艺步骤W3清排水W4 含磷废水G6 CF4、SiF4 S3 含CF4废液G7 HF、SiF4W5 含HF废水太阳能电池片洗涤塔1纯含P废水2水回用循环量240纯水设备纯0.352水1321.564苏制纯水废水579.62州损耗6制纯水废水579.62.损耗6.26296.3G1铬酸雾G2 HClG3 HFW1含铬、HF、HCl废水S1 含盐酸、氢氟酸、铬酸废液三氧化铬、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G11 有机物G4 Cl2 G5 P2O5委外加工多晶硅片烧结S6 少许废银浆银浆G10 少许有机物S5 少许废铝浆铝浆G9 少许有机物S4 少许废铝银浆银铝浆G8 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W6 清排水纯水、N2HF、纯水CF4、O2POCl3、N2、O2W2 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片后面印刷铝浆烘干硅片后面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗本项目有铬生产工艺步骤图简述：因为本项目有铬生产线在工艺、设备上基础和现有项目同相，只有在原辅料上不在使用异丙醇（经工艺探索可不用该异丙醇，不会影响产品品质），所以本项目有铬生产线工艺简述可见本汇报书现有项目有铬生产线工艺简述。（2）无铬多晶硅生产工艺步骤G5 酸雾（NOx）、HF、硫酸雾、SiF4W6 含（N）、HF酸性废水W7 碱性废水G6 HFW7 酸性（HF）废水空气1、HNO3、HF、H2SO4、纯水2、KOH、纯水3、HF、纯水去硅玻璃S2 含磷废液W5 含磷废水纯水、HFW4 清排水G1 酸雾（NOx）、HFG2 HCl、HF W1含（N）、HF废水W2 碱性废水W3 含酸（HF、HCl）废水S1 含硝酸、氢氟酸、盐酸废液纯水空气1、HNO3、HF、纯水2、KOH、纯水3、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4 P2O5委外加工多晶硅片烧结S5 少许废银浆银浆G9少许有机物S4 少许废铝浆铝浆G8 少许有机物S3 少许废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2POCl3、N2、O2硅片正面印刷银浆烘干硅片后面印刷铝浆烘干硅片后面印刷银铝浆加减反射膜干燥硅片扩散干燥硅片腐蚀（制绒）清洗本项目无铬生产工艺步骤图简述：本工艺为无铬多晶硅工艺，是现在较优异工艺，无重金属污染问题，具体以下：1.硅片腐蚀(制绒)、清洗：本项目使用原材料为P（硅片类型）型多晶硅薄片，使用硝酸、氢氟酸、盐酸混合酸（按一定百分比配比）腐蚀硅表面形成绒面。喷淋清洗处理制绒后硅片表面，使其净化；然后再用氢氧化钾（浓度65%）腐蚀并喷淋清洗，接着用氢氟酸、盐酸混合酸（按一定百分比配比）去除表面残留物质，最终再用纯水喷淋清洗。此过程有废气产生，废气中含有氮氧化物、硫酸雾、HCl、HF、H2；此工序还有含N废水、含氟废水、酸性废水产生，同时产生一定废液。经以上清洗后进行空气干燥。2.硅片扩散：硅片扩散也称磷扩散，是在氧气存在条件下，磷源分解在硅中扩散而形成P-N结，POCl3为电子级纯度，在过程中所起作用是为扩散提供磷源，各反应化学式以下：5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2所以硅片扩散工序,有废气产生，该废气成份有P2O5、Cl2等。3.去硅玻璃：本工艺分为三段腐蚀，先用硝酸、氢氟酸、硫酸混合酸（按一定百分比配比）腐蚀硅片表面氧化层，再用纯水喷淋清洗，再用氢氧化钾（浓度45%）腐蚀后纯水喷淋清洗，最终用氢氟酸、硫酸混合酸（按一定百分比配比）腐蚀后纯水喷淋清洗，以上工序为清除硅片表面SiO2层，反应生成为为微量SiF4和H2SiF62-少许络合物，以上清洗废水分别进入含N废水处理设施处理及酸碱废水处理设施处理。所以此工序会有少许氮氧化物、硫酸雾、HCl、HF和四氟化硅挥发。5.加减反射膜：利用硅烷、氨气之间反应在硅片表面形成一层加减反射膜，N2不发生反应，作为保护气体，此工序会有少许氨气和硅烷挥发。6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆)：使用浆料印刷电极，使之形成良好接触,搜集电流。关键是使用银浆，铝浆，银铝浆，通常由金属粉末和有机溶剂和固体树脂组成，经过烧结后有机溶剂和固体树脂全部被挥发，剩下金属和硅形成合金层。7烧结烧结工序关键是将印刷好银浆、铝浆、银铝浆电极放入烧结炉中，使浆料中水分、树脂及一些有机物挥发出来。烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。4、资源及能源消耗本项目原辅材料及能源序号原辅料名称年耗量1原料硅片（Si）900t（约7200万片）2辅料氮气(99.99%)690t（约85万m3）3硅烷(99.999%)2800kg4氨气(99.999%)2040kg5CF4(99.999%)6.048t（约3760m3）6氧气(99.99%)142.856t(约12.5万m3）7三氯氧磷（99%）3.92t（约2333m3）8银浆4200kg9铝浆54000kg10银铝浆4200kg11盐酸（36%）134.568t12氢氟酸（40%分析纯）449.1488t13三氧化铬（99.5%）91.2t14硝酸（65%分析纯）365.04t15氢氧化钾（45%分析纯）30.12t16硫酸（98%工业级）2.52t17水处理药剂聚合氯化铝（工业级、固体）25吨18高分子混凝剂（工业级、固体）0.3吨19氢氧化钠(90%工业级、固体)16吨19CaCl2(70%工业级)13吨20能源水26.37万21电1200万度5、关键生产设备、公用及贮运设备本项目关键设备表序号设备名称规格（型号）数量备注1生产设备有铬线扩散前清洗机/8台新增2扩散炉/4台3扩散后清洗机/4台4PECVD镀膜机SLPC-71HR44台5等离子刻蚀机M4220016台6丝网印刷机J1762CLD/CUL4台7烧结炉PVD-6004台8甩干机/8台9无铬线扩散前清洗机/1台10扩散炉/1台11扩散后清洗机/1台12PECVD镀膜机/1台13丝网印刷机/1台14烧结炉/1台15辅助设备冷冻机/2台新增16空压机/6台17组合式空调净化系统0-20T4套18通风系统（风机）4套为备用48套19水泵/10台20氮气、氧气储罐氧气20m31个依靠21氮气20m31个22膜过滤制纯水设施设计能力200t/h1套23含N废水膜过滤纯水设施100t/d1套新增24含P废水膜过滤纯水设施10t/d1套26环境保护设备酸性废水处理+混凝沉淀系统设计能力200t/h1套依靠27含氢氟酸废水处理设施设计能力50t/h1套28含铬酸废水处理设施设计能力50t/h1套29废水（尾水）深度处理系统（中水回用）设计能力200t/h1套30含N废水处理系统（回用）100t/d1套新建31含P废水处理系统（回用）10t/d1套32含铬酸雾废气洗涤塔处理系统设计风量70000m3/h1套新建33酸性废气洗涤塔处理系统设计风量70000m3/h1套34含N废气洗涤塔设计风量70000m3/h1套35含P废气洗涤塔设计风量70000m3/h1套36有机废气活性炭纤维吸附系统风量40000m3/h1套37硅烷燃烧风量6400m3/h1套38噪音隔音设施/4套6、污染源强及污染物排放量分析（1）本项目标废气产生情况本项目废气产生情况一览表废气类别排气筒编号关键污染因子产生步骤防治方法有组织排放废气工艺废气G14铬酸雾有铬线腐蚀（制绒）铬酸雾洗涤+高空集中25m高排气筒排放G15氟化物、HCl、Cl2、CF4、SiF4、硫酸雾腐蚀（制绒）、硅片扩散、去硅玻璃洗涤塔+高空集中25m高排气筒排放G16P2O5硅片扩散洗涤塔+高空集中25m高排气筒排放G17NOx无铬线腐蚀（制绒）、去硅玻璃洗涤塔+高空集中25m高排气筒排放G18SiH4、NH3加减反射膜硅烷燃烧+高空集中25m高排气筒排放G19挥发性有机废气（TVOC）印刷、烘干活性炭纤维+高空集中25m高排气筒排放无组织排放废气-铬酸雾、氟化物、硫酸雾、HCl、Cl2、P2O5、NH3、SiH4、TVOC等未搜集废气及化学品仓库无组织排放本项目废气产生排放情况一览表废气类型废气量m3/h污染因子产生浓度（mg/m3）产生速率（kg/h）处理方案处理效率排放浓度（mg/m3）排放速率（kg/h）工艺废气G1470000铬酸雾0.120.008铬酸雾洗涤塔90%0.0120.0008工艺废气G570000氟化物25.51.7857洗涤塔98.6%0.3570.025HCl7.590.531380%3.120.10626硫酸雾0.40.02860%0.160.0112Cl21.20.08440%0.720.0504工艺废气G1670000P2O52.4660.1726洗涤塔40%1.480.10356工艺废气G1770000NOx12.7380.892洗涤塔80%5.0950.1784工艺废气G1840000NH378.623.1448硅烷燃烧95%7.8620.15724SiH40.92080.036895%0.0460.00184有机废气G196400TVOC461.82.955活性炭纤维90%46.180.2955废气类型废气量m3/h污染因子产生量（t/a）处理方案处理效率排放量（t/a）无组织排放废气（车间+化学品库）-铬酸雾0.0002-0.0002氟化