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模拟电子技术基础习题题库-PPT.ppt

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1、模拟电子技术基础习题模拟电子技术基础习题第一章第一章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第二章第二章 半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器第第六六章章 运放应用电路运放应用电路第第七七章章 功率放大电路功率放大电路第第八八章章 波形发生和变换电路波形发生和变换电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第五章第五章 负反馈放大电路负反馈放大电路第十章第十章 晶闸管及其晶闸管及其应用应用第十一章第十一章第二十一章第二十一章 应用篇应用篇第一章第一章 半导体二极管及其应用

2、电路半导体二极管及其应用电路一、填空:1半导体是导电能力介于_和_之间的物 质。2利用半导体的_特性,制成杂质半导体;利用半导体的_特性,制成光敏电阻,利用半导体的_特性,制成热敏电阻。3PN结加正向电压时_,加反向电压时 _,这种特性称为PN结的 _ 特性。4PN结正向偏置时P区的电位_N区的电位。导体导体绝缘体绝缘体掺杂掺杂光敏光敏热敏热敏单向导电单向导电截止截止高于高于导通导通5 5二极管正向导通的最小电压称为二极管正向导通的最小电压称为_电压,使电压,使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_电压电压.6 6二极管最主要的特性是二极管最主要的特性是

3、 ,使用时应考,使用时应考虑的两个主要参数是虑的两个主要参数是 和和 _ _。7 7在常温下,硅二极管的死区电压约在常温下,硅二极管的死区电压约_V_V,导,导通后在较大电流下的正向压降约通后在较大电流下的正向压降约_V _V。死区死区单向导电单向导电击穿击穿最大整最大整 流电流流电流 最大反向工作电压最大反向工作电压0.50.78在常温下,锗二极管的死区电压约为_V,导通后在较大电流的正向压降约为_V。9半导体二极管加反向偏置电压时,反向峰值电流越小,说明二极管的_ _性能越好。10稳压管工作在伏安特性的_区,在该区内的反向电流有较大变化,但它两端的电压 _ _。0.1V0.3单向导电单向导

4、电反向击穿反向击穿基本不变基本不变11理想二极管正向电阻为_,反向电阻为 _,这两种状态相当于一个_。12当温度升高时,二极管的正向特性曲线将 _,反向特性曲线将_。13当温度升高时,二极管的正向电压降_,反 向击穿电压_,反向电流_。0无穷大无穷大开关开关左移左移下移下移减小减小减小减小增大增大 14.整流电路的作用是 _ _,核心元器件是_。15.15.滤波电路的作用是滤波电路的作用是_ _ _ _ _,滤波电路包含有滤波电路包含有_元件。元件。16.16.单相半波整流,单相桥式整流相比,脉动比较大单相半波整流,单相桥式整流相比,脉动比较大的是的是_,整流效果好的是,整流效果好的是_。17

5、.17.在单相桥式整流电路中,如果任意一个二极管反在单相桥式整流电路中,如果任意一个二极管反接,则接,则_,如果任意一只二极管脱焊,则,如果任意一只二极管脱焊,则 _。将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动成分储能单相半波单相桥式电源短路成为半波整流二、选择题:1.1.二极管的导通条件是二极管的导通条件是()()。A.B.死区电压 C.击穿电压。2.2.硅二极管的正向电压在硅二极管的正向电压在0.7V0.7V的基础上增加的基础上增加1010,它,它的电流的电流()()。A.基本不变 B.增加10 C.增加10以上3.3.硅二极管的正向电压在硅二极管的正向电压在0.3V0.3V的基

6、础上增大的基础上增大1010,它的电流它的电流()()。A.基本不变 B.增加10 C.增加10以上4.4.用万用表的用万用表的 档和档和 档分别测量一个档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量值分别为正常二极管的正向电阻,两次测量值分别为 和和 ,则则 与与 的关系为的关系为()()。A.B.C.5.5.当温度为当温度为 时,二极管的导通电压为时,二极管的导通电压为0.7V 0.7V,若其他参数不变,当温度升高到若其他参数不变,当温度升高到 时,二极管的时,二极管的导通电压将导通电压将()()。A.A.等于等于0.7V B.0.7V B.小于小于 0.7V C.0.7V C.大于大于0.

