TR-518系列ICT训练课程.doc

(word完整版)TR-518系列ICT训练课程 TR518系列ICT训练课程518系列ICT又分以下4款：1 TR518 (1989年推出，CMOS切换开关，性能稳定，德律首创之ICT)2 TR518F （1992年推出，CMOS+Armature Relay创新技术，功能大辐提升，速度较518快一倍，台湾精品奖）3 TR-518FR (1996年推出，Reed Relay开关，方便整合功能量测,功能强大，速度更较518F快一倍,台湾精品奖）4 TR-518FE （1996年推出,CMOS+Armature Relay 的完美应用,超强功能,速度较518F 快一倍以上，台湾精品奖） ICT的概念1. 何谓ICT？ICT即在线测试仪(In Circuit Tester）,是一大堆高级电表的组合。电表能测到,ICT就能测到，电表测不到， ICT可能也测不到。例如:R/Jumper，则R无法用电表测出，而ICT也测不出.2. ICT能测些什么？Open/Short,R，L，C及PN结（含二极管，三极管，Zener,IC)3. ICT与电表有何差异？ICT可对旁路组件进行隔离（Guarding)，而电表不可以。所以电表测不到,ICT可能测得到.例如:R/(R1+R2），则电表测不出R，只测出R(R1+R2)/(R+R1+R2），ICT却可测出R。4. ICT与ATE有何差异？ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。即ICT对被测机板不通电（不加Vcc/GND），而ATE则通电.例如:板上有一颗反向器要测，则ATE可测其反向特性，而ICT不能测. ICT量测原理奥姆定律：R=V/I请各位仔细透彻的理解奥姆定律,即：R既可认为是电阻,也可认为是其它阻抗，如：Zc容抗、Zl感抗.而V有交流、直流之分。I也一样，有交流、直流之分。这样才可以在学习ICT测试原理时，把握其主脉,因为奥姆定律贯穿其始终,可称得上万能定律！ 1. 量测R:单个R（mode0,1）： 利用Vx=IsRx(奥姆定律）,则Rx=Vx/Is。信号源Is取恒流 （0.1uA5mA）,量回Vx即可算出Rx值。信号源Is与Rx关系表Rx(标准值)Is（常电流源)Is/10（低档电流源）0Rx300 mA5 mA0.5 300Rx3KmA0.5 uA50 3KRx30K uA50 uA5 30KRx300K uA5 uA0.5 300KRx3MuA0。5 uA0.1 Rx3MuA0。1 注:系统测量电压Vx=IsRx=0。15V-1。5V大电流应用：R/C时，为测R，可以适当修改其Std_V（标准值），以便获得系统提供更大测试电流，条件是R接近上表的下限值，如330/100uF，则改Std_V为299，可提供5mA大电流,从而使测试更准确.小电流应用：R/D时,为测R，可以将Mode0改为Mode1，从而电流小一档，R两端压降小于D导通电压，使测试更准确.）R/C（mode2）: 信号源Vs取恒压（0.2V)、量回Ix,则Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix算出Rx值.信号源取恒压0.2V,是因为：1 电压越小，则电容充电到饱和的时间就越短，电容充电饱和后, 其相当于开路，测Rx就会准确。 2 ICT量测放大器侦测电压线性区间为0.15V-1。5V，不宜取低于此范围的电压。R/L（mode3，4,5): 信号源取交流电压源Vs，籍相位法辅助. YCos=YRx=1/Rx ,并Y=Ix/Vs 故：Rx=1/|YCos根据Zl=2fL,若R=20Zl,则R无法测试2. 量测C/L： 单个C/L(Mode0,1，2,3）：信号源取恒定交流压源Vs Vs/Ix=Zc=1/2fCx ,求得：Cx=Ix/2fVs Vs/Ix=Zl=2fLx ,求得:Lx=Vs/2fIx电容：范围信号源说明1pF 2。99pF2: 100KACAC 100KHz3: 1M-ACAC 1MHz 3pF 2.99nF0： 1KACAC 1KHz1： 10K-ACAC 10KHz 2： 100K-ACAC 100KHz3： 1M-ACAC 1MHz5: 1K相位AC 1KHz 相位分离量测6： 10K相位AC 10KHz 相位分离量测，用以测量与电感并联的电容7： 100K相位AC 100KHz 相位分离量测3nF 299。99nF0： 1K-ACAC 1KHz1： 10K-ACAC 10KHz 2: 100KACAC 100KHz5: 1K相位AC 1KHz 相位分离量测6： 10K相位AC 10KHz 相位分离量测7： 100K-相位9: 100ACAC 100KHz 相位分离量测AC 100Hz300nF 2。