半导体器件物理学习资料二.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,上海电子信息职业技术学院,半导体器件物理,第二章,P-N,结,上海电子信息职业技术学院,半导体器件物理,本章重点,P-N,结的能带图,平衡,P-N,结的特点,P-N,结的直流特性,P-N,结,采用合金、扩散、离子注入等制造工艺，可以在一块半导体中获得不同掺杂的两个区域，这种,P,型和,N,型区之间的,冶金学界面,称为,P-N,结。,双极型及,MOS,型半导体器件是由一个或几个,P-N,结组成的，,P-N,结是很多半导体器件的心脏,，所以研究,P-N,结的交、直流特性，是搞清器件机理的基础。,2.1,P-N,结及其能带图,P-N,结的形成,在一块,N,型,(,或,P,型,),半导体单晶上，用适当的工艺（如合金法、扩散法、生长法、离子注入法等）把,P,型（或,N,型）杂质掺入其中，使这块半导体单晶的不同区域分别具有,N,型和,P,型的导电类型，在两者的交界面处就形成了,P-N,结。,制作方法,合金法,把一小粒铝放在一块,N,型单晶硅片上，加热到一定温度，形成铝硅的熔融体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在,N,型硅片上形成一含有高浓度铝的,P,型硅薄层，它和,N,型硅衬底的交界面即为,P-N,结（称之为铝硅合金结）。,扩散法,在,N,型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得,P-N,结。其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。如图所示在,N,型硅单晶上，生长一层,SiO,2,，通过光刻、扩散将,P,型杂质扩散入,N,型硅单晶中，形成,P-N,结（亦称之为扩散结）。,突变结,合金结的杂质分布如图所示，,N,型区中施主杂质浓度为,N,D,，而且是均匀分布的，,P,型区中受主杂质浓度为,N,A,，也是均匀分布的。在交界面处，杂质浓度从,N,A,（,P,型区中）突变为,N,D,（,N,型区中），故称之为突变结。,设,P-N,结的位置在,x=x,j,处，则突变结的杂质分布可表示为,实际的突变结，两边的杂质浓度相差很大。例如,N,区的施主杂质浓度为,10,16,cm,-3,，而,P,区的受主杂质浓度为,10,19,cm,-3,。,如图所示的杂质分布可近似为突变结。,缓变结,由扩散法形成的,P-N,结，杂质浓度从,P,区到,N,区是逐渐变化的，通常称之为缓变结，如图所示。,设,P-N,结位置在,x=x,j,处，则结中的杂质分布可表示为,如果杂质分布可用,x=x,j,处的,切线,近似表示，则称之为线性缓变结，如图所示。,此时，线性缓变结的杂质分布可表示为,j,是,x=x,j,处切线的斜率，称之为,杂质浓度梯度,，决定于扩散杂质的实际分布，可以用实验方法测得。,但对于,高表面浓度的浅扩散结,，,x,j,处的斜率,j,非常大，这时扩散结可用突变结来近似。,合金结和高表面浓度的浅扩散结一般可认为是突变结，而低表面浓度的深扩散结一般可认为是线性缓变结。,综上所述,P-N,结能带图,扩散,当半导体形成,P-N,结时，由于结两边存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从,P,区到,N,区，电子从,N,区到,P,区的扩散运动。,空间电荷,/,空间电荷区,对于,P,区空穴离开后，留下了不可移动的带负电荷的电离受主，这些电离受主没有正电荷与之保持电中性，因此，,在,P-N,结附近,P,区一侧出现了一个负电荷区,；,同理，,在,P-N,结附近,N,区一侧出现了,由电离施主构成的一个,正电荷区,，通常把在,P-N,结附近的这些电离施主和电离受主所带电荷称为,空间电荷,，它们所存在的区域称为,空间电荷区,（也称之为,势垒区,）,内建电场,空间电荷区中的这些电荷产生了,从,N,区指向,P,区,，即从,正电荷指向负电荷,的电场，称之为内建电场（自建电场）。,漂移,在内建电场作用下，载流子作漂移运动。显然，电子和空穴的漂移运动方向与它们各自扩散运动的方向相反。,因此，内建电场起到阻碍电子和空穴继续扩散的作用。