7、7V0.7V6.6.如图所示,二极管均为理想元件,则如图所示,二极管均为理想元件,则VDVD1 1、VDVD2 2、VD VD3 3的工作状态为的工作状态为()()。A.VD1导通,VD2、VD3截止 B.VD2导通,VD1、VD3截止 C.VD3导通,VD1、VD2截止 8.电路如图所示,VD1VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同,其中最亮的灯是_。A.B B.C C.A 7.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V,VDZ2的稳定电压为15V,输出电压 等于()。A15V B9V C24V9理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中,二极管承 受的最大反向电压为_。A小于 B.等

8、于 C.大于 ,小于 D.等于 10单相桥式整流电容滤波电路,当满足 (35)时,负载电阻上的平均电压为_。A.1.1U2 B.0.9U2 C.1.2 U2 D.0.45U21111所示电路图中所示电路图中 ,(忽略导通压降)用,(忽略导通压降)用示波器观察示波器观察 的波形正确的是的波形正确的是_。12.12.有三个整流电路有三个整流电路A A、B B、C C,变压器副边电压,负载电压的波,变压器副边电压,负载电压的波形如图所示,符合该波形的电路是形如图所示,符合该波形的电路是_。三、判断题三、判断题三、判断题三、判断题1.1.在二极管的反向截至区,反向电流随反向电压增大在二极管的反向截至区

9、,反向电流随反向电压增大而增大。(而增大。()2.2.如果稳压管工作电流则管子可能被损坏如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。()3.3.指针式万用表的红表笔(正端)接二极管的正极,指针式万用表的红表笔(正端)接二极管的正极,黑表笔(负端)接二极管的负极,测得的是二极管黑表笔(负端)接二极管的负极,测得的是二极管的正向电阻。(的正向电阻。()4.4.桥式整流电路中,流过每个二极管的平均电流相同,桥式整流电路中,流过每个二极管的平均电流相同,都只有负载电流的一半。(都只有负载电流的一半。()5.5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相

10、同时,它们的输出电压波形相同,每的输入电压相同时,它们的输出电压波形相同,每个二级管承受的反向电压相同。(个二级管承受的反向电压相同。()四、分析计算:1.1.判断下列电路中二极管的工作状态。判断下列电路中二极管的工作状态。VD1导通,VD2截止 VD 截止2.图所示,设二极管导通压降为0.7V,判断二极管是否 导通,并求输出电压 。截止截止 0V 0V 导通导通+11.3V+11.3V 截止截止 +6V +6V 导通导通+0.7V 导通导通-12.7V-12.7V 3.图所示,设二极管导通压降为0.7V,判断二极管是否 导通,并求输出电压 。4.图所示,设二极管导通压降为0.7V,判断二极管

11、是否 导通,并求输出电压 。5.电路如图所示,设 ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。5.电路如图所示,设 ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。5.电路如图所示,设 ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。6图示电路中,已知2CW5的参数如下:稳定电压 ,最大稳定电流 ,若流经电压表V的电流可忽略不计。求:1)1)开关开关S S合上时,电压表合上时,电压表V V、电流表、电流表A A1 1和电流表和电流表A A2 2的读的读数为多少?数为多少?2)2)开关开关S S打开时,流过稳压管的电流为多少?打开时,流过稳压管的电流为多少?3)3)开关开关

12、S S合上,且输入电压由原来合上,且输入电压由原来30 V30 V上升到上升到33 V33 V时,时,此时电压表此时电压表V V、电流表、电流表A A1 1和电流表和电流表A A2 2的读数为多少?的读数为多少?V:12V A1:12mA A2:6mAIZ:12mAV:12V A1:14mA A2:6mA7.电路如图所示,试估算输出电压 和 ,并标出输出电压对地极性。-+-45V+9V8电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示 (V)试求:(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);(2)正常工作时,Uo=?(3)若电容脱焊,Uo=?(4)若RL开路,Uo=?(5)若其中一个二极管开路,

13、Uo=?12V9V14V10V9.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示,(V)试求:(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);(2)正常工作时,Uo=?(3)若电容脱焊,Uo=?(4)若RL开路,Uo=?(5)若其中一个二极管开路,Uo=?28V18V24V20V10.10.试分析图示电路的工作原理,试分析图示电路的工作原理,标出电容电压的极性和标出电容电压的极性和数值,并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。数值,并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。约约 第二章第二章 半导体三极管半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成和 两种类型。2.晶体三极管工作时有和两

