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第8章 扩展存储器的设计.ppt

上传人:xrp****65 文档编号:13757625 上传时间:2026-04-10 格式:PPT 页数:47 大小:1.74MB 下载积分:10 金币
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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,外部总线扩展,存储器概述,第章扩展,存储器设计,本章内容,Single Chip Microcomputer,常用扩展存储芯片,编址技术,8.1 外部总线扩展,片内的资源如不满足需要,需外扩存储器和,I/O,功能部件:内容主要有:,(1)外部存储器的扩展,(外部存储器又分为外部程序存储器和外部数据存储器,程序存储器,(program storage),在计算机的主存储器中专门用来存放程序、子程序的一个区域。,(2),I/O,接口部件的扩展,。,本章介绍,MCS,51,单片机如何扩展外部存储器,,I/O,接口部件的扩展下一章介绍。,为什么要进行单片机的存储器扩展?,子系列,机 型,片内,ROM,片内,RAM,可寻址,ROM,范围,可寻址,RAM,范围,51,子系列,8031,无,128B,64KB,64KB,8051,4KB,128B,64KB,64KB,8751,4KB,128B,64KB,64KB,52,子系列,8032,无,256B,64KB,64KB,8052,8KB,256B,64KB,64KB,实际应用时,如果单片机内部程序存储器的容量不能满足要求时,就需要在其外部进行存储器的扩展。,程序存储器,程序,存储器,内部,外部,0000H,FFFFH,(64K),0000H,0FFFH,(4K),0000H,0001H,0002H,(PC),中断,5,中断,4,中断,3,中断,2,中断,1,0003H,000BH,0013H,001BH,0023H,002BH,外部中断,0,定时器,0,中断,外部中断,1,定时器,1,中断,串行口中断,8,位,0FFFH,0FFEH,EA=1 EA=0,程序,存储器资源分布,中断入口地址,内部存储器如果资源不够,如何扩展?需要哪几根控制线呢?,问题:,n,位地址可以产生的地址的数目为多少个地址单元?可以访问多少个存储单元?,单片机原理及应用,8051,数据,存储器,程序,存储器,I/O,接口,I/O,接口,I/O,设备,I/O,设备,地址总线,数据总线,控制总线,MCS-51,单片机扩展及系统结构,地址总线是,单向,的,从单片机发出。,数据总线是,双向,的。,对于一条控制线,其传送方向是,单向,的。,总线:,连接系统中各扩展部件的一组公共信号线。,地址总线:,传出单片机送出的地址信号,进行存储单元和,I/O,端口的选择。,数据总线:,单片机和存储单元以及单片机和,I/O,端口之间传输数据。,控制总线:,一组控制信号线的总称。有单片机发出的,也有从其他部件发向单片机的。,注 意,1,、单片机扩展的实现(总线构造),以,P0,口,的,8,位口线作,地址,/,数据,线(复用线),;,以,P2,口,的,8,位口线作,高,8,位地址,线。,MCS-51,单片机寻址范围为,64K,,需要,16,根,地址线,:,所谓复用:,既可作,地址,线(低,8,位),又可作,数据,线。,复用技术:,增加一个,8,位锁存器,通过对锁存器的控制实现对地址(低,8,位)和数据的分离,地址锁存器一般采用74,LS373,,,采用74,LS373,的地址总线的扩展电路如下图(图8-3),。,尽管,MCS-51,有4个并行,I/O,口,共32条口线,但由于系统扩展需要,,真正作为数据,I/O,使用的,就剩下,P1,口和,P3,口的部分口线。,2,、扩展时常用的控制信号,1,),ALE,:,地址锁存选通信号(高电平有效)。,2,),PSEN,:,扩展程序存储器(外部,ROM,)读选通信号(低电平有效)。,3,),EA,:,内外程序存储器的选择信号。,4,),RD,和,WR,:,扩展外部数据存储器(,RAM,)的读、写选通信号(低电平有效)。,单片机总线扩展结构图,8.2,存储器概述,分类,RAM,芯片,静态,RAM,(,Static RAM,)芯片,动态,RAM,(,Dynamic RAM,)芯片,ROM,芯片,掩模,ROM,PROM,(,Programmable ROM,),EPROM,(,Erasable PROM,),UVEPROM,(,Ultraviolet PROM,),EEPROM,(,Electrically EPROM,),半导体存储器的技术指标,存储容量,存取时间,恢复时间,存取周期,可靠性与工作寿命,性能,/,价格比,8.3 常用的扩展存储器芯片,1.锁存器74,LS373,带有三态门的8,D,锁存器,其引脚其内部结构如下图。,引脚说明如下:,D7D0:,8,位数据输入线,;,Q7Q0:,8,位数据输出线,;,G:,数据输入锁存选通信号,高电平有效,当该信号为高电平时,外部数据,选通到,内部锁存器,负跳变时,数据,锁存到,锁存器中,;OE*:,数据输出允许信号,低电平有效。,表,8-2 74ls373,功能表,G,D,Q,0,1,1,1,0,1,0,0,0,0,不变,1,高阻态,2.74LS138(38,译码器),引脚如图8-,5,,译码功能如表8-,3,(,P179),所示。当译码器的,输入为某一个固定编码时,其输出只有某一个固定的引脚输出为低电平,其余的为高电平。