半导体器件教学PPT.ppt

单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,一、电子技术的发展,电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之,“,无孔不入,”,，应用广泛！,广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机,网络：路由器、,ATM,交换机、收发器、调制解调器,工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床,交通：飞机、火车、轮船、汽车,军事：雷达、电子导航,航空航天：卫星定位、监测,医学：,刀、,CT,、,B,超、微创手术,消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统,绪 论,1904,年,电子管问世,1947,年,晶体管诞生,1958,年集成电路研制成功,电子管、晶体管、集成电路比较,电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管半导体管集成电路,半导体元器件的发展,1947,年 贝尔实验室制成第一只晶体管,1958,年 集成电路,1969,年 大规模集成电路,1975,年 超大规模集成电路,第一片集成电路只有,4,个晶体管，而,1997,年一片集成电路中有,40,亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按,10,倍,/6,年的速度增长，到,2015,或,2020,年达到饱和。,第一只晶体管的发明者,（,by John Bardeen,William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab,）,第一个集成电路及其发明者,（,Jack Kilby from TI,）,1958,年,9,月,12,日，在德州仪器公司的实验室里，实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想。,42,年以后，,2000,年获诺贝尔物理学奖。“为现代信息技术奠定了基础”。,他们在,1947,年,11,月底发明了晶体管，并在,12,月,16,日正式宣布“晶体管”诞生。,1956,年获诺贝尔物理学奖。,巴因,所做的超导研究于,1972,年第二次获得诺贝尔物理学奖。,值得纪念的几位科学家！,二、模拟信号与模拟电路,1.,电子电路中信号的分类,数字信号,：离散性,模拟信号：连续性。,大多数物理量为模拟信号。,2.,模拟电路,模拟电路,是对模拟信号进行处理的电路。,最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。,其它模拟电路多以放大电路为基础。,“,1”,的电压当量,“,1”,的倍数,任何瞬间的任何值均是有意义的,三、电子信息系统的组成,模拟电子电路,数字电子电路（系统）,传感器接收器,隔离、滤波、放大,运算、转换、比较,功放,模拟,-,数字混合电子电路,模拟电子系统,执行机构,第,1,章 半导体器件,1.1,半导体的基本知识,1.2 PN,结与二极管,1.3,半导体三极管,1.4,场效应管,本章要求：,一、理解,PN,结的单向导电性，三极管的电流分配和,电流放大作用；,二、了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；,三、会分析含有二极管的电路。,1.1,半导体的导电性能,、导体、半导体和绝缘体,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,半导体的导电特性,半导体的导电特性：,(,可做成温度敏感元件，如热敏电阻,),。,掺杂性：,往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电,能力明显改变,(,可做成各种不同用途的半导,体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：,当受到光照时，导电能力明显变化,(,可做,成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极,管、光敏三极管等,),。,热敏性：,当环境温度升高时，导电能力显著增强,完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子，称为,价电子,。,Si,Si,Si,Si,价电子,1.1.1,本征半导体,硅原子外层轨道,4,个价电子，它与相邻原子靠得很 近，使价电子成为两个原子共有，形成共价键结构。,Si,Si,Si,Si,价电子,价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）,。,本征半导体的导电机理,本征激发：,空穴,温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动），,产生电流,。,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流,：,(1),自由电子作定向运动,电子电流,(2),价电子递补空穴,空穴电流,注意：,(1),本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；,(2),温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和,空穴都称为载流子。,自由电子和,空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。