,随着扩散运动的进行，空间电荷逐渐增多，空间电荷区逐渐扩展；同时，内建电场逐渐增强，载流子的漂移运动逐渐加强，在没有外加电压的情况下，载流子的扩散和漂移最终达到动态平衡，即从,N,区向,P,区扩散过去多少电子，同时就有同样多的电子在内建电场作用下返回,N,区。因而电子的,扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反,，从而相互抵消。对于空穴，情况完全相似。因此没有净电流流过,P-N,结，即净电流为零。,这时,空间电荷的数量一定,，,空间电荷区,不再继续扩展，,保持一定的宽度,，同时,存在一定的内建电场,。一般在这种情况下的,P-N,结称为热平衡状态下的,P-N,结（简称平衡,P-N,结）。,2.2,平衡,P-N,结,平衡,P-N,结的能带图,N,型、,P,型半导体的能带图，图中,E,Fn,和,E,Fp,分别表示,N,型和,P,型半导体的费米能级。,当两块半导体结合形成,P-N,结时，按照费米能级的意义，电子将从费米能级高的,N,区流向费米能级低的,P,区，空穴则从,P,区流向,N,区。因而,E,Fn,不断下移,，而,E,Fp,不断上移,，直至,E,Fn,=E,Fp,。,这时，,P-N,结中有统一的费米能级,E,F,，,P-N,结处于平衡状态,，其能带图如图所示。,能带相对移动的原因是,P-N,结空间电荷区中存在内建电场的结果。,P-N,结的载流子分布,计算平衡,P-N,结中各处的载流子浓度时，取,P,区电势为零,，则势垒区中一点,x,的电势,V(x,),为正值，越接近,N,区的点，其电势越高，到势垒区边界,x,n,处的,N,区电势最高为,V,D,，如图所示。,图中,x,n,，,-x,p,分别为,N,区和,P,区势垒区边界。,对电子而言，相应的,P,区的电势能为,0,，,比,N,区的电势能,E(x,n,)=,E,cn,=-qV,D,高,qV,D,。,势垒区内点,x,处的电势能为,E(x,)=-,qV(x,),，,比,N,区高,qV,D,-qV(x,),。,n,n0,N,区平衡多数载流子,电子浓度,n,p0,P,区平衡少数载流子,电子浓度,p,n0,N,区平衡少数载流子,空穴浓度,p,p0,P,区平衡多数载流子,空穴浓度,平衡,P-N,势垒区电子,和空穴的浓度分布,当,x=-x,p,时，,V(x)=0,，,n(-x,p,),=,n,p0,当,x=-x,p,时，,V(x)=0,，,p(-x,p,),=,p,p0,同一种载流子在势垒区两边的浓度关系服从玻尔兹曼分布函数关系,耗尽层,室温附近，对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但,载流子浓度比起,N,区和,P,区的多数载流子浓度小得多,，好像已经耗尽了，所以通常也称势垒区为耗尽层，即认为其中载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。,势垒区和接触电势差,从图中可以看出，在,P-N,结的空间电荷区中能带发生弯曲，电子从势能低的,N,区向势能高的,P,区运动时，必须克服这一势能“高坡”，才能达到,P,区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡”，才能从,P,区到达,N,区。这一势能“高坡”通常称为,P-N,结的势垒，故空间电荷区也叫,势垒区,。从图中还可以看出,P,区导带和价带的能量比,N,区的高,qV,D,。,V,D,称为,P-N,结的,接触电势差,。,在热平衡条件下求接触电势差,线性缓变结,突变结,练习,简单描述,P,-N,结制作方法和杂质分布之间的关系。,什么是空间电荷区？,什么是势垒区？,什么是耗尽层？,内建电场是如何形成的，方向如何？,试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。,试概括平衡时的,P-N,结有哪些特点。,突变结的杂质分布,N,区有均匀施主杂质，浓度为,N,D,，,P,区有均匀受主杂质，浓度为,N,A,。,势垒区的正负空间电荷区的宽度分别为,x,n,和,-x,p,。,同样取,x=0,处为交界面，如图,2-10,所示，,突变结的电荷分布,势垒区的电荷密度为,整个半导体满足电中性条件，势垒区内正负电荷总量相等,N,A,x,p,=N,D,x,n,N,A,x,p,=N,D,x,n,表明：,势垒区内正负空间电荷区的宽度和该区的杂质浓度成反比,。