工程电磁场-第2章.ppt

,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,1,2,第二章 静电场的基本原理,2.1,库仑定律与电场强度,两个点电荷之间的作用力用下式表示,在真空中，两个静止点电荷,q,1,及,q,2,之间的相互作用力的大小和,q,1,与,q,2,的乘积成正比，和它们之间距离,R,的平方成反比；作用力的方向沿着它们的联线，同号电荷相斥，异号电荷相吸。,3,0,是真空中的介电常数,电荷量的单位库仑，,C,距离的单位米，,m,力的单位牛，,N,0,的单位是法,/,米，,F/m,库仑定律是静电场的基础，也是电磁场的基础,点电荷：只带电荷而没有形状和大小的物体。,4,2.,电场强度,电荷在其周围产生电场，产生电场的电荷称为电场的源。,相对于观察者静止的电荷产生的电场，称为静电场。,真空中放置一个点电荷,q,，在其附近放置一个试验电荷,q1,。在静电场中的某一点（,x,y,z,），,q1,受到的作用力,F,与,q1,的电荷量成正比，而作用力,F,与,q1,电荷量的比值与试验电荷无关，我们定义表征静电场的基本场矢量电场强度为：,单位伏,/,米，,V/m,点电荷,q,产生的电场强度,R,是从点电荷所在的源点,(x,y,z,),到场点,(x,y,z),的距离；,e,R,为源点到场点的单位矢量,5,6,3.,分布电荷的电场强度,电场力的叠加原理,两个点电荷共同产生的电场强度,N,个点电荷共同产生的电场强度,7,线密度,面密度,体密度,电荷元,电荷元产生的电场强度与点电荷相同，是一个无穷小的量，积分可得整个源区所有电荷产生的电场强度,8,线电荷、面电荷、体电荷产生的电场强度,例,2-1-1,真空中长度为,2l,的直线段，均匀带电，电荷线密度为,。求线段外任一点,P,的电场强度。,解 根据对称性分析，采用柱坐标系分析比较方便。,坐标的源点位于线段的中心，,z,轴与线段重合。场点,P,的坐标为（,r,z,），取电荷元,dz,，源点坐标为（,0,z,）,9,电荷源在,p,点产生的电场强度的各分量为,场点坐标（,r,z,）是不变量，源点坐标（,0,z,）中,z,是变量，统一用,表示,10,总的电场强度,若为无限长直导线,11,12,13,14,15,例,2-1-2,如图所示，真空中圆形线电荷半径为,a,，均匀带电，电荷线密度为,，,求在其轴线上任一点的电场强度。,解 根据电荷分布的对称性，采用圆柱坐标系。设坐标原点在圆形线电荷的圆心，,z,轴与线电荷圆心轴线重合。,场点,P,的坐标为,(0,z),，取一个电荷元,ad,，源点坐标为,（,a,，,，,0),。再取一个电荷元,ad,源点坐标为,(a,，,+,，,0),。这样，两对称电荷元在,P,点产生的电场强度沿,er,方向两个分量符号相反，相互抵消,;,沿,e,方向的电场强度为零,;,沿,ez,方向的两个分量符号相同。因此，由这两个对称电荷元产生的电场强度为,计算,P,点电场强度时，场点坐标,(0,z),不变，源点坐标（,a,，,，,0),中只有,是变量。,16,17,18,2.2,电位与静电场的环路定理,1.,电位,场点的坐标是,(x,y,z),，用距离矢量,r,表示,;,源点的坐标是,(x,y,z),，用距离矢量,r,表示；,R,是以上两距离矢量之差，也就是从源点到场点的距离矢量，且,可见，,R,与,(x,y,z),和,(x,y,z),都有关系。当源点不变，场点变化时，的梯度表示为 。当场点不变，源点变化时，的梯度表示为,19,电场强度计算公式,梯度是对场点进行的，,是电荷密度，是源点的函数，与场点无关,式中，体积分是对源点进行的，源点变化；求梯度是对场点进行的，场点变化，故两种运算相互独立，可以交换次序,由上式可知，电场强度可表示为某个标量函数的负梯度。