,1.1.2,杂质半导体,在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体。根据掺杂的不同，杂质半导体分为：,N,型半导体：在纯净半导体中掺入微量的五价元素（如磷、,砷,）后形成,P,型半导体：在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼）后形成。,N,型半导体,掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或,N,型半导体。,掺入五价元素,Si,Si,Si,Si,p+,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的五价元素,在,N,型半导体中自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。,P,型半导体,掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或,P,型半导体。,掺入三价元素,Si,Si,Si,Si,P,型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。,B,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,无论,N,型或,P,型半导体都是中性的，对外不显电性（晶体中正负电荷数目相等）。,在本征半导体中掺入微量三价元素,思考：,N,型半导体中的自由电子多于空穴,P,型半导体中的空穴多于自由电子,是否,N,型半导体带负电，而,P,型半导体带正电？,不是。,当原子没有被激发时，价电子被共价键束缚得很紧，,此时晶体没有导电能力；而被激发形成了,N,或,P,型,导体以后，载流子的多少，只表示导电能力的大小，,对外并不显电性。,所以我们应该注意：不论,N,型，,P,型半导体，虽然,它们都有一种载流子占多数，但整个晶体是不带电的。,当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将,N,型转型为,P,型；,杂质半导体的转型：,当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将,P,型转型为,N,型,问题：,N,型半导体可否转成,P,型？或是,P,型半导体能否转成,N,型？,通过特殊的掺杂工艺，使半导体的一边形成,N,型区，另一边形成,P,型区，交界处将形成一个特殊的薄层，称为,PN,结,。,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,PN,结的形成,1.2 PN,结与二极管,（,1,）由于载流子的浓度差别作用下，多子做扩散运动，电子从,N,区,P,向区扩散，在交界面,N,区附近留下一些带正电的五价杂质离子，形成正空间电荷区,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,N,区一侧失去电子留下不能移动的正离子，该离子不能参与导电。,同样，在浓度差的作用下，空穴从,P,区向,N,区扩散,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,P,区一侧失去空穴留下不能移动的负离子，,该离子也不能参与导电。,在交界面,P,区附近留下一些带负电的三价杂质离子，,形成负空间电荷区,在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在,P,区和,N,区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子，称为空间电荷区。,空间电荷区,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,PN,结,空间电荷区,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,这个空间电荷区就是,PN,结。,正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，称为内电场,内电场方向,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,内电场方向是从带正电的,N,区指向带负电的,P,区,内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，即,PN,结,阻碍多子的扩散,，这是一方面；,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,P,向,N,区扩撒的空穴在空间电荷区将受到内电场的阻力,N,向,P,区扩撒的自由电子也将受到内电场的阻力,此时少数载流子在内电场作用下有规则的运动，,即,PN,结另一方面还要,加速少子的漂移运动,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,PN,结,一方面阻碍多子的扩散，另一方面内电场对与少数载流子则可推动它们越过空间电荷区，进入对方,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,扩散和漂移互相联系又互相矛盾，逐渐达到平衡动态平衡。当空间电荷区的宽度基本稳定下来，,PN,结处于相对稳定的状态。,当扩散与漂移作用平衡时,a.,流过,PN,结的净电流为零。,b.PN,结的厚度一定（约几个微米）。,c.,接触电势一定（约零点几伏）。