硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量.ppt

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量,X,射线光电子能谱法,1,、测量,本标准适用的氧化硅层厚度不大于,20 nm,。,真空度：,10,-7,pa,温度：,20,土,5,相对湿度：小于,65,2,、符号,3.,样品准备,1,清洗：,当样品表面轻微污染,(,碳质污染层为,0,15 nm,o,3 nm),时，污染层对厚度测量的影响可以忽略，对于污染较严重的样品应进行清洗，清洗方法是将样品在分析纯异丙醇中浸泡,16 h,左右，然后超声清洗，再用新鲜的异丙醇淋洗，最后用高纯氩气流吹干。,2,储存：,样品应放在由,PMMA,（聚甲基丙烯酸甲酯）所制成的盒子中，样品应由聚四氟乙烯聚四氟乙烯所制成的支架支撑，以避免对样品的破坏。,膜层厚度,衰减波长：,R,值：,