我们把这个标量函数定义,为电位，并用 来表示，则,20,体电荷,面电荷,线电荷,N,个点电荷,电位的表示式中有常数,C,，说明电位数值不是惟一的。但由电位求负梯度得到的电,场强度却是惟一的。电位的惟一性问题，可以由选择电位参考点来解决。电位的参考点就是强迫电位为零的点。在电荷分布于有限区域的情况下，选择无穷远处为电位参考点，计算比较方便。这时，前面电位计算式中的常数,C,为零。,21,22,2.,电位与电场强度的关系,由电位计算电场强度，是求梯度的运算，也就是求微分的运算,由电场强度计算电位，是相反的运算，也就是求积分的运算。考虑电场强度的线积分,Q,点电位已知,Q,点为参考电位，且,=0,，则,这就是说，,P,点的电位等于电场强度从,P,点到参考点的线积分。电场强度是单位电荷受到的电场力。所以，,P,点的电位表示将单位电荷从,P,点移动到参考点，电场力所做的功。,电位和电压的单位是伏，,V,。,23,3.,静电场环路定理,对电场强度求旋度，可得,即电场强度的旋度为零，这是静电场环路定理的微分形式,根据斯托克斯定理，有,电场强度的闭合线积分为零，是静电场环路定理的积分形式,24,对闭合曲线,acbda,，应用环路定理,可见，,ab,两点之间的电位差与积分路径无关，这是静电场环路定理的具体体现。,旋度处处为零的场称为无旋场。静电场是无旋场。,25,4,等电位面与电场强度线,等电位面和电场强度线是对电场的形象表示。等电位面就是由电位相同的点组成的曲面，其方程为,电场强度线是一族有方向的线。电场强度线上每一点的切线方向就是该点的电场强,度方向。设,dl,为,P,点电场强度线的有向线段元，则电场强度可表示为,E=kdl,。在直角,坐标系中，有,电场强度线方程,点电荷电场,26,例,2-2-1,如图所示，在位于直角坐标系坐标原点的点电荷,q,所产生的静电场中，求,P1(0,0,1),到,P2(0,2,0),的电位差。,解,（,1,）由电位公式直接计算，,P1,和,P2,点的电位分别为,（,2,）由电场强度积分计算，根据点电荷的电场强度公式,27,2.3,高斯通量定理,1.,高斯通量定理的微分形式,在体电荷情况下，讨论电场强度的散度,:,上式的散度运算是对场点进行，体积分运算对源点进行，两种独立运算可以交换次序，即,由于,是电荷密度，是源点的函数，与场点无关，所以,28,式中，体积分的被积函数在,R=0(,即源点与场点重合这一点,),之外的区域上全为零。因,此，积分区域可缩小到场点附近的小区域。,假定小区域是以场点为球心，以,R,为半径的球体，因为,R,可以任意小，所以可认为小体积中的,为常数，并将其移到积分号之前。根据散度定理，有,29,高斯通量定理的微分形式,即静电场中任一点上电场强度的散度等于该点的体电荷密度与真空的介电常数之比,30,2.,高斯通量定理的积分形式,由高斯通量定理的微分形式，利用散度定理可得,式中，,S,为任意闭合面，,q,为该闭合面内电荷总量。,这就是高斯通量定理的积分形式。,31,例,2-3-1,真空中半径为,a,的均匀带电球，若其电荷体密度为,，求球体内外的电场强,度和电位。,解 如图所示，根据电荷分布的对称性，作半径为,r,的球面,S,，则在,S,上电场强度量值处处相等，方向都沿半径方向。根据高斯通量定理,当,ra,时,32,当,ra,时,设无穷远处为电位参考点，则当,ra,时,当,ra,时,33,例,2-3-2,如图所示，真空中，半径为,A,的大圆球内有一个半径为,a,的小圆球，两圆球面之间部分充满体密度为,的电荷，小圆球内电荷密度为零,(,空洞,),。求小圆球,(,空洞,),内任一点的电场强度。,解 根据叠加原理，空洞内,P,点的电场强度，可以看作是由充满电荷、电荷体密度为,的大球和充满电荷、电荷体密度为,-,的小球在,P,共同产生的电场强度。,因为大球内电荷产生的电场强度为,34,小球内电荷产生的,电场强度为,35,2.4,电偶极子,1.,电偶极子,所谓电偶极子就是两个相距很近的等量异号电荷组成的整体。