,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,-,-,P,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,当,N,区和,P,区的掺杂浓度不等时：,离子密度大,空间电荷区的宽度较窄,离子密度小,空间电荷区的宽度较宽,高掺杂浓度区域用,N,+,表示,+,+,+,+,+,+,_,_,_,_,_,_,P,N,+,1.2.2,PN,结的单向导电性,PN,结,正向偏置,结构：,P,区加正电压、,N,区加负电压,特点：,结电阻很小，正向电流较大,PN,结,反向偏置,结构：,P,区加负电压、,N,区加正电压,特点：,结电阻很大，反向电流很小,PN,结最基本的特性：单向导电性,即外加正向电压，,PN,结导通；外加反向电压，,PN,结截止。,-,-,-,-,-,-,P,N,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,S,E,内,+,+,+,+,+,+,PN,结上加正向电压，,+,接,P,，,-,接,N,。外电场与内电场方向相反，破坏扩散与漂移的平衡,-,-,-,-,-,-,P,N,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,S,E,内,+,+,+,+,+,+,内电场被削弱,PN,结变窄,多子扩散增加,P,区的空穴受外电场影响进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，,N,区的自由电子也进入抵消一部分正空间电荷,外电场越强，正向电流越大（,P,至,N,），,PN,结呈现低阻、导通状态,-,-,-,-,-,-,P,N,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,S,E,内,+,+,+,+,+,+,内电场被削弱,PN,结变窄,多子扩散增加,正向电流（由,P,流向,N,区的电流），包括空穴电流和电子电流,空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但由于它们运动的方向相反,所以电流一致，外电源不断向半导体提供电荷，使电流得以维持。,内电场增强,PN,结变宽,不利多子扩散,有利少子漂移,-,-,-,-,-,-,P,N,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,S,E,内,+,+,+,+,+,+,2,PN,结反向偏置,外电场和内电场方向一致，内电场加强，使多子扩散难于进行，加强了漂移运动。,PN,结呈现高阻、截止状态。,此电流称为,反向饱和电流，记为,I,S,。,外电场作用下，,N,中的空穴越过,PN,结进入,P,区，,P,区自由电子越过,PN,结进入,N,区，在电路中形成反向电流（,N,流向,P,），少数载流子数量少,，,所以反向电流不大，此时,PN,结反向电阻很高。由于少子是靠热能激发产生，所以温度越高反向电流越大。,-,-,-,-,-,-,P,N,+,+,+,+,+,+,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,S,E,内,+,+,+,+,+,+,因此，少子浓度度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关,PN,结具有单向导电性,PN,结变窄,P,接正、,N,接负,外电场,I,F,内电场,P,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,正向偏置时导通，正向电阻很小,PN,结具有单向导电性,外电场,P,接负、,N,接正,内电场,P,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,反向偏置时截止，反向电阻很大,二极管的组成,将,PN,结封装，引出两个电极，就构成了二极管。,小功率二极管,大功率二极管,稳压,二极管,发光,二极管,10.2.2,半导体二极管,一、二极管的组成,点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。,面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。,平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。,二极管导通电路,E,D,PN,结加正向电压,PN,结加反向电压,半导体二极管的类型,（,1,）按使用的半导体材料不同分为,（,2,）按结构形式不同分,硅管,锗管,点接触型,平面型,2,半导体二极管的伏安特性,硅管,0,0.8,反向特性,正向特性,击穿特性,0,0.8,反向特性,锗管,正向特性,u,D,i,D,(,1),整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。,(2),有死区,（,i,D,0,的区域）,正向特性,死区电压约为,硅管,0.6-0.7V,锗管,0.2-0.3V,O,i,D,正向特性,击穿电压,死区电压,U,(BR),反向特性,u,D,(3),导通后（即,u,D,大于死区电压后）,管压降,u,D,约为,硅管,0.60.7V,锗管,0.20.3V,取管压降,u,D,硅管,0.7V,锗管,0.2V,O,i,D,正向特性,击穿电压,死区电压,U,(BR),反向特性,u,D,即,u,D,升高,，,i,D,急剧,增大,反向特性,（,1,）,当,时,，,I,S,硅管,V,阴,或,U,D,为正,(,正向偏置,),，二极管导通,若,V,阳,V,阴,二极管导通,若忽略管压降，二极管可看作短路，,U,AB,=,6V,否则，,U,AB,为,6.3,或,6.7V,例,1,：,取,B,点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,D,6V,12V,3k,B,A,U,AB,+,因为,，,正向管压降,硅,0.60.7,V,锗0.2,0.3,V,两个二极管的阴极接在一起,取,B,点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V,1,阳,=,6 V,，,V,2,阳,=0 V,，,V,1,阴,=,V,2,阴,=,12 V,U,D1,=6V,，,U,D2,=12V,U,D2,U,D1,D,2,优先导通，,D,1,截止。