In_2O_3纳米材料的制备及研究现状_穆丹.pdf

综述与专论合成纤维工业，2023，46(2):50CHINASYNTHETICFIBEINDUSTY收稿日期:2022-04-07;修改稿收到日期:2022-12-08。作者简介:穆丹(1999)，女，硕士研究生。主要从事静电纺无机纳米材料的研究。E-mail:1263849808 qqcom。基金项目:国家自然科学基金项目(52202110);西安市科技计划先进制造业技术攻关项目(21XJZZ0012);陕西省重点研发计划项目(2022SF-201)。*通信联系人。E-mail:maoxue xpueducn。In2O3纳米材料的制备及研究现状穆丹1，2，濮从政1，2，郝栋连1，2，张坤1，2，毛雪1，2*(1西安工程大学 纺织科学与工程学院，陕西 西安 710048;2西安工程大学功能性纺织材料及制品教育部重点实验室，陕西 西安 710048)摘要:综述了近年来氧化铟(In2O3)纳米材料的制备工艺及研究现状，并对其发展进行了展望。In2O3纳米材料制备方法主要包括溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、模板法、水热法及静电纺丝法等，其中溶胶-凝胶法因其制备周期长、过程复杂而逐步被新技术取代;化学气相沉积法和模板法均存在原料成本高的问题;水热法对于参数调控较多，实验可重复性低;静电纺丝法可制备多种形态的 In2O3纳米材料，但产品强度低、独立使用性不高，无法大规模生产。In2O3作为优异的半导体材料，在气体传感器、太阳能电池及光催化领域具有良好的应用前景。在未来 In2O3纳米材料的发展中，可从新型结构设计及满足独立使用方面进一步探索。关键词:半导体材料氧化铟纳米材料制备方法应用中图分类号:TQ342+89文献标识码:A文章编号:1001-0041(2023)02-0050-05氧化铟作为一种典型半导体功能性氧化物，其最稳定的存在形式为三氧化二铟(In2O3)，该氧化物为白色或淡黄色粉末状，具有较高的熔点(2 000)，不溶于水，但易溶于热酸和浓碱，其晶体存在形式为立方晶型和六方晶型，其中较常见且稳定的晶体结构为立方晶型1。目前 In2O3无法从自然界直接获取，通常采用化学合成法实现高纯度工业化制备，按其合成原理可将制备方法分为两类:一种是利用金属铟在空气中燃烧，通过控制还原条件制得;另一种是将铟盐(包括硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟等)在空气中进行高温煅烧制得。In2O3纳米材料广泛应用于气体传感器、太阳能电池及光催化等领域。常见的 In2O3纳米材料包括纳米粉体、纳米线、纳米棒和纳米膜等2，其制备方法也不尽相同，目前使用较广泛的有溶胶凝胶法34、化学沉积法5、模板法6、水热法7、静电纺丝法810，应用范围较小的方法如热蒸发法11、脉冲激光法12、碳热还原法13 及电场诱导法14。作者综述了近年来 In2O3纳米材料的制备方法及应用方向，着重叙述了该材料的常用制备方法，以及氧化铟纳米材料在气体传感器、太阳能电池和光催化领域的应用性能，并展望了其未来研究方向。1In2O3纳米材料的制备11溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种合成纳米材料的有效方法，被广泛用于 In2O3纳米材料的制备15。GNEI 等16 通过非水溶胶-凝胶法制备平均直径为 20 mm 的掺杂铂(Pt)质量分数为 1%的 Pt/In2O3基氧传感器，与当时最先进的器件相比，表现出了更高的传感性能。SMOHAMMADI 等17 将三氯化铟、二氯化锡及五氯化铌作为前驱体，利用溶胶-凝胶法成功制备了掺杂不同浓度铌(Nb)的氧化铟锡纳米薄膜，与未掺杂 Nb 的薄膜进行对比，平均粗糙度从 1023 nm 降低到 482 nm，Nb的引入使得薄膜表面更加致密且粗糙度显著减小。溶胶-凝胶法早期被广泛应用于 In2O3纳米材料的制备，但该方法因制作周期长、过程复杂等局限性逐渐被研究人员以新型纳米材料制备技术所取代。12化学气相沉积法化学气相沉积(CVD)法是一种通过蒸发使材料气化，并在一定条件下沉积到基底上的制备In2O3纳米材料的方法，主要分为气-液-固和气-固两种制备方式18。MKAIM 等19 在氩气气氛下，以金属铟(In)作为起始原料通过低压 CVD法在钇稳定氧化锆(YSZ)的衬底上生长具有多方向取向的宽带隙半导体 In2O3薄膜，在 121 018cm3的载流子浓度下，具有 97 cm2/(vs)的室温霍尔迁移率，可以潜在应用于电子或光电子器件中。JIA H B 等20 通过在镀镍硅衬底上将 In 颗粒及高纯度的 In2O3粉末沉积形成 In2O3锥体，锥体的均匀性良好，有望应用于平板显示器中。CVD 法可制作出纯度很高且性能优异的 In2O3纳米材料，但存在原料成本高、能源消耗大等问题，仍需进一步改进与发展。13模板法模板法是一种可灵活控制材料尺寸及其形貌的纳米材料制备方法2122，目前采用该方法已制备出多种形貌的 In2O3纳米材料。YIN W 等23 通过十六烷基三甲基溴化铵和络合剂醋酸钠制备了氮掺杂的 In2O3纳米材料，包括纳米棒、椭圆形纳米结构材料，这种纳米结构材料的光电特性十分优越，在 350 nm 波长激发下，上述材料的光致发光光谱显示出从蓝光到红光的类似发射峰，在光电子设备中具有潜在的应用价值。