,使能控制,图8-,5,74,LS138,译码器真值表,74LS138,作译码器的连接,3,程序存储器,27X,系列,扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。,27系,列,产品,包括:,2764,(8,KB,8)、27128(16KB,8)、27256 (32KB,8)、27512(64KB,8)。,“,27,”,后面的数字表示其位存储容量。,参数见表8-4(,P180)。,A0A15:,地址线引脚。数目决定存储容量来定,用,来进行单元选择。,D7D0:,数据线引脚,;,CE*:,片选输入端,OE*,:,输出允许控制端,;,PGM*:,编程时,加编程脉冲的输入端,Vpp,:,编程时,编程电压(+12,V,或+25,V),输入端,Vcc:,+5V,,芯片的,工作,电压,;,GND:,数字地。,NC:,无用端,图,7,2716,外引线排列图,CE/PGM,A,7,GND,13,12,14,11,15,10,16,9,17,8,18,7,19,6,20,5,21,4,22,3,23,2,24,1,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,D,0,D,1,D,2,V,CC,A,8,A,9,A,10,OE,2716,V,PP,D,7,D,6,D,5,D,4,D,3,编程高电压,25V,片选,/,编程控制,2716,27512,系列的,EPROM,集成片,除了存储容量和编程高电压不同外,其余都基本相同。,电源电压,+5V,OE*,:,输出允许控制端,;,扩展一片,Intel 2764,存储器,MCS-51,与外部程序存储器的连接采用分时总线方法,地址线:,P0,(低,8,位),,P2,口(高,8,位),数据线:,P0,口(,P0,口分时复用,需加锁存器,,暂存低,8,位地址信息),控制线,:,/EA,内部,/,外部,ROM,选择信号,ALE,低,8,位地址锁存允许信号,/PSEN,外部,ROM,读选通信号,P,2.4,P,2.3,P,2.2,P,2.1,P,2.0,P,0.7,P,0.6,P,0.5,P,0.4,P,0.3,P,0.2,P,0.1,P,0.0,ALE,/PSEN,A,12,A,11,A,10,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,D,7,D,6,D,5,D,4,D,3,D,2,D,1,D,0,/OE,G,/EA,8031,VCC,VPP,/CE,GND,+5V,74LS373,2764,2764,有正常和编程两种工作方式:,正常工作,方式是指,2764,在应用系统中的工作方式,分为读出和维持两种工作状态;,编程工作,方式是指,2764,芯片写入程序时的工作方式,分为编程、校验和禁止编程,3,中工作状态。,2764,不同工作方式下的引脚状态见表,8-5,。,4,数据存储器,6X,系列,6264,逻辑图,6264,引脚图,型号:,6264,前两位数,62,表示,SRAM,后两位,648=8k,字节容量,62128,有,1288=16k,字节容量,;,62256,有,2568=32k,字节容量,A0Ai:,地址输入线,,i=10、12、14(6116/6264/62256);,D0D7:,三态双向数据线;,/CE,:片选信号输入线,低电平有效;,/WE,:读写命令线;,/OE:,允许输入端,低电平有效。,6264,芯片解析,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,28,27,26,25,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,NC,A,12,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,O,0,O,1,O,2,GND,0,3,O,4,O,5,O,6,O,7,CE,1,A,0,1,OE,A,11,A,9,A,8,CE,WE,V,CC,6264,数据存贮器引脚图,6264,引脚图,工作方式,WE,CE,1,CE,2,OE,D,0,D,7,未选通,选通,读,写,禁止,1,1,0,0,1,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,0,1,0,高阻,高阻,输出数据,写入数据,不允许,6264,工作方式,6264,的工作方式有,5,种,其在不同工作方式下的引脚状态见表,8-7,,。其中读出和写入是有效方式,扩展一片,6264,存储器,MCS-51,与外部数据存储器的连接采用分时总线方法,地址线:,P0,(低,8,位),,P2,口(高,8,位),数据线:,P0,口(,P0,口分时复用,需加锁存器,,暂存低,8,位地址信息),控制线,:,/RD-/OE,ALE,低,8,位地址锁存允许信号,/WR-/WE,P,2.4,P,2.3,P,2.2,P,2.1,P,2.0,P,0.7,P,0.6,P,0.5,P,0.4,P,0.3,P,0.2,P,0.1,P,0.0,ALE,/RD,A,12,A,11,A,10,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,D,7,D,6,D,5,D,4,D,3,D,2,D,1,D,0,/OE,G,/EA,8031,VCC,/CE,GND,+5V,74LS373,/WE,/WR,6264,1.,线选法,剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。