,若忽略管压降，二极管可看作短路，,U,AB,=,0 V,例,2:,D,1,承受反向电压为,6 V,流过,D,2,的电流为,求：,U,AB,B,D,1,6V,12V,3k,A,D,2,U,AB,+,u,i,8V,，二极管导通，可看作短路,u,o,=8V,u,i,8V,，二极管截止，可看作开路,u,o,=,u,i,已知：,二极管是理想的，试画出,u,o,波形。,8V,例,3,：,二极管的用途：,整流、检波、,限幅、钳位、开,关、元件保护、,温度补偿等。,u,i,18V,参考点,二极管阴极电位为,8 V,D,8V,R,u,o,u,i,+,+,1.2.4,特殊二极管,2.,伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,1,.,符号,_,+,U,I,Z,I,Zmax,U,Z,I,Z,U,Z,I,曲线越陡，电压越稳定。,稳压二极管,在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。,U,I,I,Z,I,Zmax,U,Z,I,Z,U,Z,稳压二极管的主要参数,(1),稳定电压,U,Z,稳压管正常工作,(,反向击穿,),时管子两端的电压。,(2),电压温度系数,环境温度每变化,1,C,引起,稳压值变化的,百分数,。,(3),动态电阻,(4),稳定电流,I,Z,、最大稳定电流,I,ZM,(5),最大允许耗散功率,P,ZM,=,U,Z,I,ZM,r,Z,愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,稳压二极管的应用举例,u,o,i,Z,D,Z,R,i,L,i,u,i,R,L,稳压管的技术参数,:,解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为,I,z,max,方程,1,要求当输入电压由正常值发生,20%,波动时，负载电压基本不变。,求：,电阻,R,和输入电压,u,i,的正常值。,令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为,I,z,min,。,方程,2,u,o,i,Z,D,Z,R,i,L,i,u,i,R,L,联立方程,1,、,2,，可解得：,发光二极管、光电二极管、光电耦合器,1.,发光二极管：有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。,2.,光电二极管：光照增强时，外加反偏压作用下，反向电流增加。,3.,光电耦合器：如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件。,光电二极管,反向电流随光照强度的增加而上升。,I,U,照度增加,符号,发光二极管,有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几,几十,mA,光电二极管,发光二极管,1.3,半导体三极管,基本结构,N,N,P,基极,发射极,集电极,NPN,型,B,E,C,B,E,C,PNP,型,P,P,N,基极,发射极,集电极,符号：,B,E,C,I,B,I,E,I,C,B,E,C,I,B,I,E,I,C,NPN,型三极管,PNP,型三极管,半导体三极管图片,半导体三极管图片,半导体三极管的,类型,NPN,（硅管多）,PNP,（锗管多）,B,E,C,I,B,I,E,I,C,B,E,C,I,B,I,E,I,C,注意：,三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,即发射极电流的实际方向。,基区：最薄，,掺杂浓度最低,发射区：掺,杂浓度最高,发射结,集电结,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,结构特点：,集电区：,面积最大,电流分配和放大原理,1.,三极管放大的外部条件,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,R,C,发射结正偏、集电结反偏,PNP,发射结正偏,V,B,V,E,集电结反偏,V,C,V,E,集电结反偏,V,C,V,B,U,BE,0,U,BC,0,B,E,C,P,P,N,E,B,R,B,E,C,R,C,U,BE,0,V,C,V,B,V,E,V,E,V,B,V,C,2.,各电极电流关系及电流放大作用,I,B,(mA),I,C,(mA),I,E,(mA),0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.001,0.70,1.50,2.30,3.10,3.95,0.001,0.72,1.54,2.36,3.18,4.05,结论,:,1,）三电极电流关系,I,E,=,I,B,+,I,C,2,）,I,C,I,B,，,I,C,I,E,3,）,I,C,I,B,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。,实质,:,用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是,CCCS,器件,。,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,R,C,3.,三极管内部载流子的运动规律,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,I,BE,I,CE,I,CBO,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流,I,E,。