半导体发光及器件汇总.pptx

,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,第,1,章 半导体发光材料及器件,光电子材料与器件,大 纲,1.0,概述,1.1,半导体及半导体发光基础,1.2,半导体发光材料,1.3,半导体激光器,1.4,发光二极管,1.0,概述,应用领域：,信息显示,光纤通信,固态照明,国防,半导体发光二极管,半导体激光器,III-V,族半导体材料：,GaAs(,砷化镓,),、,GaP(,磷化镓,),、,GaN(,氮化镓,),、,InGaN(,铟镓氮,),、,GaAsP(,磷砷化镓,),、,GaAlAs(,镓铝砷,),等,II-VI,族半导体化合物：,ZnS(,硫化锌,),、,ZnSe(,硒化锌,),1.0,概述,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.1,半导体物理基础,能带、导带、价带、禁带、直接带隙材料、间接带隙材料、本征半导体、非本征半导体、,1.1,半导体及半导体发光基础,能级,：孤立原子中电子的轨道，形成分离的能级。,能带,：原子紧密结合时，电子的轨道发生分裂，单个原子中电子的轨道数正比于紧密结合的原子数。轨道能量之差变得非常小，能级可视为近似连续分布，称为能带。,1.1.1,半导体物理基础,1.1,半导体及半导体发光基础,在绝对零度，可以被电子填满的最高能带形成,价带,。,价带之上，电子可以摆脱单个原子束缚，并在整个半导体材料中自由移动的能带，称为,导带,。,对半导体而言，价带与导带之间由,禁带,相隔。,1.1.1,半导体物理基础,1.1,半导体及半导体发光基础,直接带隙,和,间接带隙半导体,：,如果导带底与价带顶对应相同的波数，则相应的带隙为直接带隙。,如果导带底与价带顶对应不同的波数，则相应的带隙为间接带隙。,1.1.1,半导体物理基础,1.1,半导体及半导体发光基础,直接带隙半导体材料：发光器件,间接带隙半导体材料：光电探测器,1.1.1,半导体物理基础,1.1,半导体及半导体发光基础,本征半导体：,本征半导体是纯净而不含任何杂质的理想半导体材料。,由于晶体中原子的热振动，价带中的一些电子被激发到导带，同时在价带中留下空穴，形成电子,-,空穴对。因此，本征半导体中的电子浓度与空穴浓度相等。,1.1.1,半导体物理基础,1.1,半导体及半导体发光基础,非本征半导体：,本征半导体内引入一定数量的杂质，可以有效改变半导体的导电性质，这种掺有一定数量杂质的半导体称为非本征半导体。,1.1.1,半导体物理基础,本征与非本征半导体的费米能级：,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.1,半导体物理基础,费米能级,如果一个能带中的某一个能级的能量设为,E,，则该能级被电子占据的概率是符合一个函数规律的即为,f,（,E,），,f,（,E,）称为费米函数。当,f,（,E,）,=1/2,时，得出的,E,的值对应的能级为费米能级。一般近似的认为费米能级以下的能级都被电子所填充。电子从费米能级高的一侧向低费米能级一侧流动。,1.1,半导体及半导体发光基础,热平衡条件下的浓度定律：,浓度定律的推论？,热平衡？,在没有外界影响的条件下，热力学系统的宏观性质不随时间变化的状态,。,1.1.1,半导体物理基础,N,c,:,导带电子状态密度,1.1,半导体及半导体发光基础,PN,结：,扩散、漂移、自建场、耗尽层、正偏、反偏,1.1.1,半导体物理基础,1.1.1,半导体物理基础,1.1.2,半导体发光,一、辐射跃迁：,半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时，以光子的形式释放多余的能量，这称为辐射跃迁，辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。,跃迁是电子,-,空穴对复合,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.2,半导体发光,激励：,光致发光,电致发光,1.1,半导体及半导体发光基础,弛豫：从不稳定到稳定,1.1.2,半导体发光,二、辐射跃迁与非辐射跃迁,：,电子由较高能级跃迁至低能级并不发出电磁辐射，称作非辐射跃迁。