14、种载流子参与导电,因此三极管又称为 晶体管。3.设晶体管的压降 不变,基极电流为20A时,集电 极电流等于2mA,则 =_。若基极电流增大至25A,集电极电流相应地增大至2.6mA,则 =_。100120NPNPNP自由电子自由电子空穴空穴双极型双极型4.4.三极管的电流放大作用是指三极管的三极管的电流放大作用是指三极管的电流约是电流的倍,即利用电流约是电流的倍,即利用电流,就可实现对电流的控制。电流,就可实现对电流的控制。5.5.某三极管的发射极电流等于某三极管的发射极电流等于1mA1mA,基极电流等于,基极电流等于20A20A,穿透电流,穿透电流Iceo=0Iceo=0则其集电极电流等于则

15、其集电极电流等于_ ,电流放大系数,电流放大系数等于等于_。6.6.当三极管工作在区时,关系式当三极管工作在区时,关系式I IC C I IB B才成立,发射极偏置,集电极才成立,发射极偏置,集电极偏置。偏置。7.7.当三极管工作在区时,当三极管工作在区时,I IC C00;发射极;发射极 偏置,集电极偏置。偏置,集电极偏置。集电极集电极基极基极基极基极集电极集电极0.98mA49放大放大正向正向反向反向截止截止零或反向零或反向反向反向8.8.当三极管工作在区时,当三极管工作在区时,U UCECE 0 0。发射极。发射极偏置,集电极偏置。偏置,集电极偏置。9.9.当当NPNNPN硅管处在放大状

16、态时,在三个电极电位中,硅管处在放大状态时,在三个电极电位中,以极的电位最高,极电位最低,以极的电位最高,极电位最低,极和极电位差等于。极和极电位差等于。10.10.当当PNPPNP锗管处在放大状态时,在三个电极电位中,锗管处在放大状态时,在三个电极电位中,以极的电位最高,极电位最低,以极的电位最高,极电位最低,U UBEBE等于。等于。11.11.晶体三极管放大电路中晶体三极管放大电路中 三个电极的电位分别为三个电极的电位分别为 ,试判断三极管的试判断三极管的类型是类型是 ,材料是。,材料是。集电集电饱和饱和正向正向发射发射基基0.7V正向正向发射发射发射发射集电集电-0.3VPNP锗锗锗锗

17、12.12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,,三个电极分三个电极分别别1 1为,为,2 2为,为,3 3为为。13.13.温度升高时,三极管的电流放大倍数温度升高时,三极管的电流放大倍数将将;穿透电流;穿透电流I ICEOCEO将;发射极电压将;发射极电压U UBEBE将将。14.14.温度升高时,三极管的共射输入特性曲线将温度升高时,三极管的共射输入特性曲线将_移,输出特性曲线将移,输出特性曲线将_移,而且输出特性曲线移,而且输出特性曲线之间隔将变之间隔将变_。C CE EB B增大增大增大增大增大增大增大增大减小减小减小减小左左左左上上上

18、上宽宽宽宽16.16.某放大电路,当输入电压为某放大电路,当输入电压为10mV10mV时,输出电压时,输出电压为为7V7V,当输入电压为,当输入电压为15mV15mV时,输出电压为时,输出电压为6.5V6.5V。则该电路的电压增益为。则该电路的电压增益为。17.17.直流放大器能放大,交流放大器能直流放大器能放大,交流放大器能放大。放大。100100交直流信号交直流信号交流信号交流信号18.18.当静态工作点设置偏低时,会引起失真,当静态工作点设置偏低时,会引起失真,单级共射放大电路输出电流波形的半周产单级共射放大电路输出电流波形的半周产生削波,需将基极上偏置电阻的值调。生削波,需将基极上偏置

