实验一 存储器读写实验.ppt

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,实验一,存储器读写实验,一、实验目的,1,、复习相关汇编程序及其调试,2,、熟悉掌握对,RAM,的操作,二、预备知识,1,、,SRAM6116,引脚读写操作,2,、,SRAM 3,、常用调试命令,1.HM6116,它是,2K*8,位的高速静态,CMOS,随机存取存储器,其基本特征是,:,（,1,）高速度,-,存取时间为,100ns/120ns/150ns/200ns(,分别以,6116-10,、,6116-12,、,6116-15,、,6116-20,为标志,),。,（,2,）低功耗,运行时间为,150mW,空载时为,mW,。,（,3,）与,TTL,兼容。,1.HM6116,（,4,）管脚收出与标准的,2K*8b,的芯片（例如，,2716,芯片兼容）。,（,5,）完全静态,无须时钟脉冲与定时选通脉冲。,（,6,）,HM6116,有,11,条地址线、,8,条数据线、,1,条电源线、,1,条接地线,GND,和,3,条控制线,片选信号,/CE,、写允许信号,/WE,和输出允许信号,/OE,。,A10,A0,（,address inputs,）：地址线，可寻址,2KB,的存储空间。,D7,D0,（,data bus,）：数据线，双向，三态。,/OE,（,output enable,）：读出允许信号，输入，低电平有效。,/WE,（,write enable,）：写允许信号，输入，低电平有效。,/CE,（,chip enable,）：片选信号，输入，低电平有效。,VCC,：,5V,工作电压。,GND,：信号地。,6116,的操作方式,6116,的操作方式由,/WE,、,/OE,、,/CE,的共同作用决定,写入：当,/WE,和,/CE,为低电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线,D7,D0,写入被选中的存储单元。,读出：,/OE,当 和,/CE,为低电平，且,/WE,为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线,D7,D0,上。,保持：当,/CE,为高电平、,/OE,和,/WE,为任意时，芯片未被选中，处于保持状态，数据线呈现高阻状态。,动态调试工具,DEBUG,的常用命令,1.U,命令,(,反汇编,),2.G,命令,(,执行,),3.T,命令,(,跟踪执行,),4.D,命令,(,显示内存,),5.R,命令,(,修改寄存器,),三、实验内容,1,、将字符,A-Z,逐个存入,RAM,中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。,2,、用一片,6116,作为内存扩展，向,8000H,：,0H,至,8000H,：,100H,单元的偶地址单元送入,0AAH,（扩充）,1,、将字符,A-Z,逐个存入,RAM,中，,然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。,CODE SEGMENT,ASSUME CS:CODE,START:,JMP START_,DAT DB 26 DUP(?),CHAR DB ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ,RAMDUXIE.ASM,START_:,MOV AX,CS,ADD AX,10H,MOV DS,AX,LEA BX,CHAR,MOV CX,26,MOV SI,BX,LEA BX,DAT,MOV DI,0,WRITE:,LODSB,MOV BYTE PTR BXDI,AL,INC DI,LOOP WRITE,MOV CX,26,LEA BX,DAT,MOV SI,BX,READ:,LODSB,CALL SHOW,NOP,NOP,NOP,LOOP READ,JMP$,BUSY PROC,PUSH DX,PUSH AX,BUSY1:,MOV DX,84H,IN AL,DX,AND AL,80H,JNZ BUSY1,POP AX,POP DX,RET,BUSY ENDP,SHOW PROC NEAR,PUSH DX,PUSH AX,CALL BUSY,MOV DX,88H,OUT DX,AL,POP AX,POP DX,RET,SHOW ENDP,CODE ENDS,END START,实验现象：,屏幕将显示,26,个大写的英文字母。,思考题：,按信息的存储方式，,RAM,分为哪几类，,6116,属于哪一类？,2,、用一片,6116,作为内存扩展，向,8000H,：,0H,至,8000H,：,100H,单元的偶地址单元送入,0AAH,（扩充）,实验线路连接：,（,1,）本实验用到的主要模块：,6116,模块、地址及数据总线单元等；,（,2,）数据线接系统数据总线输出单元任意一插座；,（,3,）地址接地址总线输出单元的,A0A7,。,实验程序与流程图,CODE SEGMENT,ASSUME CS:CODE,START:,MOV CX,50H,MOV DI,0,MOV AX,8000H,MOV DS,AX,MOV ES,AX,WRITE:,MOV AL,0AAH,STOSB,MOV AL,55H,STOSB,LOOP WRITE,MOV CX,50H,MOV SI,0000H,READ:,LODSW,CMP AX,55AAH,JNZ NOT_RIGHT,LOOP READ,MOV AL,R,MOV DX,88H,OUT DX,AL,JMP$,NOT_RIGHT:,MOV AL,E,MOV DX,88H,OUT DX,AL,JMP$,实验现象：,如果存储器没有错误，将显示字符,R,，否则，显示字符,E,。,思考题：,RAM,和,ROM,有什么区别？掉电后，两种存储器的内容有什么变化？,