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第四章常用半导体--题库.doc

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第四章 常用半导体 4.1 半导体的基本知识 选择题: 1.PN结的基本特性是: ( B ) A.半导性 B.单向导电性 C.电流放大性 D.绝缘性 正确答案是B,本题涉及的知识点是:PN结的基本特性。 2. 半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为: ( B ) A.扩散运动 B.漂移运动 C.有序运动 D.同步运动 正确答案是B,本题涉及的知识点是:PN结的形成相关知识。 3. 在PN结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是: ( A ) A.扩散运动 B.漂移运动 C.有序运动 D.同步运动 正确答案是A,本题涉及的知识点是:PN结的形成相关知识。 6. N型半导体和P型半导体是利用了本征半导体的如下哪个特性(C) A.热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性 正确答案是C,本题涉及的知识点是:本征半导体特性知识。 7. N型半导体是在本征半导体掺入(A ) A.5价元素 B. 3价元素 C. 导电杂质 正确答案是A,本题涉及的知识点是:N型半导体的掺杂知识。 8. P型半导体是在本征半导体掺入(B ) A.5价元素 B. 3价元素 C. 导电杂质 正确答案是B,本题涉及的知识点是:P型半导体的掺杂知识。 9. N型半导体中多数载流子是(A ) A.自由电子 B. 空穴 C. 自由电子和空穴 D.电子 正确答案是A,本题涉及的知识点是:N型半导体的多数载流子知识。 10. P型半导体中多数载流子是(B ) A.自由电子 B. 空穴 C. 自由电子和空穴 D.电子 正确答案是B,本题涉及的知识点是:P型半导体的多数载流子知识。 4.2 半导体二极管 选择题: 4.如图所示电路,输入端A的电位UA=+3V,B点的电位UB=0V,电阻R接电源电压为-15V,若不计二极管的导通压降,输出端F的电位UF为: ( A ) A.3V B. 0V C. 1.5V D . -16V 正确答案是A,本题涉及的知识点是:二极管优先导通问题。 5.如图所示电路,输入端A的电位UA=+3V,B点的电位UB=0V,电阻R接电源电压为-15V,若二极管的导通压降为0.7V,输出端F的电位UF为: ( C ) A.3V B. 0V C. 2.3V D . -16V 正确答案是C,本题涉及的知识点是:二极管优先导通问题。 11.二极管的用途不包括( D) A.整流 B.钳位 C.保护 D.放大 正确答案是D,本题涉及的知识点是:二极管的用途。 计算题: 33.如图所示,UAB为( C ) A.6V B. 12V C. -6V 正确答案是C,本题涉及的知识点是:含二极管的电路的分析方法 解:取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。 U阳 =-6 V U阴 =-12 V U阳>U阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 在这里,二极管起钳位作用。 34.如图,如图所示,若忽略管二极管的导通压降,UAB为(D ) A.6V B. 12V C. -6V D. 0V 正确答案是D,本题涉及的知识点是:优先导通问题,含二极管的电路的分析方法。 解:取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。 U1阳 =-6 V,U2阳=0 V,U1阴 = U2阴= -12 V UD1 = 6V,UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通, D1截止。 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V 流过 D2 的电流为 D1承受反向电压为-6 V。在这里, D2 起钳位作用, D1起隔离作用。 35.已知: 二极管是理想的,有关 uo 波形的表述正确的是(A ) A.uo正半周将被削掉一部分 B. uo负半周将被削掉一部分 C. uo波形和ui波形一致 正确答案是A,本题涉及的知识点是:含二极管的电路的分析方法;二极管单向限幅知识。 解: ui > 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui < 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui 36.在如图所示的电路中,设D为理想二极管,已知输入电压ui的波形如图。则有关输出电压uo的波形的论述正确的是(D ) A.uo正半周将被削掉一部分 B. uo负半周将被削掉一部分 C. uo波形和ui波形一致 D.uo正负半周都将被削掉一部分 正确答案是D,本题涉及的知识点是:含二极管的电路的分析方法;二极管双向限幅知识。 解:V时,D1导通,D2截止,V 时,D1截止,D2截止, V时,D1截止,D2导通,V uo与ui的波形对比如右图所示: 37.图示电路中,D为理想二极管,已知u i的电压波形,且不计二极管的导通压降。输出电压u o的波形图为( A ) A B C 正确答案是A,本题涉及的知识点是:含二极管的电路的分析方法;二极管限幅知识。 解:V时,D导通, V V时,D截止, uo与ui的波形对比如右图所示: 38.图示电路中,D为理想二极管,已知u i的电压波形,且不计二极管的导通压降。输出电压U0的波形图为( C ) A B C 正确答案是C,本题涉及的知识点是:含二极管的电路的分析方法;二极管限幅知识。 解:V时,D导通, V时,D截止,V uo与ui的波形对比如右图所示: 4.3 稳压管 12. 稳压管工作在(C) A.正向导通区 B. 死区 C. 反向击穿区 正确答案是C,本题涉及的知识点是:稳压管工作区知识。 13. 稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区,在这个区域里电流幅度变化很大,而电压变化(B) A.很大 B.很小 C.不会变 D.不定 正确答案是B,本题涉及的知识点是:稳压管伏安特性曲线知识。 32.图中通过稳压管电流IM等于多少?( B ) A.12.5mA B. 5mA C. 18mA 正确答案是B,本题涉及的知识点是:稳压管知识 14. 