ZAI J T等24 通过模板法将三氯化铟与二水合柠檬酸三钠混合搅拌形成氢氧化铟纳米结构，对其进行退火可以获得具有良好分散性的 In2O3纳米球，该纳米球对 50 mg/L 的乙醇气体响应时间和回收时间分别达到 17 s 和 13 s，在传感器选择性检测领域具有明显的应用优势。模板法制备 In2O3纳米材料需要在后期去除模板，因此选择性能优异且成本较低的模板至关重要。14水热法水热法是在高温高压下以水或溶剂作为介质用于合成金属纳米材料的方法2526，最早是地质学家在研究地矿的成型过程中意外发现。JIANGH 等27 在 N，N-二甲基甲酰胺存在下通过水热法合成碳-氢氧化氧铟，从最初形成的碳球包裹外层逐渐定向聚集成纳米棒，最终经过煅烧形成 In2O3纳米空心球，该纳米空心球对浓度低至 10 mg/L的乙醇灵敏度也可达 224，在气体传感器方面表现出良好的应用前景。MAMKHAN 等28 通过将乙酸铟和氢氧化钠分别溶解在无水乙醇中，制备出了不同含量锌掺杂的 In2O3纳米颗粒，发现上述纳米颗粒均为高度结晶的纯立方晶相，可作为环境友好型光催化剂应用于工业废水的有效处理。MA H N 等29 通过水热法和热处理法，获得了在叉指电极衬底上直接生长的胡桃状 In2O3纳米结构材料，单个胡桃状结构由很少的凹痕和棱柱组成，可用这种纳米材料制成具有超高灵敏度的传感器。水热法仅适用于含有溶剂的制备体系，具有一定的局限性，同时该方法制备过程中涉及调控参数较多，使得制备的纳米材料结构稳定性较差，实验重复性较低。15静电纺丝法静电纺丝法工艺简单、耗时短且成本较低，近年来被广泛应用于制备 In2O3纳米材料，其制备工艺流程为:(1)配置前驱体溶液;(2)设定合适参数对前驱体溶液进行静电纺丝;(3)高温去除有机组分形成 In2O3纳米管、纳米粒子、纳米膜等。I J S 等30 通过静电纺丝和碳模板诱导掺杂的方法成功制备了锡掺杂的 In2O3纳米纤维，锡掺杂在 In2O3表面，引入了大量氧空位，氧空位可显著提高电子电导率，为二氧化氮提供活性位点，从而产生气敏特性。NIE Q X 等31 通过静电纺丝法采用硝酸铟/聚乙烯吡咯烷酮制备了中空结构的 In2O3纳米纤维，再通过原位聚合制备不同氧化铟/聚苯胺(In2O3/PANI)质量比的 In2O3/PANI 纳米纤维，发现质量比为 12 的 In2O3/PANI 纳米纤维传感器在室温下传感性能最好，对10 mg/L 的氨气蒸气灵敏度为 094。LUO Y B等32 通过静电纺丝得到了掺杂氧化镍和氧化钯的 In2O3纳米管，由上述材料制成的氢气传感器在 160 的工作温度下具有超高响应、快速响应时间及高选择性。SONG L F 等33 采用静电纺丝法制成 In2O3复合纤维，通过改变锶元素添加比例对复合纤维的载流电子浓度进行有效调控，从而有效改善其在电子器件中的应用性能。静电纺丝法具有工艺简单、耗时短的特点，但所制成产品需要依附于载体，不能独立使用，难以实现性能的高效化利用。16其他方法制备 In2O3纳米材料的方法有很多，但因其使用范围较小不被人们熟知，如碳热还原法、热蒸发法、电场诱导法、脉冲激光法。WU X C 等34 通过碳热还原反应将 In2O3和活性炭在 900 合成了直径为 20200 nm 的 In2O3纳米线，该纳米线可以在 416 nm 和 435 nm 发射稳定和高亮度的蓝光。PAN Z W 等35 采用热蒸发法在 1 400 通过蒸发 In2O3粉末成功合成 In2O3纳米带，所得产物的结构稳定、均一且纯度较高，可用于单个纳米带构建功能器件。LI S Q 等36 采用了电场诱导15第 2 期穆丹等In2O3纳米材料的制备及研究现状的方法通过等离子体鞘层中的电场，在砷化铟衬底上生长出垂直排列且直径小于 10 nm 的单晶In2O3纳米线。LI C 等37 使用脉冲激光烧蚀的技术生产出了尺寸可控的 In2O3纳米线。上述In2O3纳米材料的制备方法因应用范围小逐步被其他制备方法取代。2In2O3纳米材料的应用In2O3是一种优异的 n 型透明半导体功能材料，具有灵敏度高、电阻率小、电导率良好、催化活性高、带隙宽度较宽的特点，在气体传感器、太阳能电池和光催化领域表现出了良好的竞争力。21气体传感器In2O3以电阻相对较低且易于合成、稳定性好、灵敏度高、响应速度快，成为了最具有潜力的传感器材料之一。CHEN F 等38 通过水热法合成的具有多孔超薄二维花状结构的 In2O3纳米片对丙酮表现出极快的响应速度(约 2 s)，在丙酮传感器中具有良好的使用前景。WANG J 等39 为提高材料传感性能，合成了钌掺杂 In2O3超薄纳米片，该传感器在 120 时传感响应度最高，其值可高达 1289，是纯 In2O3传感器的 39 倍。TAOK 等40 通过铟基金属有机框架前驱体热分解成功制备了多孔 In2O3空心纳米棒，该纳米结构在200 下对乙醇表现出高灵敏的反应特性，可潜在应用于乙醇气体传感器中。TIAN J M 等41 通过静电纺丝成功制备了聚甲醛掺杂的 In2O3复合纳米纤维，基于该复合纤维膜的传感器在甲醛浓度为 100 mg/L 时传感响应可达 182，比纯 In2O3传感器高出 26%，展现出良好的应用潜力。