,例如，处于亚稳能级的原子和离子在高真空条件下通过辐射过程而跃迁到低能级一般是很慢的，在气体放电现象中它会通过碰撞或者向器壁的扩散而快速地释放能量，从而跃迁到低能级。,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.2,半导体发光,同时考虑辐射跃迁过程和非辐射跃迁过程时，则有：,发光效率：,高效率的发光器件需要辐射寿命远小于非辐射寿命,。,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.2,半导体发光,三、,直接带隙材料与间接带隙材料的辐射跃迁：,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.2,半导体发光,普朗克常数,h=6.626068 10,-34,m,2,kg/s,e=1.602189210,-19,C,1.1,半导体及半导体发光基础,1.1.2,半导体发光,光子能量,1.1,半导体及半导体发光基础,1.2,半导体发光材料,一、发光材料概述：,主要的半导体发光材料为直接带隙的,III-V,族半导体材料，以及由它们组成的三元、四元固溶体。,固溶体指的是矿物一定结晶构造位置上离子的互相置换，而不改变整个晶体的结构及对称性等。,1.2,半导体发光材料,室温下,III-V,族发光材料的发射波长范围,发射波段宽的材料有什么相同点？,一、发光材料概述：,1.2,半导体发光材料,半导体发光材料的发光范围覆盖了紫外、可见光到红外的很宽范围的光谱。,在具体应用中，根据需要，为了获得特定波长范围的自发或受激辐射光波，则需选择合适的半导体发光材料。,半导体材料多元固溶体的带隙随成分的比例而变化，可以获得不同的发射波长。,一、发光材料概述：,1.2,半导体发光材料,GaAs,GaAs,是一种重要的,III-V,族化合物半导体，典型的,直接跃迁,型发光材料。直接跃迁发射的光子能量在,1.42ev,左右，相应波长在,873nm,附近，属于近红外波段。,砷化镓属于闪锌矿结构，由,极性共价键结合，离子性为,0.31,。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,GaP,间接带隙宽度,2.26eV,，典型的间接发光材料。在,GaP,中通过掺入杂质,(,例如,N),，产生等电子陷阱，俘获,激子,，通过激子复合实现发光。,在半导体发光材料中具有较高的发光效率。并且通过掺入不同的发光中心，可以直接输出红、绿、黄灯等种不同颜色的光。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,激子：,空穴带,正电,，自由电子带,负电,，它们之间的,库仑,吸引互作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,激子的俘获：,一个,电荷,(,电子或空穴,),首先被缺陷的近程势所束缚，使缺陷中心带电,然后再通过库仑互作用,(,远程势,),束缚一个电荷相反的空穴或电子，形成束缚激子。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,激子的复合发光：,在间接带隙半导体材料中，由于,动量,选择定则的限制，材料的发光通常是很弱的，但如果存在束缚激子，其波函数在空间上是局域化的，因而发光跃迁的动量选择定则大大放松，无须声子参与就可能具有很大的发光跃迁几率。这样，间接带材料的发光效率将大大增强。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,GaN,直接跃迁型半导体材料，具有带隙宽、热导率高、化学性能稳定的特点。室温条件下，带隙宽度,纤锌矿结构，可外延生长单晶。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,GaN,与,III,族氮化物半导体,InN,及,AlN,的性质接近，均为直接跃迁型半导体材料，它们构成的三元固溶体的带隙可以从,1.9eV,连续变化到,6.2eV,。,GaN,是性能优良的短波长半导体发光材料，可用于蓝光及紫光发光器件。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,InGaAsP,四元固溶体。通过组分,x,和,y,的调节，覆盖波长范围从,870nm(GaAs),至,3.5m(InAs),，该范围包含了光纤通讯波长,1.3,和,1.55m,。