19、电阻的值调。19.19.当静态工作点设置偏高时,会引起失真,当静态工作点设置偏高时,会引起失真,单级共射放大电路输出电压波形的半周产单级共射放大电路输出电压波形的半周产生削波,需将基极上偏置电阻的值调。生削波,需将基极上偏置电阻的值调。20.20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多,其造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多,其中影响最大的是中影响最大的是 。21.21.三种基本组态的放大电路中,与相位相反的是三种基本组态的放大电路中,与相位相反的是 电路,与相位相同是电路,与相位相同是 电路。电路。截止截止负负小小饱和饱和负负大大 温度引起的参数变化温度引起的参数变化共发放大共发放大共基和

20、共集放大共基和共集放大22.22.三种基本组态的放大电路中,有电压放大无电流三种基本组态的放大电路中,有电压放大无电流放大的是电路,有电流放大无电压放大的是电路,有电流放大无电压放大的是电路,既有电压放大又有放大的是电路,既有电压放大又有电流放大的是电路。电流放大的是电路。23.23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是分压偏置的共射极放大电路中的作用是 。24.24.多级放大电路常见的耦合方式有、多级放大电路常见的耦合方式有、。、。共基极共基极共集电极共集电极共射极共射极稳定靜态工作点稳定靜态工作点直接直接阻容阻容变压器变压器25.25.直接耦合放大电路既能放大信号,直接耦合放大电路既能放大信

21、号,又能放大信号,但它存在零漂的问题,又能放大信号,但它存在零漂的问题,常采用放大电路来抑制零漂。常采用放大电路来抑制零漂。26.26.多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益变多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益变,通频带变。,通频带变。交直流交直流交流交流差动差动大大窄窄 二、选择题二、选择题1 1当三极管的两个当三极管的两个PNPN结都反偏时,则三极管处于结都反偏时,则三极管处于()。A.A.截止状态截止状态 B.B.饱和状态饱和状态 C.C.放大状态放大状态 D.D.击穿击穿2 2当三极管的两个当三极管的两个PNPN结都正偏时,则三极管处于结都正偏时,则三极管处于()。A.A.截止

22、状态截止状态 B.B.饱和状态饱和状态 C.C.放大状态放大状态 D.D.击穿击穿3.3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为6V6V、5.3V5.3V和和-6V-6V,则该三极管的类型为(,则该三极管的类型为()。)。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型4.4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为8V8V、2.3V2.3V和和2V2V,则该三极管的类型为(,则该三极管的类型为()。)。A.A.硅硅PN

23、PPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型 5.5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为为6V6V、5.3V5.3V和和12V12V,则该三极管的类型为(,则该三极管的类型为()。)。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型6.6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V6V、5.7V5.7V和和-6V-6V,则该三极管的类型为(,则该三极管的类型为

24、()。)。A.A.硅硅PNPPNP型型 B.B.硅硅NPNNPN型型 C.C.锗锗PNPPNP型型 D.D.锗锗NPNNPN型型7 7、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区,最、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区,最简便的方法是测量(简便的方法是测量()。)。A.A.I IBQ BQ B.B.U UBEQBEQ C.C.I ICQCQ D.D.U UCEQCEQ8、工作在放大状态的双极型晶体管是、工作在放大状态的双极型晶体管是()。)。A.A.电流控制元件电流控制元件 B.B.电压控制元件电压控制元件 C.C.不可控元件不可控元件12.12.处于放大状态的处于放大状态的NPNNPN型

25、晶体管,各电极的电位关型晶体管,各电极的电位关系是系是_。A.A.V VB BV VC CV VE E B.B.V VE EV VB BV VC C C.C.V VC CV VB BV VE E D.D.V VC CV VE EV VB B13.13.处于放大状态的处于放大状态的PNPPNP型晶体管,各电极的电位关型晶体管,各电极的电位关系是系是_。A.A.V VB BV VC CV VE E B.B.V VE EV VB BV VC C C.C.V VC CV VB BV VE E D.D.V VC CV VE EV VB B14.14.三极管共发射极输出特性常用一组曲线来表示,三极管共发射

26、极输出特性常用一组曲线来表示,其中每一条曲线对应一个特定的其中每一条曲线对应一个特定的_。A Ai ic c B Bu uCECE;C Ci iB B;D Di iE E1515放大电路的三种组态,都有放大电路的三种组态,都有()()放大作用。放大作用。A.A.电压电压 B.B.电流电流 C.C.功率功率 1616固定偏置放大电路中,固定偏置放大电路中,晶体管的晶体管的 5050,若,若 将将该管调换为该管调换为=80 =80 的另外一个晶体管,则该电路的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流中晶体管集电极电流 将将()()。A.A.增加增加 B.B.减少减少 C.C.基本不变基本不变17