,杂质浓度高的一边宽度小，杂质浓度低的一边宽度大。,例如，若,N,A,=10,16,cm,-3,，,N,D,=10,18,cm,-3,，,则,x,p,比,x,n,大,100,倍。,所以,势垒区主要向杂质浓度低的一边扩散,。,突变结的电场分布,在平衡突变结势垒区中，电场强度是位置,x,的线性函数。,电场方向沿,x,负方向，从,N,区指向,P,区。,在,x=0,处，电场强度达到最大值,突变结的电势分布,电势分布是抛物线形式的,突变结的电势能（能带图）,因为,V(x),表示点,x,处的电势，而,-,qV(x,),则表示电子在,x,点的电势能，因此,P-N,结势垒区的能带如图所示。,可见，势垒区中,能带变化趋势与电势变化趋势相反,。,2.3,P-N,结直流特性,平衡,P-N,结,非平衡,P-N,结,一定宽度和势垒高度的势垒区；,内建电场恒定；,净电流为零；,费米能级处处相等。,当,P-N,结两端有外加电压时,外加直流电压下，,P-N,结势垒的变化及载流子的运动,正向偏压,P-N,结加正向偏压,V,（即,P,区接电源正极，,N,区接负极）,势垒区内载流子浓度很小，电阻很大，势垒区外的,P,区和,N,区中载流子浓度很大，电阻很小，所以,外加正向偏压基本降落在势垒区,。正向偏压在势垒区中产生了,与内建电场方向相反,的电场，因而,减弱,了势垒区中的电场强度，这就表明,空间电荷相应减少,。故,势垒区的宽度也减小,，同时,势垒高度从,qV,D,下降为,q(V,D,-V),。,势垒区电场减弱，破坏了载流子的扩散运动和漂移运动之间的平衡，削弱了漂移运动，使,扩散电流大于漂移电流,。,所以在加正向偏压时，产生了,电子从,N,区向,P,区以及空穴从,P,区到,N,区的净扩散电流,。,电子通过势垒区扩散入,P,区，在边界,x,p,处形成电子的积累，成为,P,区的非平衡少数载流子，结果使,x,p,处电子浓度比,P,区内部高，形成了,从,x,p,处向,P,区内部的电子扩散流,。,非平衡少子边扩散边与,P,区的空穴复合，经过,扩散长度,的距离后，全部被复合。这一段区域称为,扩散区,。,在一定的正向偏压下，单位时间内从,N,区来到,x,p,处的非平衡少子浓度是一定的，并在扩散区内形成一稳定的分布。所以，,在正向偏压一定时，在,x,p,处就有一不变的向,P,区内部流动的电子扩散流,。,同理，,在边界,x,n,处也有一不变的向,N,区内部流动的空穴扩散流,。,N,区的电子和,P,区的空穴都是多数载流子，分别进入,P,区和,N,区后形成,P,区和,N,区的非平衡少数载流子。,当增大正偏压时，势垒降得更低，增大了流入,P,区的电子流和流入,N,区的空穴流，这种由于外加正向偏压的作用使非平衡载流子进入半导体的过程称为,非平衡载流子的电注入,。,在假设通过势垒区的电子电流和空穴电流均保持不变的情况下，通过,P-N,结的总电流，就是,通过边界,x,p,的电子扩散电流与通过边界,x,n,的空穴扩散电流之和,。,反向偏压,当,P-N,结加反向偏压,V,时（,V0,）,（即,N,区接电源正极，,P,区接负极）,反向偏压在势垒区产生的电场,与内建电场方向一致,，,势垒区的电场增强,，,势垒区也变宽,，,空间电荷数量变多,，,势垒高度由,qV,D,增加为,q(V,D,-V),。,势垒区电场增强，破坏了载流子的扩散运动和漂移运动之间的原有平衡，增强了漂移运动，使,漂移流大于扩散流,。,这时，,N,区边界,x,n,处的空穴被势垒区的强电场驱向,P,区，而,P,区边界,x,p,处的电子被驱向,N,区。当这些少数载流子被电场驱走后，内部的少子就来补充，形成了反向偏压下的电子扩散电流和空穴扩散电流，这种情况好像少数载流子不断被抽出来，所以称为,少数载流子的抽取或吸出,。,P-N,结中,总的反向电流等于势垒区边界,x,n,和,x,p,附近的少数载流子扩散电流之和,。,因为少子浓度很低，而扩散长度基本没变化，所以反向偏压时少子的浓度梯度也较小；当反向电压很大时，边界处的少子可以认为是零。这时少子的浓度梯度不再随电压变化，因此扩散电流也不随电压变化，所以在反向偏压下，,P-N,结的电流较小并且趋于不变,。