图示电路,两个稳压管VDZ1和VDZ2,其稳定电压分别为6.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。输出电压为(D) A.6.5V B. 8.5V C. 18V D. 0.5V 正确答案是D,本题涉及的知识点是:两个稳压管反向并联时,输出电压的确定。 15.图示电路,两个稳压管VDZ1和VDZ2,其稳定电压分别为6.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。输出电压为(A ) A.6.5V B. 8.5V C. 18V D. 0.5V 正确答案是A,本题涉及的知识点是:两个稳压管同向并联时,输出电压的确定。 16. 图示电路,两个稳压管VDZ1和VDZ2,其稳定电压分别为6.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。输出电压为(C) A.6.5V B. 8.5V C. 7V D. 15V 正确答案是C,本题涉及的知识点是:两个稳压管反向串联时,输出电压的确定。 17. 图示电路,两个稳压管VDZ1和VDZ2,其稳定电压分别为6.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。输出电压为(D) A.6.5V B. 8.5V C. 7V D. 15V 正确答案是D,本题涉及的知识点是:两个稳压管同向串联时,输出电压的确定。 4.4 半导体三极管 选择题: 18. 已知某晶体管的电流放大系数β为50,现测得放大电路中该管子两个电极的电流如图所示。则另一电极的电流为(C ) A.500uA B. 50mA C. 1.01mA 正确答案是C,本题涉及的知识点是:KCL在晶体管中的应用。 19. 测得放大电路中某只晶体管的直流电位如图所示。该管是(A) A.硅管 B.锗管 C.都有可能 正确答案是A,本题涉及的知识点是:硅管发射结导通压降约为0.7V,锗管导通压降约为0.2V。 20. 测得放大电路中某只晶体管的直流电位如图所示。该管是(B) A.硅管 B.锗管 C.都有可能 正确答案是B,本题涉及的知识点是:硅管发射结导通压降约为0.7V,锗管导通压降约为0.2V。 21. 测得放大电路中某只晶体管的直流电位如图所示。该管是(A) A.PNP型晶体管 B. NPN型晶体管 C.都有可能 正确答案是A,本题涉及的知识点是:PNP型晶体管处于放大状态时,发射级电位最小,基级电位居中,集电级电位最高。 22.测得放大电路中某只晶体管的直流电位如图所示。该管是(B) A.PNP型晶体管 B. NPN型晶体管 C.都有可能 正确答案是B,本题涉及的知识点是:NPN型晶体管处于放大状态时,集电级电位最小,基级电位居中,发射级电位最高。 23. 电路中的某晶体管,管脚电位如下, 管脚 1 2 3 电位/V 3 3.2 9 1、2、3三个管脚分别为( B ) A.b c e B. b e c C. e b c 正确答案是B,本题涉及的知识点是:PNP型晶体管处于放大状态时,集电级电位最小,基级电位居中,发射级电位最高。 24. 电路中的某晶体管,管脚电位如下, 管脚 1 2 3 电位/V -6.4 -3.0 -2.4 1、2、3三个管脚分别为( C ) A.b c e B. b e c C. c b e D. e b c 正确答案是C,本题涉及的知识点是:PNP型晶体管处于放大状态时,集电级电位最小,基级电位居中,发射级电位最高。 25. 某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是:2V,1.3V,5V。则可以判断此三极管为(D) A.锗PNP管 B.锗NPN管 C.硅PNP管 D.硅NPN管 正确答案是D,本题涉及的知识点是:NPN型晶体管处于放大状态时,集电级电位最小,基级电位居中,发射级电位最高。硅管发射结导通压降约为0.7V 26.某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是:-2V,-1.8V,-5V。则可以判断此三极管为:(A) A.锗PNP管 B.锗NPN管 C.硅PNP管 D.硅NPN管 正确答案是A,本题涉及的知识点是:PNP型晶体管处于放大状态时,集电级电位最小,基级电位居中,发射级电位最高。锗管导通压降约为0.2V。 27.输出特性曲线如图所示,在UCE= 6 V时, Q1 点IB=40mA, IC=1.5mA; Q2 点IB=60 mA, IC=2.3mA。交流放大倍数为(A ) A.40 B. 37.5 C. 38.3 正确答案是A,本题涉及的知识点是:直流放大倍数和交流放大倍数的概念。 28.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,试问在下列情况下,哪种是正常工作? ( A ) A.UCE =3V,IC =10mA B. UCE =2V,IC =40mA C .UCE =6V,IC =20mA 正确答案是A,本题涉及的知识点是:对晶体管极限参数的理解。 29.对晶体管的放大工作状态,下列描述正确的是 ( A) A.三极管工作在放大工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。 B. 三极管工作在放大工作状态时,集电结反偏,发射结反偏。 C .三极管工作在放大工作状态时,集电结正偏,发射结正偏。 正确答案是A,本题涉及的知识点是:晶体三极管分别工作在放大工作状态时,三极管中的两个PN结所具有的特点。 30. 对晶体管的饱和工作状态,下列描述正确的是 ( C) A.三极管工作在饱和工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。 B. 三极管工作在饱和工作状态时,集电结反偏,发射结反偏。 C . 三极管工作在饱和工作状态时,集电结正偏,发射结正偏。 正确答案是C ,本题涉及的知识点是:晶体三极管分别工作在饱和工作状态时,三极管中的两个PN结所具有的特点。 31.对晶体管的截止工作状态,下列描述正确的是 ( B) A.三极管工作在截止工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。 B. 三极管工作在截止工作状态时,集电结反偏,发射结反偏。 C . 三极管工作在截止工作状态时,集电结正偏,发射结正偏。 正确答案是B ,本题涉及的知识点是:晶体三极管分别工作在截止工作状态时,三极管中的两个PN结所具有的特点。
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