27、17测得某放大电路负载开路时的输出电压为测得某放大电路负载开路时的输出电压为4V4V,接入的负载接入的负载2K2K后,测得输出电压为后,测得输出电压为2.5V2.5V,则该,则该放大电路的输出电阻为放大电路的输出电阻为()()。A.1.2kA.1.2k B.1.6k B.1.6k C.3.2k C.3.2k D.10k D.10k 1818单级共射极放大电路,输入正弦信号,现用示单级共射极放大电路,输入正弦信号,现用示波器观察输入电压波器观察输入电压u ui i和晶体管集电极电压和晶体管集电极电压u uc c的波形,的波形,二者相位二者相位()()。A.A.相差相差0 00 0 B.B.相差相

28、差1801800 0 C.C.相差相差90900 0 D.D.相差相差2702700 0 1919共基极放大电路,输入正弦信号,现用示波器共基极放大电路,输入正弦信号,现用示波器观察输观察输入入电压电压u ui i和晶体管集电极电压和晶体管集电极电压u uc c的波形,二的波形,二者相位者相位()()。A.A.相差相差0 00 0 B.B.相差相差1801800 0 C.C.相差相差90900 0 D.D.相差相差2702700 0 2020固定偏置共射极放大电路,已知固定偏置共射极放大电路,已知V VCCCC12V12V,R RC C=3K=3K ,40,40,忽略忽略U UBEBE,若要使

29、静态时若要使静态时U UCECE 9V9V,则,则R RB B应取应取()()。A.600K A.600K B.240K B.240K C.480K C.480K D.360K D.360K 2121固定偏置共射极放大电路固定偏置共射极放大电路,V,VCCCC10V10V,硅晶体管,硅晶体管的的 100,R100,RB B=100K=100K,R RC C=5K=5K ,则该电路中,则该电路中三极管工作在三极管工作在()()。A.A.放大区放大区 B.B.饱和区饱和区 C.C.截止区截止区 D.D.无法确定无法确定22.22.固定偏置共射极放大电路固定偏置共射极放大电路,V,VCCCC10V1

30、0V,硅晶体管,硅晶体管的的 100,R100,RB B=680K=680K,R RC C=5K=5K ,则该电路中,则该电路中三极管工作在三极管工作在()()。A.A.放大区放大区 B.B.饱和区饱和区 C.C.截止区截止区 D.D.无法确定无法确定23.直接耦合放大电路能放大。直接耦合放大电路能放大。A.直流信号直流信号 B.交流信号交流信号 C.交直流信号。交直流信号。24.阻容耦合放大电路能放大。阻容耦合放大电路能放大。A.直流信号直流信号 B.交流信号交流信号 C.交直流信号交直流信号三、三、判断题:判断题:1.1.晶体三极管由两个晶体三极管由两个PNPN结构成,二极管包含有一个结构

31、成,二极管包含有一个PNPN结,结,因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。(因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。()2.2.晶体三极管只有测得晶体三极管只有测得U UBEBE U UCECE 才工作在放大区。(才工作在放大区。()3.3.晶体三极管三个电极上的电流总能满足晶体三极管三个电极上的电流总能满足I IE E=I IC C+I IB B的关系。的关系。()4.4.晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足I IE E=I IC C的关的关系。(系。()5.5.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。只有电路既放大电流又放大电压,才称其

32、有放大作用。()6.6.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。(晶体三极管放大电路都有功率放大作用。()7.7.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。()8.8.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。()9.9.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。(流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。()10.10.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(饱和失真。()1

33、1.11.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为均为-100-100,将它们连成两级放大电路,其电压放,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为大倍数应为1000010000。(。()12.12.阻容耦合多级放大电路各级的阻容耦合多级放大电路各级的Q Q点相互独立,它点相互独立,它只能放大交流信号。(只能放大交流信号。()13.13.直接耦合多级放大电路各级的直接耦合多级放大电路各级的Q Q点相互影响,它点相互影响,它只能发放大直流信号。(只能发放大直流信号。()14.14.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度只有直接耦合放大电路中晶体