,外加直流电压下，,P-N,结的能带图（自学）,理想,P-N,假设条件,为了讨论,P-N,结伏安特性方便起见，先合理假设,P-N,结满足以下条件：,（,1,）,小注入条件,（即注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多）；,（,2,）,突变耗尽层条件,：即外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，注入的少数载流子在,P,区和,N,区是纯扩散运动；,（,3,）,通过耗尽层的电子和空穴电流为常量,，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用。,练习,4-1.,当,P-N,结外加,正,向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场,_,（相反,/,一致），导致势垒区总的电场强度,_,（增强,/,减弱），这说明空间电荷数量,_,（增多,/,减少），也就意味着势垒区宽度,_,（增大,/,减小），势垒高度,_,（增大,/,减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动,_,（大于,/,小于）扩散运动，形成,_,（净扩散,/,净漂移），以致势垒区边界载流子浓度,_,（大于,/,小于）该区内部，从而在区形成,_,（从区势垒边界向区内部从区内部向区势垒边界）的,_,（电子空穴）的,_,（扩散漂移），在区形成,_,（从区势垒边界向区内部从区内部向区势垒边界）的,_,（电子空穴）的,_,（扩散漂移）。,4-2.,当,P-N,结外加,反,向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场,_,（相反,/,一致），导致势垒区总的电场强度,_,（增强,/,减弱），这说明空间电荷数量,_,（增多,/,减少），也就意味着势垒区宽度,_,（增大,/,减小），势垒高度,_,（增大,/,减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动,_,（大于,/,小于）扩散运动，形成,_,（净扩散,/,净漂移），以致势垒区边界载流子浓度,_,（大于,/,小于）该区内部，从而在区形成,_,（从区势垒边界向区内部从区内部向区势垒边界）的,_,（电子空穴）的,_,（扩散漂移），在区形成,_,（从区势垒边界向区内部从区内部向区势垒边界）的,_,（电子空穴）的,_,（扩散漂移）。,当,P-N,结满足上述假设条件时，其,直流特性,具体可分以下,四个步骤,进行。,根据准费米能级计算势垒区边界,x,n,和,x,p,处注入的非平衡少数载流子浓度；,以边界,x,n,和,x,p,处注入的非平衡少数载流子浓度作边界条件，解扩散区中载流子连续性方程式，得到扩散区中非平衡少数载流子的分布；,将非平衡少数载流子的浓度分布代入扩散方程，算出扩散流密度后，再算出少数载流子的电流密度；,将两种载流子的扩散电流密度相加，得到理想,P-N,结模型的电流电压方程式（,具体分析过程,略）。,J,S,理想,P-N,结伏安特性表达式（电流电压关系式）,L,n,、,L,p,分别表示电子,和空穴的扩散长度,2-14,P-N,结具有单向导电性,在正向偏压下，正向电流密度随正向偏压呈指数关系迅速增大,。,在室温下，,k,0,T/q=0.026V,，一般外加正向偏压约零点几伏，故,exp(qV/k,0,T)1,，式（,2-14,）可以表示为,在反向偏压下，,V0,，当,q|V,|,远大于,k,0,T,时，,exp(qV/k,0,T),趋于零，式（,2-14,）可表示为,负号表示电流密度方向与正向时相反；,反向电流密度为常量，与外加电压无关,。,-J,s,反向饱和电流密度,（,2-16,）,正向及反向偏压下，曲线是不对称的，,表现出,P-N,结具有,单向导电性,或,整流效应,。,作业,P55 2,（补充订正）、,3,、,5,实际反偏,P-N,结直流特性的补充说明,P-N,结反向扩散电流,P-N,结反偏时，,V0,，此时势垒边界处的非平衡少子浓度比平衡时小，势垒有抽取非平衡少子的作用，扩散电流方向是体内向边界处扩散。当,V,不变时，边界处非平衡少子的浓度一定，形成稳态扩散。,当反偏绝对值足够大时,，势垒边界处的非平衡少子几乎被抽取光了，此时边界少子浓度为零，与体内少子浓度的梯度不再随外加反向偏压的变化而变化，即,反向电流趋于饱和,。,P-N,结反向势垒产生电流,在反向偏压时，,实际测得的反向电流比理论计算值大得多,，而且,反向电流是不饱和的,，随反向偏压的增大略有增加。