,进入,P,区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流,I,BE,，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成,I,CE,。,集电结反偏，有少子形成的反向电流,I,CBO,。,3.,三极管内部载流子的运动规律,I,C,=,I,CE,+,I,CBO,I,CE,I,C,I,B,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,I,E,I,BE,I,CE,I,CBO,I,B,=,I,BE,-,I,CBO,I,BE,I,CE,与,I,BE,之比称为共发射极电流放大倍数,集射极穿透电流,温度,I,CEO,(,常用公式,),若,I,B,=0,则,I,C,I,CE0,静态直流,特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：,1,）直观地分析管子的工作状态,2,）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路（共射电路）,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,I,C,E,B,mA,A,V,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,V,+,+,+,+,特性曲线,1.,输入特性,特点,:,非线性,正常工作时,发射结电压,：,NPN,型硅管,U,BE,0.60.7V,PNP,型锗管,U,BE,0.2 0.3V,I,B,(,A),U,BE,(V),20,40,60,80,0.4,0.8,U,CE,1V,O,U,CE,=0V,R,B,I,C,E,B,I,B,E,C,R,C,E,R,B,E,B,E,B,C,相当于二极管的伏安特性,2.,输出特性,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,O,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1),放大区,在放大区有,I,C,=,I,B,，也,称为线性区，具有恒流特性。,在放大区，,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。,集电极电流,集电极,-,发射极电压,1,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,O,（,2,）截止区,I,B,0,以下区域为,截止区，有,I,C,0,。,在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。,饱和区,截止区,（,3,）饱和区,当,U,CE,U,BE,时,，,晶体管工作于饱和状态。,在饱和区，,I,B,I,C,，,发射结处于正向偏置，,集电结也处于正,偏。,深度饱和时，,硅管,U,CES,0.3V,，,锗管,U,CES,0.1V,。,主要参数,1.,电流放大系数,有,，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体管接成发射极电路时，,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意：,和,的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且穿透电流,I,CE0,较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的,值在,20 200,之间，电流放大,20200,倍。,例：在,U,CE,=6 V,时，在,Q,1,点,I,B,=40,A,I,C,=1.5mA,；,在,Q,2,点,I,B,=60 A,I,C,=2.3mA,。,在以后的计算中，一般作近似处理：,=,。,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,3,6,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),9,12,0,Q,1,Q,2,在,Q,1,、,Q,2,点，,直流放大系数为：,交流放大系数：,2.,集,-,基极反向截止电流,I,CBO,I,CBO,是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。,温度,I,CBO,I,CBO,A,+,E,C,3.,集,-,射极反向截止电流,(,穿透电流,),I,CEO,A,I,CEO,I,B,=0,+,I,CEO,受温度的影响大。,温度,I,CEO,，,所以,I,C,也相应增加。,三极管的温度特性较差。,4.,集电极最大允许电流,I,CM,5.,集,-,射极反向击穿电压,U,(BR)CEO,集电极电流,I,C,上升会导致三极管的,值的下降，当,值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为,I,CM,。,当集,射极之间的电压,U,CE,超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是,25,C,、,基极开路时的击穿电压,U,(BR),CEO,。,6.,集电极最大允许耗散功耗,P,CM,P,CM,取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。