《微电子器件》第三版习题讲解PPT课件.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,部 分 习 题 解 答,部分物理常数：,1,第,2,章,1,、在,N,区耗尽区中，高斯定理为：,取一个圆柱形体积，底面在,PN,结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于,x,处。则由高斯定理可得：,当,x,=,x,n,时，,E,(,x,)=0,，因此 ，于是得：,（,2-5a,）,2,3,、,3,4,、,4,6,、,N,D2,N,D1,5,6,8,、,(1),7,8,(2),9,10,20,、,11,24,、,PN,结的正向扩散电流为,式中的,I,0,因含,n,i,2,而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为,于是,PN,结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为,12,31,、,当,N,-,区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：,当,N,-,区缩短到,W,=3,m,时，雪崩击穿电压成为：,13,34,、,14,39,、,15,第,3,章,1,、,NPN,缓变基区晶体管在平衡时的能带图,NPN,缓变基区晶体管在放大区时的能带图,16,2,、,NPN,缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图,17,3,、,18,6,、,19,7,、,8,、以,NPN,管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（,3-33a,）和式（,3-33b,），,再根据注入效率的定义，可得：,20,9,、,21,10,、,(1),(2),(3),(4),22,14,、,23,15,、,24,20,、当忽略基区中的少子复合及,I,CEO,时，,25,26,27,、实质上是,I,CS,。,22,、,27,使,N,B,N,C,，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。,39,、,为提高穿通电压,V,pt,，应当增大,W,B,和,N,B,，但这恰好与提高,相矛盾。解决方法：,28,48,、,当,I,E,很大时，这时,0,；,在,I,E,很小或很大时，,都会有所下降。,在正常的,I,E,范围内，,几乎不随,I,E,变化，这时,0,与,也有类似的关系。,29,58,、,30,31,59,、,32,65,、,(1),(3),(2),(4),33,68,、,34,第,5,章,1,、,35,3,、,36,37,5,、,38,6,、,39,40,8,、,41,13,、,42,