芯片知识介绍.pptx

课程名称：芯片知识介绍,课程版本号：,课程编制：,课程讲解：,培训对象：产线基层员工,目 录,晶片分类简介,1,晶片制程简介,2,常用晶片参数,3,附录产业名词汇总,4,晶片发光颜色及材质分布,晶片分类,晶片,一般晶片,二元,三元,高亮晶片,四元,AS,TS,OMA,InGaN,四元晶片结构,蓝光晶片结构,蓝光,ITO,晶片的差别,金屬接觸層,60%,90%,ITO,ITO,相对普通晶片亮度提升,30,以上！,晶片制程简介,总流程（以蓝光例）,磊晶制程,在蓝宝石基板（,Sapphire,）上成长氮化稼系磊晶层，成品简称,Epi Wafer,前制程（,Front End,）,包括晶片电极形成及晶圆抽样针测两大步骤,后段制程（,Back End,）,晶片电子特性针测、晶圆研磨,/,切割、分类、目检帖标签入库,1.,磊晶片透过不同磊晶成长法，制造,族化合物半导体，如：磷化镓 （,GaP,）、砷化镓（,GaAs,）、磷砷化镓,(AsGaP),、砷化铝镓（,AlGaAs,）、磷化铝铟镓（,AlGaInP,）、氮化铟镓（,GaInN,）等磊片。,2.,晶片的组成原物料：,主要为,及,族化学元素：磷（,P,）、镓（,Ga,）、砷（,As,）、,铝（,Al,）等。,如：黄绿色光：磷化镓（,GaP,）；,红 光：砷化铝镓（,AlGaAs,）、磷砷化镓（,AsGaP,）；,黄 光：磷化铝铟镓（,AlGaInP,）；,蓝 光：氮化铟镓（,GaInN,）。,3.,所有晶片及,PAD,尺寸标注单位均为,mil,。,如：,10mil0.250mm,；,11mil0.280mm,；,12mil0.300mm,；,8mil0.203mm,；,LED,发光原理,电流与电压关系,电流与波长的关系,温度与波长的关系,温度与光强的关系,温度与电压的关系,晶片的正确使用及影响因素,1.,晶片的正确使用：,固好晶片的材料原则上要求室内湿度在,40,以下。,晶片扩张温度设定：自动片蓝膜：,4010,；,手动片白膜：,4010,扩张越开，背胶胶量好管控，不易造成银胶过高,IR,，间隔以,1.86 mm,为 佳。银胶量为晶片高度的,2/5,最佳，,(1/41/2,晶片高度,),。,2.Bonding,焊接位置及压力对晶片电性均会有影响。,B/D,压力重易打损晶片造成晶片内崩，另接电面积小，第一焊点位置打 偏也会影响,IR,。故要求每换不同型号的晶片，焊线均需调整距离（钢嘴到第一焊点的距离）及压力。,3.,检测条件：电流设定：,20mA,；,电压（,VFV,）设定根据不同晶片规格设定：,E,：,2.0,；,G,：,2.1,；,Y,：,2.1,；,H,：,2.1,；,SR/SRD/LR/UR,：,1.8,；,LY/UY,：,2.1,。,晶片的正确使用及影响因素,影响晶片特性的主要因素：,晶片自身不良：,晶片切割不良，晶片,PAD,（接垫）不平整，晶片铝垫镀层不良（有凹洞）。,晶片材质不良：,影响晶片,VF,值的主要因素在于晶片背金（晶片背面的金属附著是否够，检测方式可用,TAPE,贴粘晶片的背面，看底部的金属附著是否会脱落）。（背面金属附著）背金分布有全金、点金，分布不同其电流不同以至影响其,VF,。,分析晶片首先将外形尺寸及铝垫大小进行测量，因不同大小的晶片制程工艺不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、侧面、上层、中层、下层所用材料均不同）。,一般晶片除了底部不发光，其它五个侧面都能发光，主要靠表面发光，晶片,PAD,（接电）的大小（及第一焊点线球的大小）会影响晶片的发光。,晶片,PAD,（接电）有加天线可以增进电流分布。,常用晶片参数,晶片,定义,晶片定义,右图在,1/100,1/10duty,时建议使用,100mA,电流，大于,1/10duty,时，使用电流下降，到直流时建议使用,30mA,电流！,同电流情况下，温度对产品,VF,的影响。,当温度升高，原子震动更加剧烈，“势垒区”变窄。同电流情况下，电子更容易通过“势垒区”与空穴结合发光，所以,VF,值相对室温要低，温度越高，原子震动越剧烈，产品,VF,值越低,产品当温度升高光强会降低，因为温度升高,VF,降低，导致产品功率也降低，功率降低意味着光强降低,温度和使用电流关系图,假设,LED,的热阻为,R,th,【/W】,点亮时消耗功率为,P【W】,此时结合部之温度上升,T,R,th,【/W】P【W】,当周围温度为,Ta,结合部温度,Tj,T,Ta,附录产业名词汇总,