,P,C,P,CM,=,I,C,U,CE,硅,管允许结温约为,150,C,，,锗,管约为,70,90,C,。,I,C,U,CE,=P,CM,I,CM,U,(BR)CEO,安全工作区,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,I,C,U,CE,O,最大允许功率损耗，三极管工作时不能超过这个安全工作区。,晶体管参数与温度的关系,1,、温度每增加,10,C,，,I,CBO,（集,-,基极反向截止电流）增大一倍。硅管优 于锗管。,2,、温度每升高,1,C,，,U,CEO,（集,-,发射极反向击穿电压）,将减小,(2,2.5)mV,，即晶体管具有负温度系数。,3,、温度每升高,1,C,，,（交流放大倍数）,增加,0.5%1.0%,。,练习,1,：,测得某放大电路中三极管的三个电极,A,B,C,的对地电位分别为,V,A,=-9V,V,B,=-6V,V,C,=-6.2V,试分析,A,、,B,、,C,中那个是基极,b,，发射极,e,，集电极,c,，并说明此三极管是,NPN,管还是,PNP,管，硅管还是禇管。,这是锗管，,A,是集电极，,B,是发射极，,C,是基极，是一个,PNP,管。,C,B,A,I,B,I,E,I,C,PNP,型,锗,管,PNP,发射结正偏,V,B,V,E,集电结反偏,V,C,0,时，,P,型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；,N,型导电沟道,在漏极电源的作用下将产生漏极电流,I,D,，管子导通。,当,U,GS,U,GS,（,th,）,时，将,出现,N,型导电沟道，将,D-S,连接起来。,U,GS,愈高，导电沟道愈宽。,E,G,P,型硅衬底,N,+,N,+,G,S,D,+,U,GS,E,D,+,N,型导电沟道,当,U,GS,U,GS,(th,）,后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，,若漏,源之间加上一定的电压,U,DS,，则有漏极电流,I,D,产生。在一定的,U,DS,下,漏极电流,I,D,的大小与栅源电压,U,GS,有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。,在一定的漏,源电压,U,DS,下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压,U,GS(,th,）,。,开启电压,U,GS,(th,）,3),特性曲线,有导电沟道,转移特性曲线,无导电,沟道,U,DS,U,GS,/,I,D,/mA,U,DS,/V,o,U,GS,=1V,U,GS,=2V,U,GS,=3V,U,GS,=4V,输出特性曲线,恒流区,可变电阻区,截止区,N,型衬底,P,+,P,+,G,S,D,符号：,结构,4),P,沟道增强型,S,i,O,2,绝缘层,加电压才形成,P,型导电沟道,增强型场效应管只有当,U,GS,U,GS,(th,）,时才形成导电沟道。,2.,耗尽型绝缘栅场效应管,G,S,D,符号：,如果,MOS,管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。,(1)N,沟道耗尽型管,S,i,O,2,绝缘层中,掺有正离子,予埋了,N,型,导电沟道,由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在,U,GS,=0,时，,若漏,源之间加上一定的电压,U,DS,，也会有漏极电流,I,D,产生。,当,U,GS,0,时，使导电沟道变宽，,I,D,增大；,当,U,GS,0,时，使导电沟道变窄，,I,D,减小；,U,GS,负值愈高，沟道愈窄，,I,D,就愈小。,当,U,GS,达到一定,负值时，,N,型导电沟道消失，,I,D,=0,，,称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的,U,GS,称为夹断电压，用,U,GS,(off,）,表示。,这,时的,漏极电流,用,I,DSS,表示，称为,饱和漏极电流，此时,(2),耗尽型,N,沟道,MOS,管的特性曲线,夹断电压,耗尽型的,MOS,管,U,GS,=0,时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。,U,GS(off),转移特性曲线,0,I,D,/mA,U,GS,/V,-1,-2,-3,4,8,12,9,1,2,U,DS,=,常数,U,DS,U,GS,=0,U,GS,0,输出特性曲线,0,I,D,/mA,9,20,12,4,8,12,9,4,8,I,DSS,(3)P,沟道耗尽型管,符号：,G,S,D,予埋了,P,型,导电沟道,S,i,O,2,绝缘层中,掺有负离子,耗尽型,G,S,D,G,S,D,增强型,N,沟道,P,沟道,G,S,D,G,S,D,N,沟道,P,沟道,G,、,S,之间加一定,电压才形成导电沟道,在制造时就具有,原始,导电沟道,3.,场效应管的主要参数,(1),开启电压,U,GS(th),：,是增强型,MOS,管的参数,(2),夹断电压,U,GS(off),：,(3),饱和漏电流,I,DSS,：,是结型和耗尽型,MOS,管的参数,(4),低频跨导,g,m,：,表示栅源电压对漏极电流,的控制能力,极限参数：,最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。,场效应管与晶体管的比较,电流控制 电压控制,控制方式,电子和空穴两种载,流子同时参与导电,载流子,电子或空穴中一种,载流子参与导电,类 型,NPN,和,PNP N,沟道和,P,沟道,放大参数,r,ce,很高,r,ds,很高,输出电阻,输入电阻,较低,较高,双极型三极管 单极型场效应管,热稳定性,差,好,制造工艺,较复杂,简单，成本低,对应电极,B,E,C,G,S,D,