半导体技术参数-符号含义.doc

半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成 时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。 在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流 (正向测试电流 。 锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极 间的电流; 硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工 作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压 二极管正向电参数时 给 定的电流IF (AV -正向平均电流IFM (IM -正向 峰 值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大 正向 脉冲 电流。 发光 二极管极 限 电流。IH-恒 定电流、 维持 电流。Ii- 发光 二极管 起辉 电流IFRM-正向 重复峰 值电流IFSM-正向 不重复峰 值电流(浪涌 电流Io-整流电流。在 特 定 线路 中规定 频 率 和 规定电压条件下 所 通过的工作电流IF(ov-正向过 载 电流IL-光 电流或稳流二极管极 限 电流ID-暗 电流IB2-单 结 晶体 管中的 基 极 调制 电流IEM-发射 极 峰 值电流IEB10-双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极与 第一基 极间 反 向电流IEB20-双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极向电流ICM-最大 输出 平均电流IFMP-正向 脉冲 电流IP-峰点 电流IV-谷点 电流IGT-晶闸 管 控制 极 触发 电流IGD-晶闸 管 控制 极 不触发 电流IGFM-控制 极正向 峰 值电流IR (AV -反 向平均电流IR (In -反 向直流电流(反 向 漏 电流。在测 反 向 特性 时, 给 定的 反 向电流;硅堆 在正弦半波电 阻性负载 电 路 中, 加 反 向电压规定值时, 所 通过的电流; 硅开关二极管两 端加 反 向工作电压 VR 时 所 通过的电流;稳压二极管在 反 向电压下, 产 生的 漏 电流;整 流管在正弦半波最 高反 向工作电压下的 漏 电流。IRM-反 向 峰 值电流IRR-晶闸 管 反 向 重复 平均电流IDR-晶闸 管 断态 平均 重复 电流IRRM-反 向 重复峰 值电流IRSM-反 向 不重复峰 值电流(反 向 浪涌 电流Irp-反 向 恢复 电流Iz-稳定电压电流(反 向测试电流。测试 反 向电参数时, 给 定的 反 向电流Izk-稳压管 膝点 电流IOM-最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受 的正向最大 瞬 时电流;在电 阻性 负荷 的正弦半波整流电 路 中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管 浪涌 电流IZM-最大稳压电流。在最大 耗散 功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总 瞬 时电流iR-反 向总 瞬 时电流ir-反 向 恢复 电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频 率n-电容变化 指 数;电容比Q-优 值(品质因素 vz-稳压管电压 漂移di/dt-通 态 电流 临界上升 率dv/dt-通 态 电压 临界上升 率PB-承受脉冲烧毁 功率PFT (AV -正向 导 通平均 耗散 功率PFTM-正向 峰 值 耗散 功率PFT-正向 导 通总 瞬 时 耗散 功率Pd-耗散 功率PG-门 极平均功率PGM-门 极 峰 值功率PC-控制 极平均功率或 集 电极 耗散 功率Pi-输入 功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温 不高于 150度 所能承受 的最大功率PMP-最大 漏 过 脉冲 功率PMS-最大 承受脉冲 功率Po-输出 功率PR-反 向 浪涌 功率Ptot-总 耗散 功率Pomax-最大 输出 功率Psc-连续 输出 功率PSM-不重复浪涌 功率PZM-最大 耗散 功率。