22太阳能电池能量的储存使用一直是人们致力研究的问题，In2O3因具有优异的半导体性能，在太阳能电池领域具有一定的优势。LAN S 等42 在室温下制备了具有不同钒(V)原子浓度的柔性非晶透明V 掺杂 In-Zn-O(IZVO)薄膜，该薄膜具有低电阻(约 226)、高透光率(约 888%)和高导电率(2210 S/cm)的特点，表现出优异的电极特性，同时柔性非晶 IZVO 电极具有优异的机械灵活性，在高效柔性光伏应用中显示出巨大潜力。GUO X等43 使用低温溶剂燃烧法制得 In2O3薄膜，采用该薄膜作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层，获得了 1812%的功率转化效率，其电子迁移率高达065 cm2/(vs)，增加了界面的电荷转移。SMOGHADAMZADEH 等44 制备了高透明度的氢掺杂 In2O3电极，基于该电极的太阳能电池功率转换效率高达 248%，在太阳能电池的应用方面展现出良好的使用前景。ADIVE 等45 发现铟镓氧化物合金的导带偏移峰值为 018 eV，与优选的最佳值(02 eV)密切匹配，因此 In2O3和氧化镓合金能够应用于高效碲化镉薄膜的太阳能电池中，从而实现太阳能电池的高效转化。23光催化领域光催化可将具有污染的有机化合物降解为二氧化碳(CO2)和水，In2O3因良好的电导率，且在可见光区具有很高的透明度及超过 80%的透光率，可应用于光催化领域。ZHAO Y X 等46 通过静电纺丝和水热法相结合制备出介孔二氧化钛/In2O3纳米纤维光催化剂，其比表面积和孔隙体积分别为 455 m2/g 和 018 cm3/g，大的表面积和孔隙体积为光催化反应提供更多的表面活性中心，进而提高了光催化性能。SUN M 等47 采用离子液体辅助沉淀法制备了一种新型高效氧化铟/碘氧化铋(In2O3/BiOI)p-n 结光催化剂，最优的In2O3/BiOI 对于邻苯基苯酚的去除率高达 99%，在光催化剂应用中具有良好前景。In2O3作为一种新型的光催化剂大部分会降解为无污染物，但仍会有少部分吸附于材料表面，造成二次污染。3结语目前 In2O3纳米材料的制备方法较多，其中溶胶-凝胶法和 CVD 法制备过程繁杂、成本较高、能耗较大，不适合大量生产;而水热法和模板法对于生产环境的要求较多，产品的可重复性不高，生产受限;静电纺丝法虽然可以生产不同形态的In2O3纳米材料，但是产品存在需要依附载体、不能独立使用的问题。尽管 In2O3纳米材料具有良好的半导体特性和光催化性能，但因 In2O3纳米材料通常为粉末状，无法单独使用，需要与其他高强度材料复合使用，无法实际且广泛应用在气体传感器、太阳能电池及光催化等领域。因此，未来对于 In2O3纳米材料及其应用可以从以下方面入手:(1)针对目前所制备的 In2O3纳米材料力学性能差，需要依附于载体使用的问题，进一步开发力学性能优异能够满足独立使用要求的 In2O3纳米材料;(2)在高强度 In2O3纳米材料基础上，进行多元掺杂与多级结构调控相结合的设计，开发具25合成纤维工业2023 年第 46 卷有新颖结构的 In2O3纳米材料，以提高其在传感器、光催化、太阳能电池等领域的应用性能。参考文献 1王彬 不同晶型氧化铟纳米材料的制备及其气敏性能研究D 北京:北京化工大学，2011 2闫胜男 高性能的氧化铟半导体气敏传感器的研究D 成都:电子科技大学，2019 3宋伟明，胡奇林，房俊卓，等 水基溶胶凝胶法制备纳米氧化铟锡粉末J 应用化学，2008(4):464467 4曾佳琪，赵丽，唐海洲，等 氧化铝纤维的制备及其应用研究现状J 合成纤维工业，2021，44(5):6570 5许永姿，彭巨擘，张家涛，等 化学共沉淀法制备氧化铟锡粉末成形研究 J 矿冶，2019，28(5):8185 6沈明，邵美玲，周慧，等 一种氢氧化铟/氧化铟中空微球的制备方法:105948102A P20160921 7马丽 氧化铟和氧化铟/聚合物复合材料的制备与表征D 济南:山东轻工业学院，2012 8任鑫川，刘苏婷，李志慧，等 静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能J 无机化学学报，2021，37(3):491498 9冯慧，郝栋连，唐海洲，等 静电纺纳米纤维集合体力学性能增强的研究现状J合成纤维工业，2022，45(1):5460 10 唐海洲，洪洁，曾佳琪，等批量化制备纳米纤维静电纺丝设备研究进展J 合成纤维工业，2021，44(5):7176，82 11 王开啸 三维纳微米材料的制备，结构表征及发光性能研究D 合肥:合肥工业大学，2011 12 张际蕊 多聚氨基酸复合氧化锌、氧化铟锡纳米阵列的增强光伏效应研究D 北京:中国石油大学，2016 13 陈琼 碳热还原法制备透明导电半导体纳米线(带)及其结构性能研究D合肥:合肥工业大学，2009 14 孙庆波，曾宇平，江东亮 强磁场诱导 Fe3+和 Ni2+掺杂氧化铟纳米立方块的磁性转变J无机陶瓷材料，2011，151(18):12201223 15 王娟，李晨，徐博 溶胶-凝胶法的基本原理、发展及应用现状J 化学工业与工程，2009，26(3):273277 16 NEI G，BONAVITA A，MICALI G，et al A