半导体技术参数-符号含义.doc

半导体技术参数 -符号含义
来源:生利达成 时间:2008-10-30
一、半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。 在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流 (正向测试电流 。 锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极 间的电流; 硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工 作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压 二极管正向电参数时 给 定的电流
IF (AV ---正向平均电流
IFM (IM ---正向 峰 值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大 正向 脉冲 电流。 发光 二极管极 限 电流。
IH---恒 定电流、 维持 电流。
Ii--- 发光 二极管 起辉 电流
IFRM---正向 重复峰 值电流
IFSM---正向 不重复峰 值电流(浪涌 电流
Io---整流电流。在 特 定 线路 中规定 频 率 和 规定电压条件下 所 通过的工作电流
IF(ov---正向过 载 电流
IL---光 电流或稳流二极管极 限 电流
ID---暗 电流
IB2---单 结 晶体 管中的 基 极 调制 电流
IEM---发射 极 峰 值电流
IEB10---双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极与 第一基 极间 反 向电流
IEB20---双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极向电流
ICM---最大 输出 平均电流
IFMP---正向 脉冲 电流
IP---峰点 电流
IV---谷点 电流
IGT---晶闸 管 控制 极 触发 电流
IGD---晶闸 管 控制 极 不触发 电流
IGFM---控制 极正向 峰 值电流
IR (AV ---反 向平均电流
IR (In ---反 向直流电流(反 向 漏 电流。在测 反 向 特性 时, 给 定的 反 向电流;硅堆 在正弦半波电 阻性负载 电 路 中, 加 反 向电压规定值时, 所 通过的电流; 硅开关二极管两 端加 反 向工作电压 VR 时 所 通过的电流;稳压二极管在 反 向电压下, 产 生的 漏 电流;整 流管在正弦半波最 高反 向工作电压下的 漏 电流。
IRM---反 向 峰 值电流
IRR---晶闸 管 反 向 重复 平均电流
IDR---晶闸 管 断态 平均 重复 电流
IRRM---反 向 重复峰 值电流
IRSM---反 向 不重复峰 值电流(反 向 浪涌 电流
Irp---反 向 恢复 电流
Iz---稳定电压电流(反 向测试电流。测试 反 向电参数时, 给 定的 反 向电流
Izk---稳压管 膝点 电流
IOM---最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受 的正向最大 瞬 时电流;在电 阻性 负荷 的正弦半波整流电 路 中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管 浪涌 电流
IZM---最大稳压电流。在最大 耗散 功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总 瞬 时电流
iR---反 向总 瞬 时电流
ir---反 向 恢复 电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频 率
n---电容变化 指 数;电容比
Q---优 值(品质因素
δvz---稳压管电压 漂移
di/dt---通 态 电流 临界上升 率
dv/dt---通 态 电压 临界上升 率
PB---承受脉冲烧毁 功率
PFT (AV ---正向 导 通平均 耗散 功率
PFTM---正向 峰 值 耗散 功率
PFT---正向 导 通总 瞬 时 耗散 功率
Pd---耗散 功率
PG---门 极平均功率
PGM---门 极 峰 值功率
PC---控制 极平均功率或 集 电极 耗散 功率
Pi---输入 功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温 不高于 150度 所能承受 的最大功率
PMP---最大 漏 过 脉冲 功率
PMS---最大 承受脉冲 功率
Po---输出 功率
PR---反 向 浪涌 功率
Ptot---总 耗散 功率
Pomax---最大 输出 功率
Psc---连续 输出 功率
PSM---不重复浪涌 功率
PZM---最大 耗散 功率。在 给 定使用条件下,稳压二极管允许 承受 的最大功率
RF (r ---正向 微分 电 阻 。在正向 导 通时,电流 随 电压 指 数的 增 加, 呈现明显 的 非线性 特性 。在 某一 正向电压下,电压 增 加 微小量△ V ,正向电流相 应增 加 △ I , 则△ V/△ I 称 微分 电 阻
RBB---双基 极 晶体 管的 基 极间电 阻
RE---射频 电 阻
RL---负载 电 阻
Rs(rs----串 联 电 阻
Rth----热 阻
R(thja----结 到 环境的 热 阻
Rz(ru---动 态 电 阻
R(thjc---结 到 壳的 热 阻
r δ---衰减 电 阻
r(th---瞬态 电 阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟 时间
tf---下 降 时间
tfr---正向 恢复 时间
tg---电 路 换 向关 断 时间
tgt---门 极 控制 极开通时间
Tj---结温