999F0: 1K-ACAC 1KHz1： 10K-ACAC 10KHz 5： 1K-相位AC 1KHz 相位分离量测6: 10K相位9: 100ACAC 10KHz 相位分离量测 AC 100Hz3F 29。99F0： 1KACAC 1KHz4： CDC固定电流源量测5： 1K-相位9: 100ACAC 1KHz 相位分离量测AC 100Hz30F 149。99F4: CDC8： C-DC（10mA)9:100AC固定电流源量测固定电流源量测AC 100Hz150F 40mF5： 1K-相位固定电流源量测8： CDC(10mA)固定电流源量测电感：范围信号源说明1H 79.99H2: 100K-ACAC 100KHz3： 1M-ACAC 1MHz80H 799。99H0: 1K-AC AC 1KHz1: 10KACAC 10KHz 2: 100K-ACAC 100KHz3: 1M-ACAC 1MHz6: 10K相位AC 10KHz 相位分离量测7： 100K-相位AC 100KHz 相位分离量测800H 7.99mH0： 1KACAC 1KHz1： 10K-ACAC 10KHz 2： 100KACAC 100KHz5： 1K相位AC 1KHz 相位分离量测6: 10K相位AC 10KHz 相位分离量测7: 100K相位9： 100ACAC 100KHz 相位分离量测AC 100Hz8mH 79。99mH0: 1K-ACAC 1KHz1： 10K-ACAC 10KHz 2: 100KACAC 100KHz5: 1K-相位AC 1KHz 相位分离量测6： 10K相位AC 10KHz 相位分离量测7: 100K相位AC 100KHz 相位分离量测80mH 799。99mH0: 1K-ACAC 1KHz1： 10KACAC 10KHz5： 1K-相位AC 1KHz 相位分离量测6： 10K相位AC 10KHz相位分离量测800mH 7。99H0: 1KAC1: 10K-ACAC 1KhzAC 10KHz5： 1K相位6: 10K-相位9: 100-ACAC 1KHz相位分离量测AC 10K Hz相位分离量测AC 100Hz8H 60.0H0: 1KACAC 1KHz5： 1K-相位9: 100-ACAC 1KHz相位分离量测AC 100Hz测试C或L时,取信号频率(f）的原则:因为，Zc=1/2fC，在实际测试时,我们希望Zc最好是在一定范围内,太大或太小,测试精度都会降低.我们假设Zc=常数，则得到：fC=常数，也即：f1/C，可见f与C互为反比，这样我们得到一个重要的结论:大电容以低频、小电容以高频进行测试，效果最好.同理，我们也可推出：f1/L，f与L互为反比。C/R或L/R： 籍相位法辅助 Y|Sin=|Ycx|，即CxSin=Cx 求得：Cx=CxSin (Cx=Ix/2fVs) YSin=Ycx|，即Sin/Cx =1/Cx 求得:Lx=Lx/Sin (Lx=Vs/2fIx)3. 量测PN结：(D、Q、IC）信号源0-10V/3mA or 25mA可程序电压源，量PN结导通电压4. 量测Open/Short：即以阻抗判定：先对待测板上所有Pin点进行学习，R25即归为Short Group,然后Test时进行比较,R5判定为Short，R55判为Open。5. Guarding(隔离)的实现： 当Rx有旁路(R1）时,Ix=Is-I1Is，故：Vx/IsRx此时取A点电位Va，送至C点,令Vc=Va,则：I1=(VaVc）/R1=0，Is=Ix从而：Vx/Is=Rx 程序的编写1、 在T测试下，设定P“测试参数”测试参数电路板名称：DEBUGBOX测试数据文件名称：DEBUGBOX。DAT治具上第一支测试针号码：1治具上最后一支测试针号码：64测试顺序：开路/短路/零件测试每几次测试即自动储存数据：50开路/短路不良时中断测试:不要开路/零件不良时重测次数:2双色打印机的厂牌:VFIVFI 打印机是接到 PC 的：COM1测试不良时自动或手动打印：手动打印测试不良时最多打印行数:10开/短路不良测试点位置打印：不要不良零件位置图的横行数：2不良零件位置图的纵列数:2删略的针：2、 在E编辑下，编写程序：步骤 零件名称 实际值 位置 高点 低点 隔点1 2 3 4 5 删略 量测值 标准值 上限% 下限 延迟 信号 类别 重测 中停 补偿值 偏差%.1R3 47K A1 21 101 0 0 0 0 00 47K 10 100 0 R D 0 002C22 100n D2 7 52 0 0 0 0 00 100n 30 30 0 0 C 0 0 003L1 22u B2 1 87 0 0 0 0 00 22u 30 30 0 4 L 0 0 004D5 0.7V C1 16 19 0 0 0 0 00 0.7V 20 200 0 D 0 0 00 5 Q1CE 1.8V A2 11 75 42 0 0 0 0 0 0。2V 20 -1 0 4 Q 0 0 0 0。.。