highly sensitiveoxygen sensor operating at room temperature based on platinum-dopedIn2O3nanocrystals JChemicalCommunications，2005，37(48):60326034 17 MOHAMMADI S，ABDIZADEH H Effect of niobium dopingon opto-electronic properties of sol-gel based nanostructured in-dium tin oxide thin films J Ceramics International，2013，39(4):43914398 18 郝沛沛 半导体氧化物薄膜的制备及其性能研究D 济南:济南大学，201419 KAIM M，FENG Z X，ZHAO H P Low pressure chemicalvapor deposition growth of wide bandgap semiconductor In2O3filmsJ Crystal Growth Design，2018，18(8):4495 4502 20 JIA H B，ZHANG Y，CHEN X H，et al Efficient field emis-sion from single crystalline indium oxide pyramidsJ AppliedPhysics Letters，2003，82(23):41464148 21 王秀丽，曾永飞，卜显和 模板法合成纳米结构材料J 化学通报，2005，68(10):723730 22 狄莹莹，何文维，任鹏刚，等 多孔碳纳米片的制备及其在电化学领域的应用研究进展J 合成纤维工业，2020，43(2):6064 23 YIN W，ESPOSITO D V，YANG S，et al Controlling novelred-light emissions by doping In2O3nano/microstructures withinterstitial nitrogenJ The Journal of Physical Chemistry C，2010，114(31):1323413240 24 ZAI J T，ZHU J，QI，et al Nearly monodispersed In(OH)3hierarchical nanospheres and nanocubes:tunable ligand-assistedsynthesis and their conversion into hierarchical In2O3for gassensingJ Journal of Materials Chemistry A，2012，1(3):73574525 施尔畏，夏长泰 水热法的应用与发展 J 无机材料学报，1996，11(2):193206 26 邹萌萌，刘津玮，李增庆 一步水热法制备还原氧化石墨烯改性涤纶无纺布及性能研究J 合成纤维工业，2020，43(1):1822 27 JIANG H，HU J Q，GU F，et al Hydrothermal synthesis of no-vel In2O3microspheres for gas sensorsJ Chemical Commu-nications，2009(24):36183620 28 KHAN M A M，SIWACH，KUMA S，et al Hydrothermalpreparation of Zn-doped In2O3nanostructure and its microstruc-tural，optical，magnetic，photocatalytic and dielectric behav-iourJ Journal of Alloys and Compounds，2020，846:156479 29 MA H N，YU L M，YUAN X，et al oom temperature photoe-lectric NO2gas sensor based on direct growth of walnut-likeIn2O3nanostructuresJ Journal of Alloys and Compounds，2019，782:11211126 30 I J S，LI X W，SHAO C L，et al Sn-doping induced oxygenvacancies on the surface of the In2O3nanofibers and their pro-moting effect on sensitive NO2detection at low temperatureJ Sensors and Actuators B Chemical，2020，317:128194 31 NIE Q X，PANG Z Y，LU H Y，et al Ammonia gas sensorsbased on In2O3/PANI hetero-nanofibers operating at room tem-peratureJ Beilstein Journal of