这说明理想电流电压方程式没有完全反映外加电压下的,P-N,结情况，还必须考虑其他因素的影响。其中的主要因素是存在反向势垒产生电流。,反偏时，势垒区内的电场加强，在势垒区内，由于热激发的作用，载流子产生率大于复合率，具有净产生，从而形成另一部分反向电流，称为势垒区的产生电流，以,I,G,表示。,若,P-N,结势垒区宽度为,X,m,，,则势垒区产生电流密度为,由式（,2-16,）得,P,+,-N,结,反向扩散电流密度为,（,2-17,）,（,2-18,）,锗,的禁带宽度小，,n,i,2,大，在室温下从式（,2-18,）算得的,J,RD,比从式（,2-17,）算得的,J,G,大得多，所以在,反向电流中扩散电流起主要作用,。,硅,，禁带宽度比较宽，,n,i,2,小，所以,J,G,的值比,J,RD,值大得多，因此在,反向电流中势垒产生电流占主要地位,。由于势垒区宽度,X,m,随反向偏压的增加而变宽，所以势垒区产生电流不是饱和的，随反向偏压增加而缓慢地增加。,表面对反向漏电流的影响,由于硅,P-N,结的势垒产生电流要比反向扩散电流大得多，所以可以用式（,2-17,）计算硅,P-N,结的反向漏电流，只要乘以,P-N,结结面积,A,即可。,但往往用这种方法计算得到的反向漏电流比实际测量得到的漏电流小很多，这说明我们还忽略了其他影响反向漏电流的重要因素。,这个因素就是半导体表面对反向漏电流的影响。,表面对反向漏电流的影响 主要表现在以下三个方面,表面漏电流,。,P-N,结沟道漏电流,。,表面复合电流,。,表面漏电流,实际生产中表面漏电流可能比体内电流大很多。,在,P-N,结的生产过程中，硅片表面很可能沾污一些金属离子（如钠离子）和水汽分子，这些金属离子和水汽分子相当于在半导体表面并联了一个附加的电导，它可以使电流从,N,区电极沿半导体表面直接流到,P,区的电极，从而引起反向漏电流的增加。,如果,表面沾污严重的话，由此引出的表面漏电流可能比势垒产生电流大得多，从而成为反向漏电流的主要成分,。,P-N,结沟道漏电流,硅平面器件通常是用二氧化硅层作保护的，一方面可以提高器件的稳定性和可靠性，另一方面也可以减小反向漏电流。,但如果二氧化硅层质量不好的话，会使半导体表面出现反型，形成反型沟道。（具体内容还会在本书第七章作详细介绍。）,反型沟道的存在相当于增大了,P-N,结的结面积，即势垒区面积增大，从而使势垒产生电流增大,。,表面复合电流,半导体存在一些具有复合中心作用的能级，一部分少数载流子将在表面通过这些复合中心能级复合掉，从而导致反向电流的增加。,综上所述，,P-N,结的反向电流包括,体内扩散电流,、,势垒产生电流,和,表面漏电流,三种成分。,在实际,P-N,结二极管中，往往是表面漏电流占了主要地位。因此，在生产过程中，,如何减小表面漏电流成了一个重要问题,，通常可以从以下三个工艺角度加以考虑。,所选用的材料尽量避免掺杂不均匀、位错密度过高和含有过多的有害杂质；,避免氧化层结构疏松和光刻中的针孔、小岛等问题；,注意工艺洁净度，如去离子水和化学试剂的纯度，特别应该注意减小钠离子的沾污。,影响,P-N,结电流电压特性,偏离理想方程的各种因素,实验测量表示，理想的电流电压方程式和小注入下锗,P-N,结的实验结果符合较好，但与硅,P-N,结的实验结果偏离较大。由图看出，在正向偏压时，理论与实验结果间的偏差表现在,：,(1),正向电流小时，理论计算值比实验值小；,(2),正向电流较大时，曲线,c,段,J-V,关系为,JexpqV/(2k,0,T),；,(3),在曲线,d,段，,J-V,关系不是指数关系，而是线性关系。,（,1,）正向电流小时，理论计算值比实验值小；,（,2,）正向电流较大时，曲线,c,段,J-V,关系为,JexpqV/(2k,0,T),；,（,3,）在曲线,d,段，,J-V,关系不是指数关系，而是线性关系。,引起上述差别的主要原因有：,（,1,）表面效应；,（已介绍）,（,2,）势垒区中的产生和,复合,；,（,P46,自学）,（其中产生已介绍）,（,3,）,大注入条件,；（,c,段）,（,P47,自学）,（,4,）串联电阻效应。（,d,段）,练习,反向偏压下，硅,P-N,结电流偏离理想方程的原因是什么？,为什么锗,P-N,结在反偏情况下，伏安特性与理想方程符合比较好？,正偏,P-N,结实际伏安特性和理想情况的偏差表现在哪些方面？,P55 6,2.4 P-N,结电容,P-N,结有整流效应，但是它又包含着破坏整流特性的因素。