在 给 定使用条件下,稳压二极管允许 承受 的最大功率RF (r -正向 微分 电 阻 。在正向 导 通时,电流 随 电压 指 数的 增 加, 呈现明显 的 非线性 特性 。在 某一 正向电压下,电压 增 加 微小量 V ,正向电流相 应增 加 I , 则 V/ I 称 微分 电 阻RBB-双基 极 晶体 管的 基 极间电 阻RE-射频 电 阻RL-负载 电 阻Rs(rs-串 联 电 阻Rth-热 阻R(thja-结 到 环境的 热 阻Rz(ru-动 态 电 阻R(thjc-结 到 壳的 热 阻r -衰减 电 阻r(th-瞬态 电 阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟 时间tf-下 降 时间tfr-正向 恢复 时间tg-电 路 换 向关 断 时间tgt-门 极 控制 极开通时间Tj-结温Tjm-最 高 结温ton-开通时间toff-关 断 时间tr-上升 时间trr-反 向 恢复 时间ts-存储 时间tstg-温度 补偿 二极管的 贮 成温度a-温度系数p-发光峰 值波 长 -光 谱 半 宽 度-单 结 晶体 管 分 压比或 效 率VB-反 向 峰 值 击穿 电压Vc-整流 输入 电压VB2B1-基 极间电压VBE10-发射 极与 第一基 极 反 向电压VEB-饱 和 压 降VFM-最大正向压 降 (正向 峰 值电压VF-正向压 降 (正向直流电压 VF-正向压 降差VDRM-断态重复峰 值电压VGT-门 极 触发 电压VGD-门 极 不触发 电压VGFM-门 极正向 峰 值电压VGRM-门 极 反 向 峰 值电压VF (AV -正向平均电压Vo-交 流 输入 电压VOM-最大 输出 平均电压Vop-工作电压Vn-中 心 电压Vp-峰点 电压VR-反 向工作电压(反 向直流电压VRM-反 向 峰 值电压(最 高 测试电压V (BR -击穿 电压Vth-阀 电压(门限 电压VRRM-反 向 重复峰 值电压(反 向 浪涌 电压 VRWM-反 向工作 峰 值电压V v-谷点 电压Vz-稳定电压 Vz-稳压 范围 电压 增量Vs-通向电压(信号 电压或稳流管稳定电流电压 av-电压温度系数Vk-膝点 电压(稳流二极管VL -极 限 电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集 电极电容Ccb-集 电极与 基 极间电容Cce-发射 极 接地 输出 电容Ci-输入 电容Cib-共 基 极 输入 电容Cie-共 发射 极 输入 电容Cies-共 发射 极 短 路输入 电容Cieo-共 发射 极开 路输入 电容Cn-中 和 电容(外 电 路 参数Co-输出 电容Cob-共 基 极 输出 电容。在 基 极电 路 中, 集 电极与 基 极间 输出 电容Coe-共 发射 极 输出 电容Coeo-共 发射 极开 路输出 电容Cre-共 发射 极 反 馈 电容Cic-集 电结势垒电容CL-负载 电容(外 电 路 参数Cp-并联 电容(外 电 路 参数BVcbo-发射 极开 路 , 集 电极与 基 极间 击穿 电压BVceo-基 极开 路 , CE 结 击穿 电压BVebo- 集 电极开 路 EB 结 击穿 电压BVces-基 极与 发射 极 短 路 CE 结 击穿 电压BV cer-基 极与 发射 极 串 接 一 电 阻 , CE 结 击穿 电压D-占空 比fT-特 征 频 率fmax-最 高 振荡 频 率。 当三 极管功率 增 益等 于 1时的工作 频 率hFE-共 发射 极 静 态 电流 放 大系数hIE-共 发射 极 静 态输入阻 抗hOE-共 发射 极 静 态输出 电 导h RE-共 发射 极 静 态 电压 反 馈 系数hie-共 发射 极 小 信号短 路输入阻 抗hre-共 发射 极 小 信号 开 路 电压 反 馈 系数hfe-共 发射 极 小 信号短 路 电压 放 大系数hoe-共 发射 极 小 信号 开 路输出导 纳IB-基 极直流电流或 交 流电流的平均值Ic-集 电极直流电流或 交 流电流的平均值IE-发射 极直流电流或 交 流电流的平均值Icbo-基 极 接地 , 发射 极对 地 开 路 ,在规定的 VCB 反 向电压条件下的 集 电极与 基 极之 间的 反 向 截止 电流Iceo-发射 极 接地 , 基 极对 地 开 路 ,在规定的 反 向电压 VCE 条件下, 集 电极与 发射 极 之间的 反 向 截止 电流Iebo-基 极 接地 , 集 电极对 地 开 路 ,在规定的 反 向电压 VEB 条件下, 发射 极与 基 极之 间的 反 向 截止 电流Icer-基 极与 发射 极间 串 联 电 阻 R , 集 电极与 发射 极间的电压 VCE 为 规定值时, 集 电 极与 发射 极之间的 反 向 截止 电流Ices-发射 极 接地 , 基 极对 地短 路 ,在规定的 反 向电压 VCE 条件下, 集 电极与 发射 极 之间的 反 向 截止 电流Icex-发射 极 接地 , 基 极与 发射 极间加 指 定偏压,在规定的 反 向偏压 VCE 下, 集 电极 与 发射 极之间的 反 向 截止 电流ICM-集 电极最大允许电流或 交 流电流的最大平均值。