34、管的参数才随温度而变化。(而变化。()四、分析计算题四、分析计算题1.1.固定偏置三极管放大电路如图所示,输入正弦交固定偏置三极管放大电路如图所示,输入正弦交流电时,输出波形如图所示,试判断电路有无失流电时,输出波形如图所示,试判断电路有无失真?是什么失真?产生该失真的原因是什么?如真?是什么失真?产生该失真的原因是什么?如何改善这种失真?何改善这种失真?RB2.2.电路如图电路如图 所示,测得图所示,测得图a)a)所示放大电路的输出电所示放大电路的输出电压波形如图压波形如图b)b)所示。所示。(1 1)是什么失真?)是什么失真?(2 2)分析产生该失真的原因;)分析产生该失真的原因;(3 3

35、)说明消除该失真的方法。)说明消除该失真的方法。RB3.3.放大电路如图所示,判断下列电路能否正常放大放大电路如图所示,判断下列电路能否正常放大交流信号,请写出为什么不能放大的理由?交流信号,请写出为什么不能放大的理由?3.3.放大电路如图所示,判断下列电路能否正常放大放大电路如图所示,判断下列电路能否正常放大交流信号,请写出为什么不能放大的理由?交流信号,请写出为什么不能放大的理由?4.4.电路如图所示,晶体管电路如图所示,晶体管=100=100,U UBEBE=0.7V=0.7V。1)1)求静态工作点求静态工作点 ;2)2)画出微变等效电路;画出微变等效电路;3)3)求电压放大倍数求电压放

36、大倍数A Au u,输入电阻,输入电阻R Ri i和输出电阻和输出电阻R Ro o;4)4)若改为若改为=120=120,则,则A Au u变为多大?变为多大?6.6.6.7.7.7.8.8.8.9.9.9.10.10.10.10.11.11.第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路一、填充题1、M0S管的结构由 、和 组成。2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有 和 两类,其每一类又可 和 两种。3、场效应管与双极晶体管比较,_为电压控制器件,_为电流控制器件,_的输入电阻高。4、场效应管有_种载流子参与导电,故场效应管又称_型元件。金属 氧化物 半导体 N沟道 P沟道

37、增强型 耗尽型 1 单极场效应管 双极型晶体管 场效应管 5 5、_MOS_MOS管开启电压管开启电压 0 0,_MOS_MOS管开管开启电压启电压 0 0。6 6、_MOS_MOS管的夹断电压管的夹断电压 0 0,_MOS_MOS管的夹断电压管的夹断电压 0 0。7 7、使用场效应管时应特别注意对、使用场效应管时应特别注意对_极的保护,极的保护,尤其是绝缘栅管,在不用时应将三个电极尤其是绝缘栅管,在不用时应将三个电极_ _ 。N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 栅 短接 8 8、某场效应管的转移特性如左图、某场效应管的转移特性如左图a a)所示,由此可)所示,由此可知该管是知该管是_沟道沟道_型

38、的绝缘栅场效应型的绝缘栅场效应管,管,_V _V。9 9、某场效应管的转移特性如右图、某场效应管的转移特性如右图b)b)所示,由此所示,由此D D可可知该管是知该管是_沟道沟道_型的绝缘栅场效应型的绝缘栅场效应管,管,_,_ _,_。P沟道 增强型 2V N沟道 耗尽型 6mA 6V 1010、某场效应管的输出特性如图所示,由此可知该、某场效应管的输出特性如图所示,由此可知该管是管是_沟道沟道_型的绝缘栅场效应管,型的绝缘栅场效应管,_ _。1111、某场效应管工作在恒流区,当、某场效应管工作在恒流区,当 时,时,当,当 时,时,则该管的低,则该管的低频跨导频跨导 为为_。1212、自偏压电路