Tjm---最 高 结温
ton---开通时间
toff---关 断 时间
tr---上升 时间
trr---反 向 恢复 时间
ts---存储 时间
tstg---温度 补偿 二极管的 贮 成温度
a---温度系数
λp---发光峰 值波 长
△ λ---光 谱 半 宽 度
η---单 结 晶体 管 分 压比或 效 率
VB---反 向 峰 值 击穿 电压
Vc---整流 输入 电压
VB2B1---基 极间电压
VBE10---发射 极与 第一基 极 反 向电压
VEB---饱 和 压 降
VFM---最大正向压 降 (正向 峰 值电压
VF---正向压 降 (正向直流电压
△ VF---正向压 降差
VDRM---断态重复峰 值电压
VGT---门 极 触发 电压
VGD---门 极 不触发 电压
VGFM---门 极正向 峰 值电压
VGRM---门 极 反 向 峰 值电压
VF (AV ---正向平均电压
Vo---交 流 输入 电压
VOM---最大 输出 平均电压
Vop---工作电压
Vn---中 心 电压
Vp---峰点 电压
VR---反 向工作电压(反 向直流电压
VRM---反 向 峰 值电压(最 高 测试电压
V (BR ---击穿 电压
Vth---阀 电压(门限 电压
VRRM---反 向 重复峰 值电压(反 向 浪涌 电压 VRWM---反 向工作 峰 值电压
V v---谷点 电压
Vz---稳定电压
△ Vz---稳压 范围 电压 增量
Vs---通向电压(信号 电压或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数
Vk---膝点 电压(稳流二极管
VL ---极 限 电压
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集 电极电容
Ccb---集 电极与 基 极间电容
Cce---发射 极 接地 输出 电容
Ci---输入 电容
Cib---共 基 极 输入 电容
Cie---共 发射 极 输入 电容
Cies---共 发射 极 短 路输入 电容
Cieo---共 发射 极开 路输入 电容
Cn---中 和 电容(外 电 路 参数
Co---输出 电容
Cob---共 基 极 输出 电容。在 基 极电 路 中, 集 电极与 基 极间 输出 电容
Coe---共 发射 极 输出 电容
Coeo---共 发射 极开 路输出 电容
Cre---共 发射 极 反 馈 电容
Cic---集 电结势垒电容
CL---负载 电容(外 电 路 参数
Cp---并联 电容(外 电 路 参数
BVcbo---发射 极开 路 , 集 电极与 基 极间 击穿 电压
BVceo---基 极开 路 , CE 结 击穿 电压
BVebo--- 集 电极开 路 EB 结 击穿 电压
BVces---基 极与 发射 极 短 路 CE 结 击穿 电压
BV cer---基 极与 发射 极 串 接 一 电 阻 , CE 结 击穿 电压
D---占空 比
fT---特 征 频 率
fmax---最 高 振荡 频 率。 当三 极管功率 增 益等 于 1时的工作 频 率
hFE---共 发射 极 静 态 电流 放 大系数
hIE---共 发射 极 静 态输入阻 抗
hOE---共 发射 极 静 态输出 电 导
h RE---共 发射 极 静 态 电压 反 馈 系数
hie---共 发射 极 小 信号短 路输入阻 抗
hre---共 发射 极 小 信号 开 路 电压 反 馈 系数
hfe---共 发射 极 小 信号短 路 电压 放 大系数
hoe---共 发射 极 小 信号 开 路输出导 纳
IB---基 极直流电流或 交 流电流的平均值
Ic---集 电极直流电流或 交 流电流的平均值
IE---发射 极直流电流或 交 流电流的平均值
Icbo---基 极 接地 , 发射 极对 地 开 路 ,在规定的 VCB 反 向电压条件下的 集 电极与 基 极之 间的 反 向 截止 电流
Iceo---发射 极 接地 , 基 极对 地 开 路 ,在规定的 反 向电压 VCE 条件下, 集 电极与 发射 极 之间的 反 向 截止 电流
Iebo---基 极 接地 , 集 电极对 地 开 路 ,在规定的 反 向电压 VEB 条件下, 发射 极与 基 极之 间的 反 向 截止 电流
Icer---基 极与 发射 极间 串 联 电 阻 R , 集 电极与 发射 极间的电压 VCE 为 规定值时, 集 电 极与 发射 极之间的 反 向 截止 电流
Ices---发射 极 接地 , 基 极对 地短 路 ,在规定的 反 向电压 VCE 条件下, 集 电极与 发射 极 之间的 反 向 截止 电流
Icex---发射 极 接地 , 基 极与 发射 极间加 指 定偏压,在规定的 反 向偏压 VCE 下, 集 电极 与 发射 极之间的 反 向 截止 电流
ICM---集 电极最大允许电流或 交 流电流的最大平均值。
IBM---在 集 电极允许 耗散 功率的 范围内 , 能 连续 地 通过 基 极的直流电流的最大值, 或 交 流电流的最大平均值
ICMP---集 电极最大允许 脉冲 电流
ISB---二 次击穿 电流
IAGC---正向 自动 控制 电流
Pc---集 电极 耗散 功率
PCM---集 电极最大允许 耗散 功率
Pi---输入 功率
Po---输出 功率
Posc---振荡 功率
Pn---噪声 功率
Ptot---总 耗散 功率
ESB---二 次击穿 能量
rbb'---基 区扩展 电 阻 (基 区本征 电 阻
rbb'Cc---基 极 -集 电极时间 常 数, 即 基 极 扩展 电 阻 与 集 电结电容 量 的 乘积
rie---发射 极 接地 , 交 流 输出 短 路 时的 输入 电 阻
roe---发射 极 接地 ,在规定 VCE 、 Ic 或 IE 、 频 率条件下测定的 交 流 输入 短 路 时的 输出 电 阻
RE---外接 发射 极电 阻 (外 电 路 参数
