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1.5电力晶体管.doc

上传人:仙人****88 文档编号:12024242 上传时间:2025-08-29 格式:DOC 页数:7 大小:1.15MB 下载积分:10 金币
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厦门职业技能学院教案纸 课程名称 电力电子技术 教 师 王雪瑶 章节内容 第1章 电力电子器件 1.5电力晶体管 审 批 意 见 授课班级 授课日期 授课时数 2 授课方法 讲授、提问 仪器教具挂图 教 学 目 的 要 求 理解GTR的工作原理。 掌握GTR的静态和动态特性。 掌握GTR的及二次击穿现象与安全工作区。 教学重点和难点 重点:GTR的静态和动态特性、主要参数。 难点:GTR的工作原理析解。 课堂练习题 P62 1.16 作业布置 教科书P62 1.15。 1.17 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 ※复习提问 w 1、简述GTO的特性? w 2、简述GTO的主要参数? ☆授新课 一、GTR的结构及工作原理 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a)内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 1、 发射区掺杂浓度高,集电区掺杂浓度低。 2、 基区非常薄。3、发展阶段:双极单个晶体管、达林顿管、GTR摸块。4、电气符号: GTR的结构特点: *与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 * 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 * 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 * 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 GTR的工作原理: c)内部载流子的流动 当UBE<0.7V或为负电压时,GTR处于关断状态,IC=0 当UBE>=0.7V时,GTR处于开通状态,IC=IMIN最大值 β=IC/IB 引言: *4.3.1术语用法: 电力晶体管(Giant Transistor——GTR,直译为巨型晶体管) 耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor——BJT),英文有时候也称为Power BJT在电力电子技术的范围内,GTR与BJT这两个名称等效 *应用: 20世纪80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管,但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 (一)输出特性 图 1 共发射极接法时GTR的输出特性 1、四个工作区域 截止区(又叫阻断区)、线性放大区、准饱和区和深饱和区 2、GTR工作在开关状态 截止区:集电结和发射结均反偏。 IB<0(或IB=0),UBE<0.7,UBC<0,GTR承受高电压,且有很小的穿透电流ICEO流过,类似于开关的断态; 饱和区:集电结和发射结均正偏。 Ø 准饱和区:随着IB的增大,此时UBE>0,UBC>0,但IC与IB之间不再呈线性关系,β开始下降,曲线开始弯曲; Ø 深饱和区:UBE>0, UBC>0,IB变化时IC不再改变,管压降UCES很小,类似于开关的通态。 线性放大区:UBE>0,UBC<0, IC=βIB,GTR 应避免工作在线 性区以防止大功耗损坏GTR; 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 (二) 开关特性 GTR的开通和关断过程电流波形 1、 增大ib的幅值并增大dib/dt,可缩短延迟时间,同时可缩短上升时间,从而加快开通过程 2、 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子,或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压,可缩短储存时间, 加快关断速度负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加,从而增大通态损耗GTR的开关时间在几微秒以内,比晶闸管和GTO都短很多. 前已述及:、集射极间漏电流Iceo、、开通时间ton和关断时间toff。 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 三、GTR的主要参数 1)电压定额: *集基极击穿电压BUCBO:发射极开路时,集基极能承受的最高电压。 * 集射极击穿电压BUCBO:基极开路时,集射极能承受的最高电压。 2)电流定额: ★集电极电流最大值IcM :一般以β下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic值为IcM。 *基极电流最大值IBM;规定为内引线允许通过的最大电流,通常取IBM≈(1/2~1/6)IcM。 3)最高结温TJM:塑封硅管TJM为125~150℃,金封硅管TJM为150~170℃,高可靠平面管TJM为175~200℃。 4)集电极最大耗散功率PcM:最高工作温度下允许的耗散功率产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC,间接表示了最高工作温度。 GTR的安全工作区 5)集射极间饱和压降Uces: 6)共射直流电流增益β:β=IC/IB表示GTR的电流放大能力。 β小于10。 四、GTR的二次击穿现象与安全工作区 1、一次击穿1)集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,出现雪崩击穿。 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 2)只要Ic不超过限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不变。 2、二次击穿 1)一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压的陡然下降 ,常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变。 2)GTR发生二次击穿损坏必须同时具备三个条件:高电压、大电流和持续时间。(温度、电压、时间是引起功率管集电极电流不稳定的主要因素。) 3、安全工作区 1)正偏安全工作区FBSOA(开通安全工作区) 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 开通安全工作区 关断安全工作区 2) 反偏安全工作区RBSOA(关断安全工作区)。 厦门职业技能学院教案纸 教 学 内 容 、 方 法 和 过 程 附 记 小结: 1、GTR的工作原理。 2、GTR的静态和动态特性。 3、掌握GTR的二次击穿现象与安全工作区。 4、GTR对基极驱动电路的要求。 第7页
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