物0.0060.006HCl0.0260.026硫酸雾0.00280.0028NOx0.00450.0045P2O50.00260.0026Cl20.0120.012NH30.0390.039SiH40.000460.00046TVOC0.0740.074注：车间有机废气未搜集排放量以5%计；化学品原料仓库挥发量按万分之一计；（2）本项目标废谁产生情况本项目废水产生情况一览表(t/a)编号名称产生量pHCODCrmg/lSSmg/lNH3-Nmg/lTPmg/lFmg/l六价铬mg/lW1含铬废水800963-5100250/50W2含氟废水1202453-550250/150/W3含N废水188823-510050500/100/W4含P废水20463-510050/300/W5酸碱废水1049872-1410070/W6生活污水16-9400200204/W7工艺甩干水、制纯水废水（清下水）3263646-94030/废水总排口排放指标表(t/a) 编号名称排放量pHCODCrmg/lSSmg/lNH3-Nmg/lTPmg/lFmg/l六价铬mg/l总铬mg/l1工业废水125222.46-9 6820/30.130.262生活污水1直接排入市政污水管网2清下水326364入清下水管网（3）固废本项目固体废弃物产生情况一览表t/a名称产生量类别危废编号废银浆、废铝浆、废银铝浆0.17危险废物（HW42）废酸液877.429644危险废物（HW34）含铬废液115.78352危险废物（HW21/42）废碱液15.256危险废物（HW35）含铬废水处理污泥（饼）64危险废物（HW21）废活性炭纤维4危险废物（HW42）含氮浓水3776.4危险废物（HW34）总混合废水处理污泥（饼）576通常废物99废制纯水膜3.2通常废物99废包装材料8通常废物99生活垃圾150通常废物99危险废物委托有资质单位进行回收处理，通常工业废物由专门单位回收处理，生活垃圾则委托新区环境卫生管理部门妥善处理。（4）噪音本项目关键噪声源源强表编号噪声源名称源强dB (A)数量声源所在位置1PECVD镀膜机75855车间内2清洗机758014车间内3冷冻机75802车间内4水处理设施泵758510车间外5风机758548车间外为降低噪声污染，企业将经过选择低噪声设备，采取一系列噪声污染控制方法等方法来降低噪音。如为高噪声设备配置隔声罩，厂界墙体、绿化隔音，厂界噪声能够达成工业企业厂界环境噪声排放标准（GB12348-）3类标准要求。7、本项目实施后污染物“三本帐”本项目实施后污染物 “三本帐”污染物种类污染物名称现有项目排放量t/a本项目“以新带老”消减量*t/a排放总量t/a排放增减量t/a产生量t/a削减量t/a排放量t/a废气铬酸雾0.0120.03840.034560.0038400.015840.00384氟化物0.471*8.5718.4510.1200.5910.12HCl0.722.552.040.5101.230.51异丙醇0.204*00000.204*0硫酸雾00.1340.076640.0537600.053760.05376Cl20.230.40320.161280.2419200.471920.24192P2O50.5860.8280.3310.49701.0830.497NOx04.28163.42560.85600.8560.856NH31.4315.09514.340.75502.1850.755SiH40.00420.17660.16780.008800.0130.0088TVOC1.38214.37612.93841.437602.81961.4376废水废水量54.1627833.825620.1033613.7222414.453.48503-6.7775CODcr63.04331.4133518.0983513.31514.461.958-1.085SS22.9961.431956.52794.9044.3223.5740.584NH3-N1.359.6819.4410.240.1441.4460.096TP0.270.66180.61380.0480.04320.27480.0048F1.78919.9249519.548950.3760.4321.733-0.056总铬0.060-0.0160.0320.02880.06320.0032六价铬0.034.00483.98880.0160.01440.03160.0016固体废弃物危险废物04853.044853.040000通常固废0587.2587.20000生活垃圾01501500000*氟化物、异丙醇因为在一期项目“三同时”验收时未检出，所以根据检出限二分之一计算其排放量；废水“以新带老”消减量中各污染物浓度在一期项目验收监测数据基础上核实；8、环境保护方法投资环境保护方