RB---外接 基 极电 阻 (外 电 路 参数
Rc ---外接 集 电极电 阻 (外 电 路 参数
RBE---外接 基 极 -发射 极间电 阻 (外 电 路 参数
RL---负载 电 阻 (外 电 路 参数
RG---信号 源 内 阻
Rth---热 阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存 温度
td----延迟 时间
tr---上升 时间
ts---存贮 时间
tf---下 降 时间
ton---开通时间
toff---关 断 时间
VCB---集 电极 -基 极(直流电压
VCE---集 电极 -发射 极(直流电压
VBE---基 极 发射 极(直流电压
VCBO---基 极 接地 , 发射 极对 地 开 路 , 集 电极与 基 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VEBO---基 极 接地 , 集 电极对 地 开 路 , 发射 极与 基 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压
VCEO---发射 极 接地 , 基 极对 地 开 路 , 集 电极与 发射 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VCER---发射 极 接地 , 基 极与 发射 极间 串 接 电 阻 R , 集 电极与 发射 极间在 指 定条件下的 最 高 耐 压
VCES---发射 极 接地 , 基 极对 地短 路 , 集 电极与 发射 极之间在 指 定条件下的最 高 耐 压 VCEX---发射 极 接地 , 基 极与 发射 极之间加规定的偏压, 集 电极与 发射 极之间在规定条 件下的最 高 耐 压
Vp---穿 通电压。
VSB---二 次击穿 电压
VBB---基 极(直流电源电压(外 电 路 参数
Vcc---集 电极(直流电源电压(外 电 路 参数
VEE---发射 极(直流电源电压(外 电 路 参数
VCE(sat---发射 极 接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下的 集 电极 -发射 极间 饱 和 压 降
VBE(sat---发射 极 接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下, 基 极 -发射 极 饱 和 压 降 (前 向压 降 VAGC---正向 自动 增 益 控制 电压
Vn(p-p---输入 端 等效噪声 电压 峰 值
V n---噪声 电压
Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。 在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流 (正向测试电流 。 锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极 间的电流; 硅整流管、 硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工 作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压 二极管正向电参数时 给 定的电流
IF (AV ---正向平均电流
IFM (IM ---正向 峰 值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大 正向 脉冲 电流。 发光 二极管极 限 电流。
IH---恒 定电流、 维持 电流。
Ii--- 发光 二极管 起辉 电流
IFRM---正向 重复峰 值电流
IFSM---正向 不重复峰 值电流(浪涌 电流
Io---整流电流。在 特 定 线路 中规定 频 率 和 规定电压条件下 所 通过的工作电流
IF(ov---正向过 载 电流
IL---光 电流或稳流二极管极 限 电流
ID---暗 电流
IB2---单 结 晶体 管中的 基 极 调制 电流
IEM---发射 极 峰 值电流
IEB10---双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极与 第一基 极间 反 向电流
IEB20---双基 极 单 结 晶体 管中 发射 极向电流
ICM---最大 输出 平均电流
IFMP---正向 脉冲 电流
IP---峰点 电流
IV---谷点 电流
IGT---晶闸 管 控制 极 触发 电流
IGD---晶闸 管 控制 极 不触发 电流
IGFM---控制 极正向 峰 值电流
IR (AV ---反 向平均电流
IR (In ---反 向直流电流(反 向 漏 电流。在测 反 向 特性 时, 给 定的 反 向电流;硅堆 在正弦半波电 阻性负载 电 路 中, 加 反 向电压规定值时, 所 通过的电流; 硅开关二极管两 端加 反 向工作电压 VR 时 所 通过的电流;稳压二极管在 反 向电压下, 产 生的 漏 电流;整 流管在正弦半波最 高反 向工作电压下的 漏 电流。
IRM---反 向 峰 值电流
IRR---晶闸 管 反 向 重复 平均电流
IDR---晶闸 管 断态 平均 重复 电流
IRRM---反 向 重复峰 值电流
IRSM---反 向 不重复峰 值电流(反 向 浪涌 电流
Irp---反 向 恢复 电流
Iz---稳定电压电流(反 向测试电流。测试 反 向电参数时, 给 定的 反 向电流
Izk---稳压管 膝点 电流
IOM---最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受 的正向最大 瞬 时电流;在电 阻性 负荷 的正弦半波整流电 路 中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管 浪涌 电流