39、只适用于、自偏压电路只适用于_型的场效应管放大型的场效应管放大电路。电路。N沟道 增强型 2V 3 耗尽 二、选择题二、选择题1 1、场效应管用(、场效应管用()控制漏极电流。)控制漏极电流。A.A.基极电压基极电压 B.B.栅源电压栅源电压 C.C.基极电流基极电流 D.D.栅极电流栅极电流2 2、表征场效应管放大能力的重要参数是(、表征场效应管放大能力的重要参数是()。)。A.B.C.D.A.B.C.D.3 3、N N沟道增强型场效应管处于放大状态时要求(沟道增强型场效应管处于放大状态时要求()。)。A.B.A.B.C.D.C.D.4 4、P P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求(沟道增

40、强型场效应管处于放大状态时要求()。)。A.B.A.B.C.D.C.D.5 5、广义地说,结型场效应管应该、广义地说,结型场效应管应该_。A.A.属于耗尽型管属于耗尽型管 B.B.属于增强型管属于增强型管 C.C.不属于耗尽型管不属于耗尽型管 D.D.不属于增强型管不属于增强型管6 6、场效应管自生偏置电路中的电阻、场效应管自生偏置电路中的电阻R Rg g,的作用是,的作用是_。A.A.提供偏置电压提供偏置电压 B.B.提供偏置电流提供偏置电流 C.C.防止输入信号短路防止输入信号短路 D.D.泄放栅极可能出现的感应电荷以防管子击穿泄放栅极可能出现的感应电荷以防管子击穿7 7图示是某场效应管的

41、特性曲线。据图可知,该管是图示是某场效应管的特性曲线。据图可知,该管是_。A.P A.P沟道结型管沟道结型管 B.N B.N沟道结型管沟道结型管 C.P C.P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管 D.N D.N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管管8.8.图示是某场效应管的特性曲线。据图可知,该管图示是某场效应管的特性曲线。据图可知,该管是是_。A.P A.P沟耗尽型沟耗尽型MOSMOS管管 B.N B.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管 C.P C.P沟增强型沟增强型MOSMOS管管 D.N D.N沟增强型沟增强型MOSMOS管管差模差模 共模共模 0.02 1.99 直接直接 零点漂移

42、零点漂移 对称对称 AUD和和AUC 抑制共模信号抑制共模信号 好好 强强 大大 UO/UID 有用有用 UOC/UIC 无用无用 单管电压增益单管电压增益 零零 无穷大无穷大 两个两个 两个两个 四四 双端输入双端输出双端输入双端输出 单端输入双端输出单端输入双端输出 双端输入单端输出双端输入单端输出 单端输入单端输出单端输入单端输出 四、分析计算题四、分析计算题 双端输出差动放大电路如图所示,已知双端输出差动放大电路如图所示,已知 R RC1C1=R RC2C2=2K,=2K,R RE E=5.1K,=5.1K,两管的两管的U UBEBE=0.7V=0.7V,=50=50,R Rbebe=

43、2K=2K,求:,求:(1)(1)静态电流静态电流I ICQ1CQ1、U UCEQCEQ;(2)(2)差模电压放大倍数差模电压放大倍数A AuDuD、R RiDiD、R RODOD。电压电压 串联串联并联并联 电流电流电压电压 增大增大电流电流 减小减小并联并联 电压电压 电流串联电流串联2 25三、判断题:三、判断题:1.1.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定 是负反馈。(是负反馈。()2.2.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输 出电压基本不变。(出电压基本不变。()3.3.在负反馈放大电路中

44、放大器的放大倍数越大,闭在负反馈放大电路中放大器的放大倍数越大,闭 环放大倍数就越稳定。环放大倍数就越稳定。()4.4.在负反馈放大电路中,在反馈系数较大的情况下,在负反馈放大电路中,在反馈系数较大的情况下,只有尽可能地增大开环放大信号,才能有效地提高只有尽可能地增大开环放大信号,才能有效地提高 闭环放大倍数。(闭环放大倍数。()5.5.在深度负反馈的条件下,闭环放大倍数在深度负反馈的条件下,闭环放大倍数AFAF1/1/F F,它与负反馈有关。而与放大器开环放大倍数它与负反馈有关。而与放大器开环放大倍数A A无关,无关,故此可以省去放大通路,仅留下反馈网络,来获得故此可以省去放大通路,仅留下反