设电偶极子两电荷的电荷量分别为,q,和,-q,，从负电荷到正电荷的距离矢量为,d,，则可以用一个矢量来表示电偶极子。这个矢量叫做电偶极矩，记为,p,，且,2.,电偶极子的电位,电偶极子产生的电场，就是电偶极子的两个点电荷共同产生的电场。在如图所示的直角坐标和球坐标系情况下，设电偶极矩的方向与二轴一致，且电偶极子位于坐标原点，则电偶极子的电位为,36,R,远大于,d,电偶极子产生的电场与单个点电荷产生的电场的空间分布规律有明显不同。点电荷的电位与,R,成反比，而电偶极子的电位与,R,2,成反比。,37,38,3.,电偶极子的电场强度,在球坐标系中，电偶极子的电场强度,39,40,2.5,导体和电介质,静电场中的导体,在静电平衡条件下，导体内部电位的梯度为零，导体内部电位各处相等，即导体是一个等电位体，导体表面是一个等位面。导体外表面电场强度只有法向分量，其切向分量为零，即导体外表面上电场强度的方向与外表面垂直。,例,2-5-1,无限长同轴电缆截面如图所示，内导体半径为,R,，单位长度所带电荷为,外导体内半径,R2,，外半径,R3,，单位长度所带电荷为,-,。假定内外导体之间为真空。求各区域的电场强度。,41,2.,静电场中的电介质,与导体不同，电介质中的电荷不能自由运动。这些电荷束缚在分子或原子范围之内，只能作微小的移动，因此叫做束缚电荷。,3.,电介质内电偶极子产生的电场,电介质极化后，其内部存在大量按一定规律分布的电偶极子。将电偶极子偶极矩的密度定义为极化强度,P,用来表示电介质极化的程度，即,电偶极子元,PdV,所产生的电位为,42,根据矢量恒等式,令,根据散度定理，第一项体积分可化为闭合面积分，因此,43,因此，电介质内电偶极子产生的电场，可看成是极化电荷产生的电场，且电位和电场强度分别表示为,44,2.6,电位移矢量,考虑极化电荷的高斯通量定理,极化电荷与自由电荷一样产生电场强度。因此，在有电介质存在的情况下，高斯通量定理应表示为,在闭合曲面,S,内的极化电荷为,45,第一项体积分应用散度定理，并把真空当作一种特殊的电介质，即在真空中，,P=0,，得,高斯通量定理可写成,46,2.,电位移矢量,在有电介质存在的情况下，高斯诵量定理可以写成,定义一个新的场矢量,D,，叫做电位移矢量，且,高斯通量定理可写成,47,高斯通量定理微分形式,48,3.,静电场的辅助方程,电位移矢量,D,与电场强度,E,有关。,P,是极化强度，其值在真空中为零，在电介质中与电场强度有关。这里的电场强度是电介质中实际电场强度，是由自由电荷和束缚电荷共同产生的总的电场强度。,式中，,x,是电介质的极化率,令,r,=1+x,称之为电介质的相对介电常数。,=,0,r,称之为电介质的介电常数,这就是线性、各向同性电介质中静电场的辅助方程。它建立了电介质中两个基本场矢量,D,和,E,之间的简单关系。,49,对于一般的电介质，辅助方程还应该写成,D,线从正自由电荷发出，终止于负自由电荷。,E,线从正电荷,(,包括自由电荷和极化电荷,),发出，终止于负电荷,(,包括自由电荷和极化电荷,),。,P,线从负极化电荷发出，终止于正极化电荷。,50,2.7,静电场的基本方程与分界面条件,1,静电场基本方程的微分形式,辅助方程,2.,静电场基本方程的积分形式,对应于微分形式，前面也已导出了静电场基本方程的积分形式,51,3.,电介质分界面条件,在不同电介质的分界面上，存在极化面电荷,(,束缚面电荷,),，也可能存在自由面电荷。这造成分界面两侧场矢量不连续。这种场矢量的不连续性虽然不会影响积分形式基本方程的应用，却使微分形式的基本方程在不同电介质分界面处的应用遇到困难。因此必须研究场矢量的分界面条件。,电场强度,E,应满足的分界面条件。,围绕分界面上一点,P,做一个小矩形闭合曲线，,abcda,。