Nanotechnology，2016，7(1):13121321 32 LUO Y B，AN B X，BAI J L，et al Ultrahigh-response hydro-gen sensor based on PdO/NiO co-doped In2O3nanotubesJ Journal of Colloid and Interface Science，2021，599:533542 33 SONG L F，LUO L Q，LI X，et al Modulating electrical per-formances of In2O3nanofiber channel thin film transistors via SrdopingJ Advanced Electronic Materials，2019，5(3):1800707 34 WU X C，HONG J M，HAN Z J，et al Fabrication and photo-luminescencecharacteristicsofsinglecrystallineIn2O3nanowiresJ Chemical Physics Letters，2003，373(1/2):283235第 2 期穆丹等In2O3纳米材料的制备及研究现状35 PAN Z W，DAI Z，WANG Z L Nanobelts of semiconductingoxides J Science，2001，291(5510):19471949 36 LI S Q，LIANG Y X，WANG T H Electric-field-aligned verti-cal growth and field emission properties of In2O3nanowires J Applied Physics Letters，2005，87(14):14310437 LI C，ZHANG D，HAN S，et al Diameter-controlled growth ofsingle-crystalline In2O3nanowires and their electronic proper-tiesJ Advanced Materials，2003，15(2):143146 38 CHEN F，YANG M，WANG X，et al Template-free synthesisof cubic-rhombohedral-In2O3flower for ppb level acetone de-tectionJ Sensors and Actuators B:Chemical，2019，290:459466 39 WANG J，SU J，CHEN H，et al Oxygen vacancy-rich，u-doped In2O3ultrathin nanosheets for efficient detection of xy-lene at low temperature J Journal of Materials Chemistry，C，2018，6(15):41564162 40 TAO K，HAN X，YIN Q，et al Metal-organic frameworks-de-rived porous In2O3hollow nanorod for high-performance ethanolgas sensor J Chemistry Select，2017，2(33):1091810925 41 TIAN J M，CHEN X，WANG T Q，et al Modification of indi-um oxide nanofibers by polyoxometalate electron acceptor do-ping for enhancement of gas sensing at room temperatureJ Sensors and Actuators B Chemical，2021，344:130227 42 LAN S，YOON S，SEOK H J，et al Low-temperature deposi-ted highly flexible In-Zn-V-O transparent conductive electrodefor perovskite solar cellsJ ACS Applied Energy Materials，2021，5(1):234248 43 GUO X，LIN Z H，MA J，et al Low temperature combustionsynthesized indium oxide electron transport layer for high per-formance and stable perovskite solar cellsJ Journal of PowerSources，2019，438:226981 44 MOGHADAMZADEH S，HOSSAIN I M，DUONG T，et alTriple-cation low-bandgap perovskite thin-films for high-effi-ciency four-terminal all-perovskite tandem