光纤通讯所用,1.3,和,1.55m,半导体光源即主要采用,InGaAsP,材料。,二、典型半导体发光材料,1.2,半导体发光材料,二、典型半导体发光材料,SiC,SiC,有无限多个晶型，根据晶格结构的不同，带隙宽度在,2eV3eV,之间。属于间接跃迁型半导体材料。可通过发光中心实现发光，,SiC,发光可以覆盖整个可见光及紫外光谱范围，,SiC,蓝光,LED,已经实现了商品化。,1.2,半导体发光材料,二、典型半导体发光材料,ZnS,（荧光粉）,II-VI,族半导体化合物，带隙宽度为,3.6eV,。使用,ZnS,粉末，用,Cu,作为激活剂，可以在交流驱动下，实现场致发光。发光光谱可覆盖整个可见光波段。,发光二极管,Light Emitting Diode,1.3,发光二极管,大功率,3W,，,5WRGB,三基色,LED,灯,1.,发光二极管的管芯是,PN,结，构成,PN,结的材料为直接带隙材料；,2,、,当加正向偏置时势垒下降，,p,区和,n,区的多数,载流子,向对方扩散。由于电子迁移率,比,空穴,迁移率大得多，出现大量电子向,P,区扩散，构成对,P,区少数,载流子,的注入。这些电子与价带上的,空穴,复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是,P-N,结发光的原理。,3,当注入正向电流时，注入结区的非平 衡载流子在扩散过程中自发辐射发出非相干光。在发光二极管的结构中不存在谐振腔，也不需要粒子数反转。,1.3,发光二极管,一、工作原理,全内反射造成大部分光复发逃逸形成有效光辐射；,只有小于全反射临界角的光才能形成部分反射大部分离开发光二极管，形成有效的光辐射。例如,GaAs-,空气界面的临界角只有,16,。,1.3,发光二极管,二、基本结构,同质结,LED,在基底上依次生长一层,n,型层和,p,型层，,p,型层相对较薄，以减少半导体材料的再吸收，有利于辐射符合产生的光子逃逸。,1.3,发光二极管,二、基本结构,指通常所说的,LED,的发光角度，,1/2,是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴线（法线）的夹角，,21/2,指左右两个方向的夹角之和。如下图所示,一般贴片,LED,系列的发光角度为,110,至,120,度之间，行业一般标注,120,度。,2.,异质结,LED,作用：由于,ALGaAs,的带隙宽于,GaAs,，在,GaAs,中发射的光子不被,ALGaAs,吸收，减小光吸收,P-AI,x,Ga,1-x,As,N-AI,y,Ga,1-y,As,P-GaAs,光输出,1.3,发光二极管,二、基本结构,1.,效率,1.3,发光二极管,三、主要光学特性,1.3,发光二极管,2.,光谱分析,1.3,发光二极管,3.,光强分布,朗伯分布,4.,温度特性,固态照明,-,白光,LED,发光二极管替代白炽灯、荧光灯等传统光源，由于发光二极管采用材料均为固态材料，发光二极管照明亦称为固态照明。,原理：,二波长光混色,(,蓝色光,+,黄色光,),GaN,芯片发蓝光（,p=465nm,）；,蓝光激发,Ce(,铈,),：,YAG,（,Y,3,A,l5,O,12,，,Y,2,O,3,和,Al,2,O,3,的摩尔比为,3,：,5,）荧光粉，发射黄色光，峰值,550nm,；,蓝光和黄光混合，得到白光。,1.3,发光二极管,四、发光二极管的典型应用,2.,结构：,蓝光,LED,基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有,YAG,的树脂薄层，约,200-500nm,。,1.3,发光二极管,在同一个发光单元中有三种颜色的,LED,，,LED,紧密排列，这样可使得各,LED,的光斑人眼中成像重叠,;,1.3,发光二极管,五、全彩,LED,独立控制发光单元中的三种发光二极管的灰度级别，亦即控制每个发光单元中的红、绿、蓝三种颜色各自的亮度，就可使发光单元调配出多种不同的颜色。,1.3,发光二极管,优点：,寿命长,理论上为10萬小時，一般大於5萬小時。（是荧光灯的,10,倍）,发热量低，耗电量小,白炽灯的,1/8,荧光灯的,1/3,）,体积小,重量轻,可封裝成,各种类型,坚固耐用,不怕震动,。,环氧树脂封装，防水，耐恶劣环境使用,1.3,发光二极管,多色显示,利用,RGB,可实现七彩色显示。,工作温度稳定性好。