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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,3.6,分 离 变 量 法,基本思想:,方 式:,所求场域的边界面应与某一正交坐标系的坐标面重合。,把待求的位函数表示为几个未知函数的乘积,其中每一个未知函数仅是一个坐标变量的函数。,代入偏微分方程进行变量分离,将原偏微分方程分离为几个常微分方程。,分别求解这些常微分方程,并利用场域及边界条件确定其中的待定常数,从而得到位函数的解。,应 用:,求解二维拉普拉斯方程的边界问题。,1,如果问题的边界面与直角坐标系的坐标面吻合,则可采用直角坐标系中的分离变量法。,1.直角坐标系中的分离变量法,在直角坐标系中的展开式为,令,代入上式,得,无源区中电位满足的拉普拉斯方程为,两边再除以,X,(,x,),Y,(,y,),,得,只与x有关,只与y有关,2,此常数写成 。,式中,k,称为分离常数,它的取值不同,常微分方程的解也有不同的形式。,由上可见,经过变量分离后,二维偏微分方程式被简化为二个一维常微分方程。常微分方程的求解较为简便,而且二个常微分方程又具有同一结构,因此它们解也一定具有相同的形式。,要使上式成立,式中每一项都必须为常数。,当,k=,0,时,二常微分方程的解为,3,当,k,0,时,二常微分方程的解为,双曲函数,含变量,x,或,y,的常微分方程的解具有完全相同的形式。这些解的,线性组合,仍然是方程的解。,式中,A,B,C,D,为待定常数。,为满足给定的边界条件,分离变量,k,通常取一系列特定的值,k,n,(,n=,1,2,,),。,4,位函数 的通解为,若令 代替,,可得另一形式通解,解的形式的选择是非常重要的,它完全决定于给定的,边界条件,。解中各个待定常数也取决于给定的边界条件。,5,例,横截面为矩形的无限长接地金属导体槽,上部有电位为 的金属盖板;导体槽的侧壁与盖板间有非常小的间隙以保证相互绝缘。试求此导体槽内的电位分布。,解:导体槽在 方向为无限长,槽内电位满足直角坐标系中的二维拉普拉斯方程。,(导体槽内D域),6,由于槽内电位 和 ,则其通解形式为,代入上式,得,为使上式对 在 内成立,则,则,代入上式,得,7,为使上式对 在 内成立,则,则,代入上式,得,其中 不能为零,否则 ,故有,得,8,为使上式对 在 内成立,且 则,则,代入上式,得,9,为确定常数 ,将 在区间 上按 展开为傅里叶级数,即,导体槽内电位函数为,10,导体槽内电位分布情况为,11,(D域内),例,一无限长金属槽,其三壁接地,另一壁与三壁绝缘且保持电位为 ,金属槽截面为正方形(边长为a),试求金属槽内电位的分布。,解:选定直角坐标系,12,例,由四块沿轴方向放置的金属板围成的矩形长槽,四条棱线处有无限小间隙以保证相互绝缘。试求槽内空间的电位分布。,解:设金属板沿 方向为无限长,槽内空间的电位函数满足直角坐标系中的二维拉普拉斯方程。,(矩形槽内),13,2.圆柱坐标系中的分离变量法,电位微分方程在圆柱坐标系中的展开式为,令其解为,代入上式求得,上式中第二项仅为变量,的函数,而第一项与,无关,因此二项均应为常数,令,具有圆柱面边界的问题,可采用圆柱坐标系中的分离变量法求解。,14,即,式中,k,为分离常数,15,通常变量,的变化范围为 ,那么位函数随,的变化一定是以 2,为周期的周期函数。因此分离常数,k,一定是整数,以保证函数的周期为2,。即 且 ,则通解为,x,y,a,E,0,电场线,等位面,圆柱外电场线、等位面以及圆柱表面的电荷分布如下图示:,16,3.球坐标系中的分离变量法,电位微分方程在球坐标系中的展开式为,令,代入上式,得,与前同理,,的解应为,具有球面边界的问题,可采用球坐标系中的分离变量法求解。,17,可见,上式中第一项仅为,r,的函数,第二项与,r,无关。因此,与前同理第一项应为常数。为了便于进一步求解,令,式中,n,为整数。这是尤拉方程,其通解为,将此结果代入上式,得,18,令 ,则上式变为,上式为,连带勒让德方程,,其通解为,第一类连带勒让德函数,与,第二类连带勒让德函数,之和,这里,m,n,。,当,n,是整数时,及 为有限项多项式。因此,要求,n,为整数。,根据第二类连带勒让德函数的特性知,当 时,。因此,当场存在的区域包括,或,时,此时只能取第一类连带勒让德函数作为方程的解。,所以,通常令,19,那么,电位微分方程的通解通常取为下列线性组合,若静电场与变量,无关,则,m,=0,。那么 称为第一类勒让德函数。此时,,电位微分方程,的通解为,20,E,0,z,y,0,a,球内电场仍然为均匀电场,而且球内场强,低于,球外场强。,球内外的电场线如图示。,21,
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