IBM-在 集 电极允许 耗散 功率的 范围内 , 能 连续 地 通过 基 极的直流电流的最大值, 或 交 流电流的最大平均值ICMP-集 电极最大允许 脉冲 电流ISB-二 次击穿 电流IAGC-正向 自动 控制 电流Pc-集 电极 耗散 功率PCM-集 电极最大允许 耗散 功率Pi-输入 功率Po-输出 功率Posc-振荡 功率Pn-噪声 功率Ptot-总 耗散 功率ESB-二 次击穿 能量rbb-基 区扩展 电 阻 (基 区本征 电 阻 rbbCc-基 极 -集 电极时间 常 数, 即 基 极 扩展 电 阻 与 集 电结电容 量 的 乘积rie-发射 极 接地 , 交 流 输出 短 路 时的 输入 电 阻roe-发射 极 接地 ,在规定 VCE 、 Ic 或 IE 、 频 率条件下测定的 交 流 输入 短 路 时的 输出 电 阻RE-外接 发射 极电 阻 (外 电 路 参数RB-外接 基 极电 阻 (外 电 路 参数Rc -外接 集 电极电 阻 (外 电 路 参数RBE-外接 基 极 -发射 极间电 阻 (外 电 路 参数RL-负载 电 阻 (外 电 路 参数RG-信号 源 内 阻Rth-热 阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-贮存 温度td-延迟 时间tr-上升 时间ts-存贮 时间tf-下 降 时间ton-开通时间toff-关 断 时间VCB-集 电极 -基 极(直流电压VCE-集 电极 -发射 极(直流电压VBE-基 极 发射 极(直流电压VCBO-基 极 接地 , 发射 极对 地 开 路 , 集 电极与 基 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VEBO-基 极 接地 , 集 电极对 地 开 路 , 发射 极与 基 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压VCEO-发射 极 接地 , 基 极对 地 开 路 , 集 电极与 发射 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VCER-发射 极 接地 , 基 极与 发射 极间 串 接 电 阻 R , 集 电极与 发射 极间在 指 定条件下的 最 高 耐 压VCES-发射 极 接地 , 基 极对 地短 路 , 集 电极与 发射 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VCEX-发射 极 接地 , 基 极与 发射 极之间加规定的偏压, 集 电极与 发射 极之间在规定条 件下的最 高 耐 压Vp-穿 通电压。VSB-二 次击穿 电压VBB-基 极(直流电源电压(外 电 路 参数Vcc-集 电极(直流电源电压(外 电 路 参数VEE-发射 极(直流电源电压(外 电 路 参数VCE(sat-发射 极 接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下的 集 电极 -发射 极间 饱 和 压 降VBE(sat-发射 极 接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下, 基 极 -发射 极 饱 和 压 降 (前 向压 降 VAGC-正向 自动 增 益 控制 电压Vn(p-p-输入 端 等效噪声 电压 峰 值V n-噪声 电压Cj-结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。 在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流 (正向测试电流 。 锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极 间的电流; 硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工 作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压 二极管正向电参数时 给 定的电流IF (AV -正向平均电流IFM (IM -正向 峰 值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大 正向 脉冲 电流。 发光 二极管极 限 电流。IH-恒 定电流、 维持 电流。Ii- 发光 二极管 起辉 电流IFRM-正向 重复峰 值电流IFSM-正向 不重复峰 值电流(浪涌 电流Io-整流电流。在 特 定 线路 中规定 频 率 和 规定电压条件下 所 通过的工作电流IF(ov-正向过 载 电流IL-光 电流或稳流二极管极 限 电流ID-暗 电流IB2-单 结 晶体 管中的 基 极 调制 电流IEM-发射 极 峰 值电流IEB10-双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极与 第一基 极间 反 向电流IEB20-双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极向电流ICM-最大 输出 平均电流IFMP-正向 脉冲 电流IP-峰点 电流IV-谷点 电流IGT-晶闸 管 控制 极 触发 电流IGD-晶闸 管 控制 极 不触发 电流IGFM-控制 极正向 峰 值电流IR (AV -反 向平均电流IR (In -反 向直流电流(反 向 漏 电流。在测 反 向 特性 时, 给 定的 反 向电流;硅堆 在正弦半波电 阻性负载 电 路 中, 加 反 向电压规定值时, 所 通过的电流; 硅开关二极管两 端加 反 向工作电压 VR 时 所 通过的电流;稳压二极管在 反 向电压下, 产 生的 漏 电流;整 流管在正弦半波最 高反 向工作电压下的 漏 电流。IRM-反 向 峰 值电流IRR-晶闸 管 反 向 重复 平均电流IDR-晶闸 管 断态 平均 重复 电流IRRM-反 向 重复峰 值电流IRSM-反 向 不重复峰 值电流(反 向 浪涌 电流Irp-反 向 恢复 电流Iz-稳定电压电流(反 向测试电流。测试 反 向电参数时, 给 定的 反 向电流Izk-稳压管 膝点 电流IOM-最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受 的正向最大 瞬 时电流;在电 阻性 负荷 的正弦半波整流电 路 中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管 浪涌 电流IZM-最大稳压电流。在最大 耗散 功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总 瞬 时电流iR-反 向总 瞬 时电流ir-反 向 恢复 电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频 率n-电容变化 指 数;电容比Q-优 值(品质因素 vz-稳压管电压 漂移di/dt-通 态 电流 临界上升 率dv/dt-通 态 电压 临界上升 率PB-承受脉冲烧毁 功率PFT (AV -正向 导 通平均 耗散 功率PFTM-正向 峰 值 耗散 功率PFT-正向 导 通总 瞬 时 耗散 功率Pd-耗散 功率PG-门 极平均功率PGM-门 极 峰 值功率PC-控制 极平均功率或 集 电极 耗散 功率Pi-输入 功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温 不高于 150度 所能承受 的最大功率PMP-最大 漏 过 脉冲 功率PMS-最大 承受脉冲 功率Po-输出 功率PR-反 向 浪涌 功率Ptot-总 耗散 功率Pomax-最大 输出 功率Psc-连续 输出 功率PSM-不重复浪涌 功率PZM-最大 耗散 功率。在 给 定使用条件下,稳压二极管允许 承受 的最大功率RF (r -正向 微分 电 阻 。在正向 导 通时,电流 随 电压 指 数的 增 加, 呈现明显 的 非线性 特性 。