,响应时间快,一般为毫微秒(ns)级。,冷光，不是热光源。,电压低,可以用太阳能电池作电源,1.3,发光二极管,应用：,亮化工程景观、装饰灯,作为一种冷光源，,LED,照明灯具有绿色环保、节能、色彩绚丽等传统光源不可比拟的优点，对美化城市、塑造景观有重要作用。,白光照明：,已开始从小功率白光,LED,灯用起，如、手电筒、太阳能灯等，并逐步向白光照明迈进，将逐步取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯,大、中、小屏幕显示器：,各种广告牌、体育记分牌、金融和交通指示牌等,1.3,发光二极管,交通信号灯：,主要用超高亮度红、绿、黄色,LED,背光源：,主要是液晶,LCD,显示器上用的背光源，,LED,在背光源上的用量占,30%,的份额。,LED,指示灯：,广泛用于各种家电，仪器，设备之电源指示,1.3,发光二极管,LED,强光手电筒的选用及与普通手电筒的区别,LED,手电用多支,二极管,组成,应用：电视遥控器,1956,年第一个现代的无线遥控装置，利用超声波来调频道和音量，每个按键发出的频率不一样。,1.3,发光二极管,1980,年，出现了基于红外发光二极管和光电二极管的遥控器，慢慢取代了超声波控制装置。,目前大量使用的红外发光二极管，波长为,940nm,左右。,1.3,发光二极管,IRM3638,型红外接收头：,适宜对波长为,940nm,、调制频率为,38kHz,红外脉冲信号的接收。当信号强度达到,IRM,的接收要求时，只需接收,6,个脉冲就能可靠触发输出低电平信号。,一旦,IRM,接收不到符合要求的红外信号将输出高电平。,1.3,发光二极管,1.4.1,半导体激光器的工作原理,1.4.2,双异质结半导体激光器,1.4.3,分布反馈式激光二极管,1.4.4,量子阱半导体激光器,1.4.5,垂直腔表面发射激光器,1.4,半导体激光器,(Laser diode),一、半导体激光器历史和发展,1917,年，爱因斯坦提出“受激辐射”的概念；,1954,年，微波量子放大器出现；,1960,年，红宝石激光器；,1.4,半导体激光器,(laser diode),1.4.1,半导体激光器的工作原理,1962,年，,GaAs,激光器，,77K,的温度下，脉冲输出；,1970,年，半导体激光器的室温下连续输出；,波长范围履盖了可见光到长波红外，寿命百万小时，室温下连续工作，输出功率由几毫瓦到千瓦级。,1.4,半导体激光器,产生激光的,4,个条件：,工作物质,氦氖激光器,-,氖原子 红宝石激光器,-CrO3,泵浦（气体放电,-,光泵浦）,粒子数反转 （能级、热平衡）,在没有外界影响的条件下，热力学系统的宏观性质不随时间变化的状态,。,谐振腔,简并型半导体、费米 能级与,PN,结,简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂（施主杂质或是受主杂质的浓度很大），即费米能级进入了价带或导带的半导体。,简并参杂半导体,pn,结的能带结构图,简并半导体形成的,PN,结，在热平衡时，,N,区导带底被电子占据的概率,P,区价带顶被电子占据的概率,N,区和,P,区被耗尽层分割，,N,区自由电子不能进入,P,区复合。,当正偏时，外加加压减小了耗尽层厚度，当外加电压为,E,g,时，耗尽层消失，,P,区和,N,区接触。,粒子数反转：,当加在,PN,结上的正向电压超过某一值（,eVEg,）后，,PN,结的某段区域中导带底的电子数大于价带顶电子数，出现粒子数反转。该区域称为增益区,(,有源区,),。,粒子数反转的理解：,外电场、电子和空穴的注入、扩散、复合。,在,PN,结的某段区域，自由电子、空穴的浓度同时增大（电子占据导带的概率提高，占据价带的概率减小）。,当电流增加到某个值时，自由电子、空穴的浓度足够大，实现粒子数反转。,常用半导体材料的禁带宽度：,Ge,、,Si,、,GaAs,0.66eV,、,1.12 eV,、,1.42 eV,GaAs,的禁带宽度,：,1.42 eV,普朗克常数,h=6.626068 10,-34,m,2,kg/s,e=1.602189210,-19,C,P,N,结的厚度仅几十微米；,谐振腔一般是直接利用垂直于,P,N,结的两个端面（解理面）,GaAs,的折射率,n,3.6,，反射率,0.32,，另一面镀全反射膜,。,法布里,-,珀罗腔，简记为,F-P,腔,F-P,腔：平行平面腔，它由两块平行平面反射镜组成。