这个因素就是,P-N,结的电容。,一个,P-N,结在,低频,电压下，能很好地起整流作用，但是当,电压频率增高,时，其整流特性变坏，甚至基本上没有整流效应。这是因为,P-N,结具有电容特性。,讨论：,P-N,结为什么具有电容特性？,P-N,结电容的大小和什么因素有关？,P-N,结电容包括,势垒电容,和,扩散电容,两部分。,势垒电容,当,P-N,结加正向偏压时，势垒区的电场随正向偏压的增加而减弱，势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少。因为空间电荷是由不能移动的杂质离子组成，所以空间电荷的减少是由于,N,区的电子和,P,区的空穴过来中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主,。,这就是说，在外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“,存入,”势垒区。反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这就是由一部分电子和空穴从势垒区中“,取出,”。,对于加反向偏压的情况，可作类似分析。,反向偏压的绝对值增大，载流子存入势垒区还是从势垒区,取出,？,反向偏压的绝对值减小，载流子,存入,势垒区还是从势垒区取出？,正向偏压增大，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？,正向偏压减小，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？,P-N,结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的,“存入”和“取出”,作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个,电容器的充放电,作用相似。,这种,P-N,结的电容效应称为势垒电容，以,C,T,表示。,势垒电容,扩散电容,正向偏压时，有空穴从,P,区注入,N,区。当正向偏压增加时，由,P,区注入到,N,区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了,N,区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。,电子情况完全相同。,在外加电压变化时，,N,扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。,P,扩散区情况完全相同。,这种由于,扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化,所产生的电容效应，称为,P-N,结的扩散电容。用,C,D,表示。,实验发现，,P-N,结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化，表明它们是,可变电容,。为此，引入微分电容的概念来表示,P-N,结的电容。,当,P-N,结在一个固定直流偏压,V,的作用下，叠加一个微小的直流电压,dV,时，这个微小的电压变化,dV,所引起的电荷变化,dQ,，称为这个直流偏压下的微分电容，即,微分电容,P-N,结的直流偏压数值不同，,微分电容也不同。,突变结的势垒电容,（,2-20,）,（,2-19,）,推导略,势垒宽度,材料的相对介电系数,真空介电常数,与平行板电容器电容公式在形式上完全一致。,因此，可以把,P-N,结势垒电容等效为一个平行板电容器的电容,，势垒区宽度对应于两平行极板间的距离，,P-N,结的面积对应于平行极板的面积。,P-N,结,面积,将式（,2-19,）代入（,2-20,）可得,对于,P,+,-N,结或,N,+,-P,结，公式（,2-20,）可简化为,（,2-21,）,轻掺杂一边的杂质浓度,（,1,）和突变结的势垒电容和结的面积以及轻掺杂一边的杂质浓度的平方根成正比，因此,减小结面积以及降低轻掺杂一边的杂质浓度是减小结电容的途径,；,（,2,）和,突变结势垒电容和电压（,V,D,-V,）的平方根成反比,，反向偏压越大，则势垒电容越小，若外加电压随时间变化，则势垒电容也随时间变化，可利用这一特性制作,变容器件,。