在 某一 正向电压下,电压 增 加 微小量 V ,正向电流相 应增 加 I , 则 V/ I 称 微分 电 阻RBB-双基 极 晶体 管的 基 极间电 阻RE-射频 电 阻RL-负载 电 阻Rs(rs-串 联 电 阻Rth-热 阻R(thja-结 到 环境的 热 阻Rz(ru-动 态 电 阻R(thjc-结 到 壳的 热 阻r -衰减 电 阻r(th-瞬态 电 阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟 时间tf-下 降 时间tfr-正向 恢复 时间tg-电 路 换 向关 断 时间tgt-门 极 控制 极开通时间Tj-结温Tjm-最 高 结温ton-开通时间toff-关 断 时间tr-上升 时间trr-反 向 恢复 时间ts-存储 时间tstg-温度 补偿 二极管的 贮 成温度a-温度系数p-发光峰 值波 长 -光 谱 半 宽 度-单 结 晶体 管 分 压比或 效 率VB-反 向 峰 值 击穿 电压Vc-整流 输入 电压VB2B1-基 极间电压VBE10-发射 极与 第一基 极 反 向电压VEB-饱 和 压 降VFM-最大正向压 降 (正向 峰 值电压VF-正向压 降 (正向直流电压 VF-正向压 降差VDRM-断态重复峰 值电压VGT-门 极 触发 电压VGD-门 极 不触发 电压VGFM-门 极正向 峰 值电压VGRM-门 极 反 向 峰 值电压VF (AV -正向平均电压Vo-交 流 输入 电压VOM-最大 输出 平均电压Vop-工作电压Vn-中 心 电压Vp-峰点 电压VR-反 向工作电压(反 向直流电压VRM-反 向 峰 值电压(最 高 测试电压V (BR -击穿 电压Vth-阀 电压(门限 电压VRRM-反 向 重复峰 值电压(反 向 浪涌 电压 VRWM-反 向工作 峰 值电压V v-谷点 电压Vz-稳定电压 Vz-稳压 范围 电压 增量Vs-通向电压(信号 电压或稳流管稳定电流电压 av-电压温度系数Vk-膝点 电压(稳流二极管VL -极限电压 三、场效应管参数符号意义 Cds-漏-源电容 Cdu-漏-衬底电容 Cgd-栅-源电容 Cgs-漏-源电容 Ciss-栅短路共源输入电容 Coss-栅短路共源输出电容 Crss-栅短路共源反向传输电容 D-占空比（占空系数，外电路参数） di/dt-电流上升率（外电路参数） dv/dt-电压上升率（外电路参数） ID-漏极电流（直流） IDM-漏极脉冲电流 ID(on-通态漏极电流 IDQ-静态漏极电流（射频功率管） IDS-漏源电流 IDSM-最大漏源电流 IDSS-栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat-沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG-栅极电流（直流） IGF-正向栅电流 IGR-反向栅电流 IGDO-源极开路时，截止栅电流 IGSO-漏极开路时，截止栅电流 IGM-栅极脉冲电流 IGP-栅极峰值电流 IF-二极管正向电流 IGSS-漏极短路时截止栅电流 IDSS1-对管第一管漏源饱和电流 IDSS2-对管第二管漏源饱和电流 Iu-衬底电流 Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数） gfs-正向跨导 Gp-功率增益 Gps-共源极中和高频功率增益 GpG-共栅极中和高频功率增益 GPD-共漏极中和高频功率增益 ggd-栅漏电导 gds-漏源电导 K-失调电压温度系数 Ku-传输系数 L-负载电感（外电路参数） LD-漏极电感 Ls-源极电感 rDS-漏源电阻 rDS(on-漏源通态电阻 rDS(of-漏源断态电阻 rGD-栅漏电阻 rGS-栅源电阻 Rg-栅极外接电阻（外电路参数） RL-负载电阻（外电路参数） R(thjc-结壳热阻 R(thja-结环热阻 PD-漏极耗散功率 PDM-漏极最大允许耗散功率 PIN-输入功率 POUT-输出功率 PPK-脉冲功率峰值（外电路参数） to(on-开通延迟时间 td(off-关断延迟时间 ti-上升时间 ton-开通时间 toff-关断时间 tf-下降时间 trr-反向恢复时间 Tj-结温 Tjm-最大允许结温 Ta-环境温度 Tc-管壳温度 Tstg-贮成温度 VDS-漏源电压（直流） VGS-栅源电压（直流） VGSF-正向栅源电压（直流） VGSR-反向栅源电压（直流） VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th-开启电压或阀电压 V（BR）DSS-漏源击穿电压 V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on-漏源通态电压 VDS(sat-漏源饱和电压 VGD-栅漏电压（直流） Vsu-源衬底电压（直流） VDu-漏衬底电压（直流） VGu-栅衬底电压（直流） Zo-驱动源内阻 -漏极效率（射频功率管） Vn-噪声电压 aID-漏极电流温度系数 ards-漏源电阻温度系数