3、 进入L学习，做Short Group学习。若有IC，还需做IC Clamping Diode学习。4、 在主画面在下测试，检验程序及开始Debug。程序的Debug编写好的程序在实测时，因测试信号的选择，或被测组件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出限)，必须经过Debug.R:在E编辑下，ALT-X查串联组件，ALTP查并联组件。据此选好“信号”(Mode)和串联最少组件的HiP/LoP，并ALT-F7选择Guarding Pin。R/C：Mode2及Dly加大（参考：T=5RC）R/D（or IC、Q）：Mode1R/R：StdV取并联阻值R/L:Mode3、4、5;根据Zl=2fL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小C:在编缉下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。如小电容（pF级）,可选高 频信号(Mode2、3），大电容（ nF级）可选低频信号(Mode0、1),然后ALTF7 选择隔离。3uF以上大电容,可以Mode4、8直流测试。C/C：Std-V取并联容值C/R：Mode5、6、7,由Zc=1/2fC,故C一定时，f越高，Zc越小,则R的影响越小.C/L：Mode5、6、7，并且f越高效果越好.L：F8测试,选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V，然后Offset修正至准确。L/R：Mode 5、6、7。PN结:F7自动调整,一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上)D/C：Mode1及加Delay。D/D(正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压,若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA）， 另外10-48V zener管,可以HV模式测试。Q：be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型(PNP or NPN)，Hi-P一样（NPN)， Lo-P一样(PNP），并可Debug ce饱和电压（0.2V以下），注意NatV为be偏置电压，越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断(须为截止0。2V以上），否则应调小Nat-V。 不良报表的阅读不良零件位置图： A BC DE123456R3 H1D5 L2L1 VHC22 H2以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值：L1表示:量测值介于L0与L0-（H0-L0）10之间L2表示：量测值介于L1与L0（H0-L0)20%之间VL表示：量测值低于L2H1表示：量测值介于H0与H0+（H0L0）10之间H2表示：量测值介于H1与H0+（H0-L0）20%之间VH表示:量测值高于H2不良记录： *Open Fail*(48）（45 48)表示48点与短路组（45 48）断开，可能是探针未接触到PCB焊盘，或板上有断路。 *Short Fail*（20）(23）表示20点与23点短路（R5），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造成Short,零件脚过长造成Short等。 *Component Fail*1 R3 M-V：52。06K，Dev：+10。7Act-V=47K Std-V=47K Loc：A1HiP=21 L0-P=101 +LM:+10 LM：10%表示：R3偏差+10.7，可能为零件变值，或接触不良。若偏差+999。9%或很大，可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限,（如47K在30K300K量程内）;若偏差0.00%或很小，可能为短路，错件超出其标准值所在量程下限。ICT误判分析1。 ICT无法测试部分：内存IC（EPROM、SRAM、DRAM）并联大10倍以上大电容的小电容并联小20倍以上小电阻的大电阻单端点之线路断线D/L，D无法量测IC之功能测试2. PCB之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不好3. 压床压入量不足。