solar cellsJ Jour-nal of Materials Chemistry A，2020，8(46):2460824619 45 DIVE A，VALEY J，BANEJEE S In2O3-Ga2O3alloys aspotential buffer layers in Cd Te thin-film solar cells J Physi-cal eview Applied，2021，15(3):034028 46 ZHAO Y X，NIE L Z，YANG H L，et al Tailored fabricationof TiO2/In2O3hybrid mesoporous nanofibers towards enhancedphotocatalytic performance J Colloids and Surfaces A:Physi-cochemical and Engineering Aspects，2021，629:127455 47 SUN M，LI F L，ZHAO F L，et al Ionic liquid-assisted fabri-cation of metal-organic framework-derived indium oxide/bis-muth oxyiodide p-n junction photocatalysts for robust photoca-talysis against phenolic pollutantsJ Journal of Colloid andInterface Science，2022，606:12611273Preparation and research status of In2O3nanomaterialsMU Dan1，2，PU Congzheng1，2，HAO Donglian1，2，ZHANG Kun1，2，MAO Xue1，2(1College of Textile Science and Engineering，Xian Polytechnic University，Xian 710048;2 Key Laboratory ofFunctional Textile Materials and Products，Ministry of Education，Xian University of Engineering，Xian 710048)Abstract:The preparation process and research status of indium oxide(In2O3)nanomaterials were reviewed in the latestyears，and its development was prospected The preparation methods of In2O3nanomaterials mainly include sol-gel method，chemical vapor deposition method，template method，hydrothermal method and electrospinning method The sol-gel method isgradually replaced by new technology because of its long preparation cycle and complex process Both chemical vapor depositionmethod and template method have the problem of high raw material cost The hydrothermal method has more parameter regulationand low experimental repeatability Electrospinning method can prepare various forms of In2O3nanomaterials，but with lowstrength and low independent use，which cannot be produced on a large scale As an excellent semiconductor material，In2O3hasgood application prospects in the fields of gas sensors，solar cells and photocatalysis In2O3nanomaterials can be further exploredfrom the aspects of new structure design and independent use in the future developmentKey words:semiconductor material;indium oxide;nanomaterial;preparation method;application广告索引上海思尔达科学仪器有限公司封一厦门帮众科技有限公司封二郑州沃华机械有限公司封三扬州普立特科技发展有限公司封四45合成纤维工业2023 年第 46 卷