又称为法布里,-,珀罗干涉仪，简记为,F-P,腔。,半导体激光器是用,PN,结作激活区，用半导体天然解里面作为反射镜组成谐振腔，外加正向偏压作为泵浦源。,外加正向偏压将,N,区的电子、,P,区的空穴注入到,PN,结，实现了粒子数反转分布,.,初始的光场来源于导带电子的自发辐射，方向杂乱无章，其中偏离轴向的光子很快逸出腔外，沿轴向运动的光子就成为受激辐射的外界因素，使之产生受激辐射而发射全同光子。,这些光子通过反射镜往返反射不断通过激活物质，使受激辐射过程如雪崩般地加剧，从而使光得到放大。在反射系数小于,1,的反射镜中输出。,二、半导体激光器的优点和缺点,优点：,结构简单；,电流泵浦，功率转换效率高,(,最大可达,50%),，便于调制,；,缺点,:,激光性能受温度影响大；,光束的发散角较大,(,一般在几度到,20,度之间,),。准直器（两个半柱透镜）,1.4.2,双异质结半导体激光器,有效降低阈值电流，一方面要对载流子进行限制；另一方面，也需要一定的波导结构将光子限定在有源区附近，这可以增加光子密度，提高受激辐射的概率。,利用双异质结结构的半导体激光器可以同时实现对载流子和光子的限制。半导体双异质结是窄带隙的半导体有源层夹在宽带隙的半导体材料之间形成的结构。由于宽带隙的半导体材料相比于窄带隙的半导体材料具有更低的折射率，这就使得该结构相当于二维层状介质波导，因此可以在垂直于结平面方向上同时有效地限制载流子和光子。,由于,p-p,异质结和,p-n,异质结对注入有源层的电子和空穴分别存在势垒，阻止电子和空穴的继续漂移，电子和空穴因此在有源层大量聚集，形成粒子数反转。,另外，,GaAs,相比于,AlGaAs,具有更高的折射率，因此形成二维介质波导将光子约束在有源层中，从而降低了光子的损耗，提高了光子密度。,1,、谐振腔对激光频率的约束：,nL=(/2)K,=2nL/K (K=1,2,3.),f=ck/2nL (K=1,2,3),f=c/2nL,1.4,半导体激光器,(laser diode),1.4.3,、分布反馈及分布布拉格半导体激光器,2,、法布里,-,珀罗（,f-p,）半导体激光器的缺点：,腔长一般为数百个微米，难以实现单纵模输出。满足不了光纤通信的需要（单模光纤）,3,、,DFB-LD,的谐振：,沿有源层长度方向的折射率周期性变化（波纹状）的,Bragg,光栅。,4,、分布反馈原理：,光沿有源层传播时，一部分在光栅波纹峰反射（折射率不同），另一部分透射。,如果邻近的反射光具有相同的相位，则叠加增强。,反射光同相相加条件：,2nL=m,L,：栅距,5,、分布反馈式激光器的优点：,单纵模输出；,谱线窄；,动态特性好；,线性好。,6,、其它类型的半导体激光器：,量子阱激光器,:,QW,-LD quantum well laser,量子阱是,窄带,隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为,SQW,（,Single Quantum Well,）；由多个势阱构成的量子阱结构为多量子阱，简称为,MQW,（,Multiple Quantum Well,）。,效率高、阈值电流小,垂直腔表面发射激光器：,VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,）发光面积大，发散角小。,随着激光器功率的不断提高，激光器内部发热量的不断增加，要求提高散热效率、降低单位面积发热功率，在这种情况下就产生面发射激光器。,7,、激光二极管阵列：,单个激光二极管管芯尺寸很小，腔长几百微米，厚度几十微米，宽度几十微米。输出功率一般几十,mW.,大功率的半导体激光器使用多个二极管排列成阵列，功率可以达到几十、几百,W,。,二极管阵列条,END,非常感谢,!,人有了知识，就会具备各种分析能力，,明辨是非的能力。,所以我们要勤恳读书，广泛阅读，,古人说“书中自有黄金屋。,”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，,培养逻辑思维能力；,通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，,培养文学情趣；,通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。,有许多书籍还能培养我们的道德情操，,给我们巨大的精神力量，,鼓舞我们前进,。,