探针压入量应以1/2-2/3为佳4经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良5PCB板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘6治具探针不良损坏7零件厂牌变化(可放宽+，IC可重新Learning）8. 治具未Debug好（再进行Debug）9. ICT本身故障硬件检测1、 开关板：诊断(D）-切换电路板（B）-系统自我诊断（S）-切换电路板诊断（S) 若有B* C*表示SWB有Fail,请记录并通知TRI。C*有可能为治具针点有Short 造成.进入切换电路板诊断功能时，屏幕上显示如下的画面：切换电路板自我检测（治具上不要放置组装电路板，维修盒不要接到待测的切换电路板)第几片插槽1110987654321测试点数0000000128646464测试结果N/AN/AN/AN/AN/AN/AN/AN/AOKOKOKOKOKOK第几片插槽2221201918171615141312测试点数DCACOT700000000测试结果N/AN/AN/AN/AN/AN/AN/AN/AN/A2、 系统自我检测：诊断（D）-硬件诊断（S）-系统自我检测（S） 有R、D项Fail可能为DC板故障，有C、L项Fail可能AC板Fail， 有Power 项Fail可能Power板Fail。也请记录并通知TRI。电阻电容系统电源ValueMeasVDevValueMeasVDevValueMeasVDev5050OK100p100pOK5V5VOK100100OK1n1nOK10V10VOK1K1KOK10n10nOK12V12VOK10K10KOK100n100nOK15V15VOK100K100KOK1u1uOK24V24VOK1M1MOK10u10uOK5V5VOK10M10MOK1n-G1n-GOK-15V-15VOK1KG1KGOK15V15VOK 10V Function电感D0。6D0。6OK100u100uOKZD3VZD3VOK1m1mOKZD6VZD6VOK10m10mOKDAC5VDAC-5VOK100m100mOK开路/短路测试线路 ： 013The End附录一1. 指令树状结构图(Command Tree）Level 0 Level 1 Level 2 Level 3测试开始测试(Testing)顺序（Test-Sequence）（TEST）中断（TestAbortion)测试针（TestPin）测试参数(Test-Par）修改参数（Update）短/开路设定（Short/Open Base)重测（Retry)设定新参数（SetUp)打印机(Printer)拷贝参数(Copy） 位置图/自动打印（Map/Stamp）删除参数(Delete）选择板号（Board-Sel）压床型式(TestFixture)网络设定（Network)延迟时间(Delay-Time)系统参数(System-Par）打印机(Printer)统计基底（ReportBase）编辑(EDIT)短路学习（Learning）编辑（Edit)短路点数据（Short/Open)打印（Print）短路测试(Short-T)开路测试(Open-T)IC脚（ICPins）IC保护二极管(ClampingD)学习（Learning)学习显示（Display)（LEARN)打印(Print)删除（Delete）IC脚（ICPins）学习（Learning）并联测试（Diode Check）显示(Display）打印(Print）删除（Delete）测试点数据(Pin-Information)测试点资料（Test-Pins）打印（Print）日报表显示(Day-Display)报表（Total)日报表打印（Day-Print)分布表（Histo）月报表显示（Month-Display)分布图(Statis）月报表打印(Month-Print）报告排行榜(Worst）屏幕显示不良零件排行（Disp_Comp）（REPORT）存盘(Store)屏幕显示不良测试针排行(Disp_Pin)读入（Load）打印不良零件排行（Print_Comp）清除(Clear）打印不良测试针排行（Print_Pin）系统自我检测（System-Check）硬件诊断(Self-Check)切换电路板诊断(Switch-Board）单体测试(Test-Exers）使用维修盒诊断(Debug-Box）诊断切换电路板(Switch- Brd）(DEBUG)测试针(Pin-Search）压床(Fixture）REMOTE功能编辑（Function -Edit)功能稳定性测试(Stability -Check)（FUNC）脚位编辑（ICPins）空焊自动学习（OT-Learn）IC空焊测试空焊数据编辑(OT-Edit）（ICOPEN）分布表（Histo）删除(Delete)自我诊断（Debug)TestJet配置（TestJet-Config）稳定度测试(Stability-Check）VIEW