,en,是分界面法线方向的单位矢量，由第一种电介质指向第二种电介质,;et,是一个切线方向的单位矢量,;e,是与,et,垂直的另一个切线方向的单位矢量，代表其方向垂直于纸面向里。,52,53,为,P,点沿分界面切线方向的一个矢量,e,可以取为任意的切线方向,这就是电场强度应满足的分界面条件。,54,电位移矢量,D,应满足的分界面条件,若分界面上没有自由面电荷分布,这就是电位移矢量应满足的分界面条件。,55,4.,电介质分界面场图,（,1,）电场强度切线方向连续,;,（,2,）电位移矢量法线方向连续。,例,2-7-1,给定平行平板电容器的尺寸、电介质的介电常数，在图,2-7-6(a),中给定极板电压，在图,2-7-6(b),中给定极板总电荷量，求这两种情况下电容器中的电场强度。,图,2-7-6(a),56,图,2,一,7,一,6(b),57,例 有两相距为,d,的平行无限大平面电荷，电荷面密度分别为,和,-,。求两无穷大平面分割出的三个空间区域的电场强度。,作高斯面,据高斯通量定理，可得在区域（,1,）和（,3,）中，电场强度为零；,再作高斯面,据高斯通量定理，可得在区域（,2,），,58,例 求厚度为,，体电荷密度为,的均匀带电无限大平板在空间三个区域产生的电场强度。,解 如图,2-5,所示的三个区域中，作高斯面,S1,，据高斯通量定理，电场强度在,S1,上的通量为,可得在区域（,1,）和（,3,）中，电场强度,59,对于区域（,2,），如图建立坐标系，作高斯面,S2,，据高斯通量定理，电场强度在,S2,上的通量为,60,61,2.8,静电场的边值问题,1.,电位的泊松方程和分界面条件,根据静电场基本方程的微分形式和辅助方程，有,在均匀电介质中,称为静电场的泊松方程。,当场域中没有电荷分布时,称为静电场的拉普拉斯方程,62,静电场的泊松方程或拉普拉斯方程是从场矢量表示的静电场的基本方程和辅助方程推导出来的，因此它等价于场矢量的基本方程加上辅助方程。在不同电介质分界处，电位也应该满足一定的分界面条件。,当分界面上没有自由面电荷分布时,63,边值问题,（,Boundary Problem,),64,2.,静电场的边值问题,以前讨论的静电场问题可以归结为两类。第一类问题是己知全部场源,(,包括自由电荷和束缚电荷,),求电场强度或电位。这类问题可以根据电场强度的积分公式和电位的积分公式直接计算，某些场源对称情况还可以利用高斯通量定理来求解。,第二类问题相反，是已知电位或电场强度求场源分布。这可以通过计算梯度和散度求出，并表示为,静电场的边值问题，就是已知求解区域中场的基本方程，给定边界条件，计算求解区域内场量的问题。,65,静电场边值问题,电荷分布已知,无界空间,有界空间,（边界条件给定）,66,已知求解区域内部的自由电荷分布,给定求解区域边界,上的电位,0,(,如导体的电,位,),，计算求解区域的电位和电场强度分布，这类问题通常称为第一类边值问题，又叫做狄里赫利问题，相应的边界条件称为第一类边界条件。第一类边值问题表述为,已知求解区域内部的自由电荷分布，给定求解区域边界,上电位的法向导数,(,外法线方向的方向导数,),，计算求解区域的电位和电场强度分布，这类问题通常称为第二类边值问题，又叫做聂以曼问题。相应的边界条件称为第二类边界条件。第二类边值问题表述为,67,还有一类问题，已知求解区域内部的自由电荷分布，给定求解区域部分边界,1,上电位和另一部分边界,2,上电位的法向导数，计算求解区域的电位和电场强度分布，这类问题通常称为混合边值问题，相应的边界条件称为混合边界条件。混合边值问题表述为,68,69,唯一性定理内容：,在场域,V,的边界面,S,上给定,电位,或者 的值，则泊松方程或拉普拉斯方程,在场域,V,内的解唯一,。,唯一性定理,说明：,若对同一面积，同时给定 和 的值，则不,存在唯一解。,70,71,72,73,74,75,76,