45、馈网络,来获得 稳定的放大倍数。(稳定的放大倍数。()6.6.在深度负反馈的条件下,由于闭环放大倍数在深度负反馈的条件下,由于闭环放大倍数 AFAF1/1/F F,与管子参数几乎无关,因此,可以任意选,与管子参数几乎无关,因此,可以任意选 用晶体管来组成放大级,管子的参数也就没什么意用晶体管来组成放大级,管子的参数也就没什么意 义了。(义了。()7.7.负反馈只能改善反馈环路内的放大性能,对反馈负反馈只能改善反馈环路内的放大性能,对反馈 环路外无效。(环路外无效。()8.8.若放大电路负载固定,为使其电压放大倍数稳定,若放大电路负载固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈,也可以引入电

46、流负反馈。(可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。()9.9.电压负反馈可以稳定输出电压,流过负载的电流也电压负反馈可以稳定输出电压,流过负载的电流也 就必然稳定。因此电压负反馈和电流负反馈都可以就必然稳定。因此电压负反馈和电流负反馈都可以 稳定输出电流,在这一点上电压负反馈和电流负反稳定输出电流,在这一点上电压负反馈和电流负反 馈没有区别。(馈没有区别。()10.10.负反馈能减小放大电路的噪声,因此无论噪声是输负反馈能减小放大电路的噪声,因此无论噪声是输 入信号中混合的还是反馈环路内部产生的,都能使入信号中混合的还是反馈环路内部产生的,都能使 输出端的信噪比得到提高输出端的信噪比得到提

47、高 。(。()11.11.由于负反馈可展宽频带,所以只有负反馈足够深,由于负反馈可展宽频带,所以只有负反馈足够深,就可以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高就可以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高 频信号。(频信号。()四、分析判断题四、分析判断题 电路如图所示,判别下列反馈电路的交直流组态和极性。交直流交直流 电压并联正反馈电压并联正反馈 交直流交直流 电流并联负反馈电流并联负反馈 1.直流直流 电流串联负反馈电流串联负反馈 交直流交直流 电压串联负反馈电压串联负反馈 2.交直流交直流 电流串联正反馈电流串联正反馈 交直流交直流 电压并联正反馈电压并联正反馈 3.交流交流 电压串联负反

48、馈电压串联负反馈 交直流交直流 电流串联正反馈电流串联正反馈4.交流交流 电压串联负反馈电压串联负反馈 交直流交直流 电流并联负反馈电流并联负反馈 5.交直流交直流 电压串联负反馈电压串联负反馈 交直流交直流 电流串联负反馈电流串联负反馈 6.交直流交直流 电压并联负反馈电压并联负反馈 交直流交直流 电压串联正反馈电压串联正反馈 7.交直流交直流 电压并联负反馈电压并联负反馈 交直流交直流 电流并联负反馈电流并联负反馈 8.交直流交直流 电流串联负反馈电流串联负反馈 交流交流 电压并联正反馈电压并联正反馈 9.交直流交直流 电压并联负反馈电压并联负反馈 交流交流 电流串联正反馈电流串联正反馈

49、10.交直流交直流 电压并联负反馈电压并联负反馈 交流交流 电压并联负反馈电压并联负反馈 11.第六章第六章 集成运算放大器基本应用电路集成运算放大器基本应用电路 0 线性线性 非线性非线性 虚断虚断 虚短虚短 4.下图中图为输入方式比例运算电路 i1iF、uN0;图为输入方式比例运算 电路i1iF、uN0。a 反相 b 同相 5.5.单值电压比较器有个门限电压,迟滞电压单值电压比较器有个门限电压,迟滞电压比较器有个门限电压。比较器有个门限电压。6.6.电压传输特性如图所示,参考电压是电压传输特性如图所示,参考电压是_V_V,输出电压是输出电压是_V_V;输入信号加在;输入信号加在_输输入端。

50、入端。7.7.迟滞电压比较器回差电压的大小与和迟滞电压比较器回差电压的大小与和有关。有关。21 102 反相反相 UTH1UTH2BAAABBA A C B 三、判断题:三、判断题:1.1.运算电路中一般均引入负反馈。(运算电路中一般均引入负反馈。()2.2.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。(在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。()3.3.凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用“虚短虚短”和和 “虚断虚断”的概念。(的概念。()4.4.处于线性工作状态的实际集成运放,在实现信号运处于线性工作状态的实际集成运放,在实现信号运 算时,两个输

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