IZM---最大稳压电流。在最大 耗散 功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总 瞬 时电流
iR---反 向总 瞬 时电流
ir---反 向 恢复 电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频 率
n---电容变化 指 数;电容比
Q---优 值(品质因素
δvz---稳压管电压 漂移
di/dt---通 态 电流 临界上升 率
dv/dt---通 态 电压 临界上升 率
PB---承受脉冲烧毁 功率
PFT (AV ---正向 导 通平均 耗散 功率
PFTM---正向 峰 值 耗散 功率
PFT---正向 导 通总 瞬 时 耗散 功率
Pd---耗散 功率
PG---门 极平均功率
PGM---门 极 峰 值功率
PC---控制 极平均功率或 集 电极 耗散 功率
Pi---输入 功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温 不高于 150度 所能承受 的最大功率
PMP---最大 漏 过 脉冲 功率
PMS---最大 承受脉冲 功率
Po---输出 功率
PR---反 向 浪涌 功率
Ptot---总 耗散 功率
Pomax---最大 输出 功率
Psc---连续 输出 功率
PSM---不重复浪涌 功率
PZM---最大 耗散 功率。在 给 定使用条件下,稳压二极管允许 承受 的最大功率
RF (r ---正向 微分 电 阻 。在正向 导 通时,电流 随 电压 指 数的 增 加, 呈现明显 的 非线性 特性 。在 某一 正向电压下,电压 增 加 微小量△ V ,正向电流相 应增 加 △ I , 则△ V/△ I 称 微分 电 阻
RBB---双基 极 晶体 管的 基 极间电 阻
RE---射频 电 阻
RL---负载 电 阻
Rs(rs----串 联 电 阻
Rth----热 阻
R(thja----结 到 环境的 热 阻
Rz(ru---动 态 电 阻
R(thjc---结 到 壳的 热 阻
r δ---衰减 电 阻
r(th---瞬态 电 阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟 时间
tf---下 降 时间
tfr---正向 恢复 时间
tg---电 路 换 向关 断 时间
tgt---门 极 控制 极开通时间
Tj---结温
Tjm---最 高 结温
ton---开通时间
toff---关 断 时间
tr---上升 时间
trr---反 向 恢复 时间
ts---存储 时间
tstg---温度 补偿 二极管的 贮 成温度
a---温度系数
λp---发光峰 值波 长
△ λ---光 谱 半 宽 度
η---单 结 晶体 管 分 压比或 效 率
VB---反 向 峰 值 击穿 电压
Vc---整流 输入 电压
VB2B1---基 极间电压
VBE10---发射 极与 第一基 极 反 向电压
VEB---饱 和 压 降
VFM---最大正向压 降 (正向 峰 值电压
VF---正向压 降 (正向直流电压
△ VF---正向压 降差
VDRM---断态重复峰 值电压
VGT---门 极 触发 电压
VGD---门 极 不触发 电压
VGFM---门 极正向 峰 值电压
VGRM---门 极 反 向 峰 值电压
VF (AV ---正向平均电压
Vo---交 流 输入 电压
VOM---最大 输出 平均电压
Vop---工作电压
Vn---中 心 电压
Vp---峰点 电压
VR---反 向工作电压(反 向直流电压
VRM---反 向 峰 值电压(最 高 测试电压
V (BR ---击穿 电压
Vth---阀 电压(门限 电压
VRRM---反 向 重复峰 值电压(反 向 浪涌 电压 VRWM---反 向工作 峰 值电压
V v---谷点 电压
Vz---稳定电压
△ Vz---稳压 范围 电压 增量
Vs---通向电压(信号 电压或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数
Vk---膝点 电压(稳流二极管
VL ---极限电压 三、场效应管参数符号意义 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导
K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on---漏源通态电阻 rDS(of---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） R(thjc---结壳热阻 R(thja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on---开通延迟时间 td(off---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压（直流） VGS---栅源电压（直流） VGSF--正向栅源电压（直流） VGSR---反向栅源电压（直流） VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th---开启电压或阀电压 V（BR）DSS---漏源击穿电压 V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on---漏源通态电压 VDS(sat---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压（直流） Vsu---源衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流） VGu---栅衬底电压（直流） Zo---驱动源内阻 η---漏极效率（射频功率管） Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数