正负光阻-学习资料演示幻灯片.ppt

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,微影技術,I,曝光與顯影,微影技術,：,Lithography,微影技術即為印刷製版技術，利用光罩將電路圖案轉移至光阻顯影，最後蝕刻完成。,步進機是負責圖案曝光，是半導體製造裝置中最昂貴的裝置，且為高度精密光學儀器。元件製造中，包括利用步進機反覆進行二十到三十次曝光的微影工程，可說是半導體製程的中樞。,1,微影技術流程,2,光阻製程,光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中，利用旋轉塗佈將基板塗上一層光阻。,光阻可分為負光阻和正光阻兩種，但由於解析度的關係，目前以正光阻為主流。,負光阻是曝光的部位經聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像。,正光阻利用不同的顯像液，改變可溶性的構造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分。,如圖為正光阻和負光阻的定義。,3,負光阻和正光阻的比較,4,負光阻和正光阻的比較,欲,形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩。,負光阻留下的光阻圖案,(,曝光部分,),，受到顯像液的影響而膨脹，導致解析度降低。,正光阻有穩定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時，對曝光和未曝光部分的溶解度差,(,對比,),，必須非常敏銳。,負光阻是含有具感光特性的化合物和環化橡膠類樹脂的有機溶劑，經光線照射後產生架橋反應，經重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產生溶解度的差異，進行圖案的顯像。,正光阻則是含有感光性材料和酚類樹脂的有機溶劑，為不溶性鹼。但經過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進行圖案的顯像。,5,負光阻和正光阻的比較,參數,負光阻,正光阻,化學穩定性,穩定,稍不穩定,靈敏度,較高,較低,解析度,稍低,高,顯像容許度,大,小,氧的影響,大,小,塗佈膜的厚度,因解析度無法加厚,可加厚塗佈,階梯式覆蓋率,不佳,良好,去除光阻,(,圖案形成後,),稍困難,容易,耐濕式蝕刻性,良好,不佳,耐乾式蝕刻性,稍差,良好,與,SiO,2,的黏著性,良好,不佳,機械強度,強,弱,6,