,线性缓变结,的势垒电容,浓度梯度,（,1,）和结面积及杂质浓度梯度的立方根成正比，因此，,减小结面积和降低杂质浓度梯度有利于减小势垒电容,；,（,2,）,和（,V,D,-V,）的立方根成反比,，增大反向电压，电容将减小。,突变结和线性缓变结的势垒电容，都与外加电压有关，这在实际当中很有用处。一方面可以制成,变容器件,；另一方面可以,用来测量结附近的杂质浓度和杂质浓度梯度,等。,小结,P,+,-N,结的扩散电容,扩散电容随频率的增加而减小,扩散电容随正向偏压按指数关系增加，所以,在大的正向偏压时，扩散电容便起主要作用,。,2.5 P-N,结击穿,实验发现，对,P-N,结施加的反向偏压增大到某一数值,V,BR,时，反向电流密度突然开始增大，此现象称为,P-N,结击穿,。,发生击穿时的反向偏压称为,P-N,结的击穿电压,，如图所示。,发生,P-N,结击穿的机理主要有以下几种,雪崩击穿,隧道击穿,热电击穿,(,热击穿,),雪崩击穿,当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有很大的能量，它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时，能把价键上的电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴（第一代载流子）。势垒区中电子碰撞出来一个电子和一个空穴（第二代载流子），于是一个载流子变成了三个载流子。这三个载流子在强电场作用下，还会继续发生碰撞，产生第三代的电子,-,空穴对。空穴也如此产生第二代、第三代的载流子。如此继续下去，载流子就大量增加，这种繁殖载流子的方式称为,载流子的倍增效应,。由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流，从而发生,P-N,结击穿。这就是雪崩击穿的机理。,雪崩击穿除了,与势垒区中电场强度有关,外，还,与势垒区的宽度有关,，因为载流子动能的增加，需要有一个加速过程，如果势垒区很薄，即使电场很强，载流子在势垒区加速达不到产生雪崩倍增效应所必须的动能，就不能产生雪崩击穿。,雪崩击穿,隧道击穿,隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿机理。也称为,齐纳击穿,。,对于一定的半导体材料，势垒区中的,电场越大,，或,隧道长度越短,，则电子穿过隧道的几率越大。,一般杂质浓度,下，雪崩击穿机构是主要的。,杂质浓度高,时，反向偏压不高的情况就能发生隧道击穿，由于势垒区宽度小，不利于雪崩倍增效应，所以在重掺杂的情况下，隧道击穿机构变为主要的。,小结,雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为,电击穿,。,热电击穿,/,热击穿,当,P-N,结上施加反向电压时，流过,P-N,结的反向电流要引起,热损耗,。反向电压逐渐增大时，对应于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热能。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。随着,结温的上升,，,反向饱和电流密度也迅速上升,，,产生的热能也迅速增大,，,进而又导致结温上升,，,反向饱和电流密度增大,。,如此反复循环下去，最后使,J,s,无限增长而发生击穿。这种由于,热不稳定性,引起的击穿，称为热电击穿。,对于禁带宽度比较小的半导体如,锗,P-N,结,，由于反向饱和电流密度较大，在室温下这种击穿很值得重视。,自学,P52 2.5.4,雪崩击穿电压,V,B,的计算,P53 2.5.5,影响雪崩击穿电压的因素,练习,试分析雪崩击穿和隧道击穿的区别。,P55 7,可用哪些方法来提高雪崩击穿电压？,雪崩击穿和隧道击穿的主要区别,隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场；雪崩击穿除了与电场有关外,还与空间电荷区宽度有关。,雪崩击穿是碰撞电离的结果，如果用光照等其他办法，同样会有倍增效应；而上述外界作用对隧道击穿则不会有明显的影响。,隧道击穿电压随着温度的增加而降低，温度系数为负数；而雪崩击穿电压随着温度的增加而增加，温度系数为正数。,