,2.,译码法,剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。,8.4,片外存储器扩展编址技术,直接用系统的高位地址线作,RAM,芯片的片选信号。,例,:,外扩8,KB,EPROM,(2,片2732),4,KB,RAM,(2,片6116),1.线选法,2732:,4,KB ROM,,12根地址线,A0A11,1,根片选线,6116:,2,KB,RAM,,11根地址线,A0A10,,,1,根片选线,片选端,低电平有效,地址范围:,2732(1)的地址范围:7000,H7FFFH;,2732(2)的地址范围:,B000HBFFFH;,6116(1)的地址范围:,E800HEFFFH;,6116(2)的地址范围:,D800HDFFFH。,线选法特点,优点:,电路简单,不需另外增加硬件电路,体积小,成本低。,缺点:,可寻址的器件数目受限,地址空间不连续。,只适于外扩芯片不多,规模不大的单片机系统,线选法,P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0,:,1 1 0,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0,=C000H,1 1 0,1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,DFFFH,:,1 0 1,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0,=A000H,1 0 1,1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,BFFFH,:,011,0 0000,0000,0000,011,1 1111,1111,1111,=6000H,7FFFH,2.译码法,常用译码器芯片:,74,LS138(3-8,译码器),74,LS139(,双2-4译码器),74,LS154(4-16,译码器),全译码:,全部高位地址线都参加译码;,部分译码:,仅部分高位地址线参加译码。,译码法编址示例,2764,0,地址范围:,0000H1FFFH,000,0,0000,0000,0000,000,1,1111,1111,1111,2764,1,地址范围,:,2000H3FFFH,001,0,0000,0000,0000,001,1,1111,1111,1111,2764,2,地址范围,:,4000H5FFFH,010,0,0000,0000,0000,010,1,1111,1111,1111,2764,7,地址范围,:,E000HFFFFH,111,0,0000,0000,0000,111,1,1111,1111,1111,.,采用全地址译码方式,单片机发地址码时,每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。,例,:,要扩8片8,KB,的,RAM 6264,,如何通过74,LS138,把64,KB,空间分配给各个芯片?,如果用74,LS138,把64,K,空间全部划分为每块4,KB,,如何划分,?,例8-,4,采用,线选法,扩展2片8,KB,的,RAM,和2片8,KB,的,EPROM。RAM,选6264,,EPROM,选2764。扩展接口电路见下图。,(1)各芯片地址空间分配,(2)控制信号及片选信号,IC2,和,IC4,占用地址空间为2000,H3FFFH,共8,KB。,同理,IC1、IC3,地址范围4000,H5FFFH(P2.6=1、P2.5=0、P2.7=0)。,线选法地址不连续,地址空间利用不充分。,例8-,5,采用,译码器法,扩展,2片8,KB EPROM,2,片8,KB RAM。EPROM,选用2764,,RAM,选用6264,。共扩展4片芯片。扩展接口电路见下页。各存储器地址范围如下:,可见译码法进行地址分配,各芯片地址空间是连续的。,Beijing Institute of Petro-chemical Technology,Y,0,、,Y,1,、,Y,2,分别连接三片存储器的片选端,CE,1,、,CE,2,、,CE,3,AB,13,AB,14,AB,15,+5V,A Y,0,B Y,1,C Y,2,G,1,G,2A.B,Y,7,74LS138,各片存储器芯片分配地址:,CE,1,CE,2,CE,3,:,0000H,1FFFH,:,2000H,3FFFH,:,4000H,5FFFH,引脚与地址线赋值关系,高,8,位地址,低,8,位地址,8031,芯片引脚,P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1,P0.7 P0.6 P0.5 P0.4 P0.3 P0.2 P0.1,地址总线,AB,i,G A B 12 11 10 9 8,7 6 5 4 3 2 1 0,2764,地址线赋值情况,低地址,0 0 0 0 0 0 0 0,0 0 0 0 0 0 0 0,高地址,1 1 1 1 1,1 1 1 1 1 1 1 1,6264,地址线赋值情况,低地址,0 0 1 0 0 0 0 0,0 0 0 0 0 0 0 0,高地址,1 1 1 1 1,1 1 1 1 1 1 1 1,2764,和,6264,的地址范围如下:,ROM 2764,的地址:,0000H,1FFFH,RAM 6264,的地址:,2000H,3FFFH,
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